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1871.

$ extrm{TiH}_2$ 분말의 소결

김원백, 최국선, 서창열, 길대섭, 하호, Kim. Won-Baek, Choe. Guk-Seon, Seo. Chang-Yeol, Gil. Dae-Seop, Ha. Ho 한국재료학회 한국재료학회지 8 Pages

한국재료학회 한국재료학회지 1999, Vol.9 No.3 282-289 (8 pages)

김원백, 최국선, 서창열, 길대섭, 하호, Kim. Won-Baek, Choe. Guk-Seon, Seo. Chang-Yeol, Gil. Dae-Seop, Ha. Ho 저

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현저하게 촉진하였으며 $TiH_2$$longrightarrow$$Ti+H_2$의 탈수소반응에 의해 생성되 청정한 Ti분말이 소결을 촉진하기 때문인 것으로 판단된다. 같은 이유로 $TiH_2$소결체의 산소농도는 Ti 소결체보다 낮게 나타났다. 소결체의 잔류수소는 소결온도가 증가함에 따라 감소하였으며 $1200^{circ}C$ 이상에서는 5 ppm 이하의 낮은 값을 나타냈다. 소결체의 경도는 소결밀도 및 산소량에 비례하는 것으로 나타났다. $TiH_2$분말의 cubic$longrightarrow$tetragonal 변태온도는 X-선 회절분석 결과 $16~20^{circ}C$ 구간으로 밝혀졌다.
1872.

코발트 폴리사이드 게이트의 전기적 특성에 관한 연구

정연실, 구본철, 배규식, Jeong. Yeon-Sil, Gu. Bon-Cheol, Bae. Gyu-Sik 한국재료학회 한국재료학회지 6 Pages

한국재료학회 한국재료학회지 1999, Vol.9 No.11 1117-1122 (6 pages)

정연실, 구본철, 배규식, Jeong. Yeon-Sil, Gu. Bon-Cheol, Bae. Gyu-Sik 저

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Co/Ti 이중막을 순차적으로 증착하고 급속열처리하여 코발트 폴리사이드 전극을 만든 후, SADS법으로 다결정 Si을 도핑하여 MOS 커패시터를 제작하였다. 이때 drive-in 열처리조건에 따른 커패시터의 C-V 특성과 누설전류를 측정하여, $ extrm{CoSi}_{2}$의 열적안정성과 도판트 (B 및 As)의 재분포가 Co-폴리사이드 게이트의 전기적 특성에 미치는 영향을 연구하였다.$ 700^{circ}C$에서 60~80초간 열처리시, 다결정 Si층의 도핑으로 우수한 C-V 특성과 낮은 누설전류를 나타냈으나, 그 이상 장시간 또는 $900^{circ}C$의 고온에서는 $...
1873.

PVD 방법에 의한 $TiN/TiSi_2$-bilayer 형성

최치규, 강민성, 김덕수, 이광만, 황찬용, 서경수, 이정용, 김건호, Choe. Chi-Gyu, Gang. Min-Seong, Kim. Deok-Su, Lee. Gwang-Man, Hwang. Chan-Yong, Seo. Gyeong-Su, Lee. J 한국재료학회 한국재료학회지 8 Pages

한국재료학회 한국재료학회지 1998, Vol.8 No.12 1182-1189 (8 pages)

최치규, 강민성, 김덕수, 이광만, 황찬용, 서경수, 이정용, 김건호, Choe. Chi-Gyu, Gang. Min-Seong, Kim. Deok-Su, Lee. Gwang-Man, Hwang. Chan-Yong, Seo. Gyeong-Su, Lee. J 저

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기판을 실온과 $600^{circ}C$로 유지하면서 동시 증착 방법으로 (Ti+2Si)를 증착한 후 $N_2$ 분위기에서 Ti를 증발시켜 TiN($300AA$)/(Ti+2Si, $300AA$)/Si(100) 구조의 시료를 제작한 다음 초고진공에서 in-situ로 열처리하여 양질의 $TiN/TiSi_2$-bilayer를 형성하였다 열처리 온도가 $700^{circ}C$ 이상에서 (111) texture 구조를 가지면서 화학 양론적으로 $Ti_{0.5}N_{0.5}$인 박막과 C54-$TiSi_2$박막이 형성되었다. $TiN/C54-TiSi_2/Si$ (100)구조의 계면은 응집 현상이 없이 평활하였으며, $C54-TiSi_2$상은 에피택셜 성장되었다....
1874.

