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GaN HEMT Die를 이용한 Ku-대역 전력 증폭기 설계 및 제작
김상훈, 김보기, 최진주, 정병구, 태현식, Kim. Sang-Hoon, Kim. Bo-Ki, Choi. Jin-Joo, Jeong. Byeoung-Koo, Tae. Hyun-Sik 한국전자파학회 韓國電磁波學會論文誌 7 Pages
한국전자파학회 韓國電磁波學會論文誌 2014, Vol.25 No.6 646-652 (7 pages)
본 논문은 GaN(Gallium Nitride) HEMT(High Electron Mobility Transistor) die를 이용하여 Ku-대역 전력 증폭기 설계, 제작 그리고 실험 결과에 대해 기술하였다. 저비용으로 Ku-대역 전력 증폭기를 설계하기 위하여 고가의 알루미나 회로 기판 제작 대신 PCB(Printed Circuit Board)를 이용하여 입/출력단 정합 회로를 이용하였다. 측정 결과로는 펄스 모드로 동작시켰을 때 14.8 GHz에서 42.6 dBm의 출력 전력, 37.7 % 드레인 효율 그리고 7.9 dB의 선형 이득을 얻었다. CW(Continuous Wave) 실험 결과로는 39.8 dBm의 출력 전력, 24.1... -
내부 고조파 조정 회로로 구성되는 고효율 370 W GaN HEMT 소형 전력 증폭기
최명석, 윤태산, 강부기, 조삼열, Choi. Myung-Seok, Yoon. Tae-San, Kang. Bu-Gi, Cho. Samuel 한국전자파학회 韓國電磁波學會論文誌 10 Pages
한국전자파학회 韓國電磁波學會論文誌 2013, Vol.24 No.11 1064-1073 (10 pages)
본 논문에서는 내부 고조파 조정 회로로 구성되는 셀룰러와 L-대역용 소형의 고효율 370 W GaN(Gallium Nitride) HEMT(High Electron Mobility Transistor) 소형 전력 증폭기(PA)를 구현하였다. 원천 및 2차 고조파 주파수에서 동시에 높은 효율을 내기 위해 새로운 회로 정합 형태를 적용했다. 소형화를 위하여 새로운 41.8 mm GaN HEMT와 2개의 MOS(Metal Oxide Semiconductor) 캐패시터를 구성 물질의 변화를 이용하여 열 저항을 개선한 $10.16{ imes}10.16{ imes}1.5Tmm^3$ 크기의 새로운 패키지에 와이어 본딩으로 결합하였다.... -
GaN HEMT를 이용한 스위칭 모드 전력증폭기 설계 및 전력증폭기의 Ruggedness 특성 분석
최길웅, 이복형, 김형주, 김상훈, 최진주, 김동환, 김선주, Choi. Gil-Wong, Lee. Bok-Hyoung, Kim. Hyoung-Joo, Kim. Sang-Hoon, Choi. Jin-Joo, Kim. Dong-Hwan, Kim. Seon 한국전자파학회 韓國電磁波學會論文誌 9 Pages
한국전자파학회 韓國電磁波學會論文誌 2013, Vol.24 No.4 394-402 (9 pages)
본 논문은 GaN(Gallium Nitride) HEMT(High Electron Mobility Transistor)를 이용한 S대역 레이더용 전력증폭기 설계하고 제작된 스위칭 모드 전력증폭기의 ruggedness 시험에 관련된 내용을 기술하였다. 고효율 특성을 위해 전력증폭기를 Class-F로 설계하였으며, 측정을 위한 입력 신호는 $100{mu}s$의 pulse width 및 10 %의 duty cycle인 pulse 신호를 사용하였다. 제작된 Class-F 전력증폭기의 중심 주파수에서 측정한 결과, 8.7 dB의 전력 이득과 42 dBm의 출력 전력, 54.2 %의 전력 부가 효율(PAE) 및 62.6 %의 드레인 효율이... -
GaN HEMT Based High Power and High Efficiency Doherty Amplifiers with Digital Pre-Distortion Correction for WiBro Applications
Park. Jun-Chul, Kim. Dong-Su, Yoo. Chan-Sei, Lee. Woo-Sung, Yook. Jong-Gwan, Chun. Sang-Hyun, Kim. Jong-Heon, Hahn. Cheol-Koo 한국전자파학회 Journal of the Korean Institute of Electromagnetic Engineering and Science 11 Pages
한국전자파학회 Journal of the Korean Institute of Electromagnetic Engineering and Science 2011, Vol.11 No.1 16-26 (11 pages)
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Evaluation of GaN Transistors Having Two Different Gate-Lengths for Class-S PA Design
Park. Jun-Chul, Yoo. Chan-Sei, Kim. Dongsu, Lee. Woo-Sung, Yook. Jong-Gwan 한국전자파학회 Journal of electromagnetic engineering and science : JEES 9 Pages
한국전자파학회 Journal of electromagnetic engineering and science : JEES 2014, Vol.14 No.3 284-292 (9 pages)
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Highly Linear 2-Stage Doherty Power Amplifier Using GaN MMIC
Jee. Seunghoon, Lee. Juyeon, Kim. Seokhyeon, Park. Yunsik, Kim. Bumman 한국전자파학회 Journal of electromagnetic engineering and science : JEES 6 Pages
한국전자파학회 Journal of electromagnetic engineering and science : JEES 2014, Vol.14 No.4 399-404 (6 pages)
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GaN를 이용한 광전기화학적 물분해
오일환, Oh. Ilwhan 한국전기화학회 전기화학회지 6 Pages
한국전기화학회 전기화학회지 2014, Vol.17 No.1 1-6 (6 pages)
본 총설은 질화 갈륨(GaN)을 이용한 광전기화학적 물분해 연구에 대해 정리하였다. GaN는 화학적으로 안정하고 에너지 띠간격 조절이 자유롭다는 장점으로 최근 물분해를 위한 새로운 광전극 물질로 연구되고 있다. 다른 화합물 반도체 물질은 강산 혹은 강염기 전해액에 의해 쉽게 부식되기 때문에 광산화전극(photoanode)으로는 사용이 어려운 반면, n형 GaN는 뛰어난 안정성 덕분에 산화 분위기의 산소 발생 전극으로도 활용이 가능하다. 또한, 최근에는 p형 GaN을 환원전극으로 이용한 광전극에 대한 연구도 보고되었다. GaN 물질이... -
The Field Modulation Effect of a Fluoride Plasma Treatment on the Blocking Characteristics of AlGaN/GaN High Electron Mobility Transistors
Kim. Young-Shil, Seok. O-Gyun, Han. Min-Koo, Ha. Min-Woo 한국전기전자재료학회 Transactions on electrical and electronic materials 4 Pages
한국전기전자재료학회 Transactions on electrical and electronic materials 2011, Vol.12 No.4 148-151 (4 pages)