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누설전류를 줄이기 위한 원형 AlGaN/GaN 쇼트키 장벽 다이오드
김민기, 임지용, 최영환, 김영실, 석오균, 한민구, Kim. Min-Ki, Lim. Ji-Yong, Choi. Young-Hwan, Kim. Young-Shil, Seok. O-Gyun, Han. Min-Koo 한국전기전자재료학회 전기전자재료학회논문지 5 Pages
한국전기전자재료학회 전기전자재료학회논문지 2009, Vol.22 No.9 751-755 (5 pages)
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AlGaN/GaN 이종접합구조의 표면누설전류에 관한 연구
석오균, 최영환, 임지용, 김영실, 김민기, 한민구, Seok. O-Gyun, Choi. Young-Hwan, Lim. Ji-Yong, Kim. Young-Shil, Kim. Min-Ki, Han. Min-Koo 한국전기전자재료학회 전기전자재료학회논문지 5 Pages
한국전기전자재료학회 전기전자재료학회논문지 2009, Vol.22 No.8 654-658 (5 pages)
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트렌치 구조의 소스와 드레인 구조를 갖는 AlGaN/GaN HEMT의 DC 출력특성 전산모사
정강민, 이영수, 김수진, 김동호, 김재무, 최홍구, 한철구, 김태근, Jung. Kang-Min, Lee. Young-Soo, Kim. Su-Jin, Kim. Dong-Ho, Kim. Jae-Moo, Choi. Hong-Goo, Hahn. Cheol-K 한국전기전자재료학회 전기전자재료학회논문지 4 Pages
한국전기전자재료학회 전기전자재료학회논문지 2008, Vol.21 No.10 885-888 (4 pages)
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AlGaN/GaN HFETs의 기술개발 동향과 응용
김종욱, 이재승, 신진호 한국전기전자재료학회 전기전자재료 8 Pages
한국전기전자재료학회 전기전자재료 2001, Vol.14 No.11 3-10 (8 pages)
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Optimization of Ohmic Contact Metallization Process for AlGaN/GaN High Electron Mobility Transistor
Wang. Cong, Cho. Sung-Jin, Kim. Nam-Young 한국전기전자재료학회 Transactions on electrical and electronic materials 4 Pages
한국전기전자재료학회 Transactions on electrical and electronic materials 2013, Vol.14 No.1 32-35 (4 pages)
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The Field Modulation Effect of a Fluoride Plasma Treatment on the Blocking Characteristics of AlGaN/GaN High Electron Mobility Transistors
Kim. Young-Shil, Seok. O-Gyun, Han. Min-Koo, Ha. Min-Woo 한국전기전자재료학회 Transactions on electrical and electronic materials 4 Pages
한국전기전자재료학회 Transactions on electrical and electronic materials 2011, Vol.12 No.4 148-151 (4 pages)
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Correlation between Physical Defects and Performance in AlGaN/GaN High Electron Mobility Transistor Devices
Park. Seong-Yong, Lee. Tae-Hun, Kim. Moon-J. 한국전기전자재료학회 Transactions on electrical and electronic materials 5 Pages
한국전기전자재료학회 Transactions on electrical and electronic materials 2010, Vol.11 No.2 49-53 (5 pages)
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Piezoelectric효과와 열 효과 모델링을 고려한 AlGaN/GaN HFET의 DC 특성
박승욱, 황웅준, 신무환, Park. Seung-Wook, Hwang. Woong-Joon, Shin. Moo-Whan 한국재료학회 한국재료학회지 6 Pages
한국재료학회 한국재료학회지 2003, Vol.13 No.12 769-774 (6 pages)
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분자선증착법으로 성장된 AlGaN 에피층의 표면 형상 분석
김제원, 최인훈, 박영균, 김용태, Kim. Je-Won, Choe. In-Hun, Park. Yeong-Gyun, Kim. Yong-Tae 한국재료학회 한국재료학회지 5 Pages
한국재료학회 한국재료학회지 1999, Vol.9 No.9 878-882 (5 pages)
분자선증착법으로 (0001) 사파이어 기판 위에 $Al_xGa_1-_xN$ 에피층을 AlN 몰비를 변화시키면서 성장시켰다. AlN 몰비는 0.16에서 0.76까지 변화시켰으며 X선의 회절 실험과 Rutherford backscattering spectroscopy 방법을 이용하여 AlN 몰비를 결정하였다. $Al_xGa_1-_xN$ 에피층의 깊이 방향의 조성 변화를 관찰하였으며 스퍼터 시간에 대해 각 원소가 일정한 원자 농도를 가짐을 알 수 있었다. AlN 몰비의 증가에 따른 표면 특성의 변화를 관찰하기 위하여 atomic force microscopy 측정을 수행하였다. 표면에서의 입자 모양이 AlN... -
AlGaN/GaN이중 이종접합구조의 광여기 유도방출 특성
김선태, 문동찬, Kim. Seon-Tae, Mun. Dong-Chan 한국재료학회 한국재료학회지 6 Pages
한국재료학회 한국재료학회지 1995, Vol.5 No.4 445-450 (6 pages)
AIN 완충층을 이용하여 대기압 유기금속에피텍셜 (MOVPE)법으로 사파이어 기판위에 성장시킨 AlGaN/GaN 이중 이종접합구조(double heterostructure : DH)의 고밀도 광여기에 의한 자외선 영역에서의 단면모드 유도방출 특성에 대하여 조사하였다. 실온에서 여기광 밀도 200kW/$cm^{2}$에서 방출된 AlGaN/GaN DH의 유도방출 피크파장과 반치폭은 각각 369nm와 22.4meV이었으며, 80K의 온도에서는 각각 360.1nm와 13.4meV이었다. 고밀도 광여기에 의하여 단면모드 자외영역 유도방출을 얻기에 필요한 입사광 밀도의 임계치는 실온과 80K의...