Pt 상부 전극 증착온도가 PZR 박막의 전지적 특성에 미치는 영향

이강운, 이원종, Lee. Kang-Woon, Lee. Won-Jong 한국재료학회 한국재료학회지 7 Pages

한국재료학회 한국재료학회지 1998, Vol.8 No.11 1048-1054 (7 pages)

이강운, 이원종, Lee. Kang-Woon, Lee. Won-Jong 저

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상부 전극 증착온도가 Pb(Zr,Ti)$O_3$(PZT) 박막의 전기적 특성에 미치는 영향에 대하여 연구하였다. Pt 상부 전극을 $200^{circ}C$이상의 고온에서 증착하는 경우, Pt 전극의 하부에 위치한 PZT 박막은 강유전 특성이 심하게 저하되었으나, Pt 전극이 증착되지 않았던 부분은 강유전 특성이 저하되지 않았다. 이와 같은 현상이 발생된 것은 진공 chamber 내의 수증기가 Pt 상부전극의 촉매 작용에 의해 수소 원자로 분해되고, 이 분해된 수소 원자가 고온에서 Pt 하부의 PZT 박막 내로 확산해 들어가 PZT박막에 산소 공공을 만들어 내기...
1875.

$ extrm{SiO}_2$기판 위에 증착된 Co/Hf 이중층의 계면반응

권영재, 이종무, 배대록, 강호규, Gwon. Yeong-Jae, Lee. Jong-Mu, Bae. Dae-Rok, Gang. Ho-Gyu 한국재료학회 한국재료학회지 6 Pages

한국재료학회 한국재료학회지 1998, Vol.8 No.9 791-796 (6 pages)

권영재, 이종무, 배대록, 강호규, Gwon. Yeong-Jae, Lee. Jong-Mu, Bae. Dae-Rok, Gang. Ho-Gyu 저

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Hf 역시 Ti와 마찬가지로 이러한 용도로 사용될 수 있다. 한편, Co/Hf 이중층 salicide 트랜지스터가 성공적으로 만들어지기 위해서는 spacer oxide 위에 증착된 Co/Hf 이중층이 열적으로 안정해야 한다. 이러한 배경에서 본 연구에서는 SiO2기판 위에 증착한 Co 단일층과 Co/Hf 이중층을 급속열처리할 때 Co와 SiO2간의 계면과 Co/Hf와 SiO2간의 계면에서의 상호반응에 대하여 조사하였다. Co 단일층과 Co/Hf 이중층은 각각 $500^{circ}C$와 $550^{circ}C$에서 열처리한 후 면저항이 급격하게 증가하기 시작하였는데, 이것은 Co층이...
1876.

코발트 폴리사이드 게이트전극 형성에 관한 연구

심현상, 구본철, 정연실, 배규식, Shim. Hyoun-Sang, Koo. Bon-Cheol, Joung. Yeon-Sil, Bae. Kyoo-Sik 한국재료학회 한국재료학회지 6 Pages

한국재료학회 한국재료학회지 1998, Vol.8 No.6 499-504 (6 pages)

심현상, 구본철, 정연실, 배규식, Shim. Hyoun-Sang, Koo. Bon-Cheol, Joung. Yeon-Sil, Bae. Kyoo-Sik 저

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입자형(granular)다결정 Si 및 비정질 Si 기판위에 Co 단일막(Co monolayer)또는 Co/Ti 이중막(Co/Ti bilayer)을 사용하여 형성한 $CoSi_{2}$의 열정안정을 비교하여 기판의 결정성과 CoSi/ sub 2/ 형성방법이 열적안정성에 미치는 영향을 연구하였다.$ 900^{circ}C$에서 600초까지 급속열처리하였을 때 , 기판을 비정질을 사용하거나 기판에 관계없이 Co/Ti 이중막을 사용하면 열적안정성이 향상되었다, 이는 평탄하고 깨끗한 기판 Si표면과 지연된 Co확산으로 인해,조성이 균일하고 계면이 평탄한 CoSi$_{2}$가 형성되었기 때문이다. $...
1877.

Cycle-CVD법으로 증착된 TiN 박막의 ALD 증착기구와 특성에 관한 연구

민재식, 손영웅, 강원구, 강상원, Min. Jae-Sik, Son. Young-Woong, Kang. Won-Gu, Kang. Sang-Won 한국재료학회 한국재료학회지 6 Pages

한국재료학회 한국재료학회지 1998, Vol.8 No.5 377-382 (6 pages)

민재식, 손영웅, 강원구, 강상원, Min. Jae-Sik, Son. Young-Woong, Kang. Won-Gu, Kang. Sang-Won 저

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Ti[N ($C_{2}$$H_{5}$ $CH_{3}$)$_{2}$]$_{4}$ [tetrakis(ethylmethylammino)titanium.TEMAT]와 $NH_{3}$를 반응가스로 하여 각각 펄스(pulse) 형태로 시분할 주입되는 새로운 박막 증착방법(이하 Cycle-CVD라 함)을 이용하여 TiN박막이 $SiO_2$.기판위에 증착되었다.Cycle-CVD에서 반을로 내로 주입되는 반응가스와 Ar가스는 TEAM 펄스, Ar 펄스,$NH_{3}$펄스, Ar 펄스의 순서로 시분할주입되었고, 이렇게 차례대로 주입되는 4개의 펄스를 하나의 cycle로 규정하고, Cycle-CVD는 이러한 cycle이 연속하여 반복적으로 주입되도록...
1878.

TDEAT와 $ extrm{NH}_3$ 예비혼합 처리가 MOCVD TiN형성에 미치는 영향

김지용, 이재갑, 박상준, 신현국, Kim. Ji-Yong, Lee. Jae-Gap, Park. Sang-Jun, Sin. Hyeon-Guk 한국재료학회 한국재료학회지 6 Pages

한국재료학회 한국재료학회지 1997, Vol.7 No.7 576-581 (6 pages)

김지용, 이재갑, 박상준, 신현국, Kim. Ji-Yong, Lee. Jae-Gap, Park. Sang-Jun, Sin. Hyeon-Guk 저

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TDEAT(TI[N(C$_{2}$H$_{5}$)$_{2}$]$_{4}$)와 NH$_{3}$반응기체를 이용하여 MOCVD(Metal Organic Chemical Vapor Deposition)TiN 박막을 형성하였다. 반응기체들은 chamber내에 주입하기 전에 적절한 기상반응을 유도시켜 주었으며, TiN박막 형성에 미치는 예비혼합 효과를 관찰하였다. 두 반응기체의 예비혼합을 이용하여 낮은 탄소의 함유와 함께 -800$mu$Ωㆍcm의 비교적 낮은 비저항을 나타내었다. 또한 NH$_{3}$의 유량 증가에 따라 도포성이 상당히 증가되고 있는데 이같은 도포성 향상 효과는 기상반응에 의하여 형성되는 중간상의...
1879.

RF magnetron sputtering법에 의해 제조된 $ extrm{SrBi}_{2} extrm{Ta}_{2} extrm{O}_{9}$박막의 강유전 특성에 관한 연구

박상식, 양철훈, 윤순길, Park. Sang-Sik, Yang. Cheol-Hun, Yun. Sun-Gil 한국재료학회 한국재료학회지 5 Pages

한국재료학회 한국재료학회지 1997, Vol.7 No.6 505-509 (5 pages)

박상식, 양철훈, 윤순길, Park. Sang-Sik, Yang. Cheol-Hun, Yun. Sun-Gil 저

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이용하여 SrB $i_{2}$T $a_{2}$ $O_{9}$(SBT)박막을 증착하였다. 사용된 기판은 Pt/Ti/Si $o_{2}$Si이었으며 50$0^{circ}C$에서 증착한 후 80$0^{circ}C$의 산소 분위기 하에서 1시간 동안 열처리하였다. 증착시 증착 압력을 변화시켜 가면서 이에 따른 특성의 변화를 고찰하였다. 박막내의 Bi와 Sr의 부족을 보상하기 위해 20mole%의 Bi $O_{2}$와 30mole%의 SrC $O_{3}$를 과잉으로 넣어 타겟을 제조후 사용하였고 박막들의 두께는 300nm의 두께를 가지며 증착압력에 따라 다른 미세 구조르 보였다. 10mtorr에서 증착한 박막의 조성은 S...
1880.

PEMOCVD에 의한 강 유전체 $ extrm{SrBi}_{2} extrm{Ta}_{2} extrm{O}_{9}$박막의 제조 및 증착온도 특성

성낙진, 윤순길, Seong. Nak-Jin, Yun. Sun-Gil 한국재료학회 한국재료학회지 5 Pages

한국재료학회 한국재료학회지 1997, Vol.7 No.5 381-385 (5 pages)

성낙진, 윤순길, Seong. Nak-Jin, Yun. Sun-Gil 저

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PEMOCVD에 의해서 SrBi$_{2}$Ta$_{2}$O$_{9}$밥막이 낮은 온도에서 성공적으로 Pt/Ti/SiO$_{2}$Si위에 증착되었다. 5$50^{circ}C$에서 증착된 200nm박막은 치밀하고 작은 결정립을 보였으며 3V의 인가전압하에서 이력곡선은 포화되기 시작하였다. 3V에서 박막은 잔류분극 (P$_{r}$)과 항전계(E$_{c}$)는 각각 15$mu$/$ extrm{cm}^2$과 50kV/cm이었다. 6V bipolar square pulse의 피로측정에서 박막은 1.0x$10^{11}$cycles까지 피로 현상을 보이지 않았다. PEMOCVD에 의해서 5$50^{circ}C$에서 증착된 SBT박막은 비휘발성 기억소자에...

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