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MHEMT를 이용한 광대역 특성의 밀리미터파 Cascode 증폭기 연구
백용현, 이상진, 백태종, 최석규, 윤진섭, 이진구, Baek. Yong-Hyun, Lee. Sang-Jin, Baek. Tae-Jong, Choi. Seok-Gyu, Yoon. Jin-Seob, Rhee. Jin-Koo 대한전자공학회 電子工學會論文誌. Journal of the Institute of Electronics Engineers of Korea. SD, 반도체 6 Pages
대한전자공학회 電子工學會論文誌. Journal of the Institute of Electronics Engineers of Korea. SD, 반도체 2008, Vol.45 No.4 1-6 (6 pages)
및 제작하였다. 제작된 MHEMT는 드레인 전류 밀도가 670 mA/mm이고, 최대 전달컨덕턴스(gm)는 688 mS/mm이며, 주파수 특성으로 전류이득 차단 주파수($f_T$)는 139 GHz, 최대 공진 주파수($f_{max}$)는 266 GHz의 특성을 나타내었다. 설계된 cascode 증폭기는 회로의 발진을 막기 위해서 저항과 캐패시터를 commom gate 소자의 드레인이 병렬로 연결하였다. Cascode 증폭기는 CPW (Coplanar Waveguide) 전송선로를 이용하여 광대역 특성을 얻을 수 있도록 정합회로를 설계하였다. 설계된 증폭기는 본 실험실에서 개발된 MHEMT MMIC 공정을... -
기존의 MHEMT와 InP 합성 채널 MHEMT의 소자의 항복 특성 분석 및 비교 연구
최석규, 백용현, 한민, 방석호, 윤진섭, 이진구, Choi. Seok-Gyu, Baek. Yong-Hyun, Han. Min, Bang. Seok-Ho, Yoon. Jin-Seob, Rhee. Jin-Koo 대한전자공학회 電子工學會論文誌. Journal of the Institute of Electronics Engineers of Korea. SD, 반도체 6 Pages
대한전자공학회 電子工學會論文誌. Journal of the Institute of Electronics Engineers of Korea. SD, 반도체 2007, Vol.44 No.12 1-6 (6 pages)
InP를 추가하여 제작 하였다. InP는 In0.53Ga0.47As와 비교하여 낮은 충돌 이온화 계수를 가지고 있다. 그런 특성을 MHEMT의 문제점 중의 하나인 낮은 항복전압의 개선에 이용하였다. 우리는 기존의 MHEMT와 InP 합성 채널 MHEMT의 항복 특성과 주파수 특성을 비교 하였다. 본 논문에서 InP 합성 채널 MHEMT의 on-state와 off-state 항복전압이 각각 2.4와 5.7 V가 측정 되었고 또한 cut-off 주파수와 maximum oscillation 주파수는 각각 160 GHz와 230 GHz가 측정 되었다. 위의 결과는 InP 합성 채널 MHEMT가 밀리미터파 대역의 전력용... -
70 nm MHEMT와 DAML 기술을 이용한 우수한 성능의 94 GHz 단일 평형 혼합기
김성찬, 안단, 임병옥, 백태종, 신동훈, 이진구, Kim. Sung-Chan, An. Dan, Lim. Byeong-Ok, Beak. Tae-Jong, Shin. Dong-Hoon, Rhee. Jin-Koo 대한전자공학회 電子工學會論文誌. Journal of the Institute of Electronics Engineers of Korea. SD, 반도체 8 Pages
대한전자공학회 電子工學會論文誌. Journal of the Institute of Electronics Engineers of Korea. SD, 반도체 2006, Vol.43 No.4 8-15 (8 pages)
nm InGaAs/InAlAs MHEMT와 DAML 기반의 하이브리드 링 결합기를 이용하여 낮은 변환 손실과 높은 격리도 특성을 갖는 94 GHz 단일 평형 혼합기를 개발하였다. 혼합기에 사용된 MHEMT는 607 mA/mm의 드레인 전류 밀도, 1015 mS/mm의 전달컨덕턴스, 330 GHz의 전류이득차단주파수, 425 GHz의 최대공진주파수 특성을 나타내었다. 제작된 하이브리드 링 결합기는 $85GHz{sim}105GHz$의 범위에서 $3.57{pm}0.22dB$의 커플링 손실과 $3.80{pm}0.08dB$의 삽입 손실 특성을 나타내었다. 혼합기의 측정 결과, $93.65GHz{sim}94.25GHz$의 범위에서... -
MHEMT를 이용한 DC ∼ 45 GHz CPW 광대역 분산 증폭기 설계 및 제작
진진만, 이복형, 임병옥, 안단, 이문교, 이상진, 고두현, 백용현, 오정훈, 채연식, 박형무, 김삼동, 이진구, Jin. Jin-Man, Lee. Bok-Hyung, Lim. Byeong-Ok, An. Dan, Lee. Mun-Kyo, Lee. Sang-Jin 대한전자공학회 電子工學會論文誌. Journal of the Institute of Electronics Engineers of Korea. SD, 반도체 6 Pages
대한전자공학회 電子工學會論文誌. Journal of the Institute of Electronics Engineers of Korea. SD, 반도체 2004, Vol.41 No.12 7-12 (6 pages)
얻었다. RF 특성으로 fT는 140 GHz fmax는 447 GHz의 양호한 성능을 나타내었다. 광대역 MIMIC 분산 증폭기의 설계를 위해 MHEMT의 소신호 모델과 CPW 라이브러리를 구축하였으며, 이를 이용하여 MIMIC 분산 증폭기를 설계하였다. 설계된 분산 증폭기는 본 연구에서 개발된 MHEMT MIMIC 공정을 이용하여 제작하였으며, MIMIC 분산 증폭기의 측정결과, DC ~ 45 GHz대역에서 6 dB 이상의 S21 이득을 얻었으며, 입력반사 계수는 45 GHz에서 -10 dB, 출력반사계수는 -7 dB의 특성을 나타내었다. 제작된 분산 증폭기의 칩 크기는 2.0 mm$... -
100 nm T-gate의 InGaAs/InAlAs/GaAs metamorphic HEMT 소자 제작 및 특성에 관한 연구
김형상, 신동훈, 김순구, 김형배, 임현식, 김현정, Kim. H.S., Shin. D.H., Kim. S.K., Kim. H.B., Im. Hyun-Sik, Kim. H.J. 한국진공학회 韓國眞空學會誌 5 Pages
한국진공학회 韓國眞空學會誌 2006, Vol.15 No.6 637-641 (5 pages)
본 논문에서는 100 nm 게이트 길이를 갖는 InGaAs/InAlAs/GaAs MHEMT(metamorphic high electron mobility transistors)m의 DC와 RF 특성을 분석 하였다. 이중 노광 방법으로 ZEP520/P(MMA-MAA)/PMMA 3층 구조의 레지스터와 게이트 길이 100 nm인 게이트를 제작하였다. 게이트의 단위 폭이 $70;{mu}m$인 2개의 게이트와 길이가 100 nm로 제작된 MHEMT를 DC 및 RF특성을 조사하였다. 최대 드레인 전류 밀도는 465 mA/mm, 상호전달 컨덕턴스는 844 mS/mm이, RF 측정으로부터 전류 이득 차단 주파수는 192 GHz와 최대 진동주파수 310 GHz인... -
Metamorphic HEMT를 이 용한 60 GHz 대역 고출력 Push-Push 발진기
이종욱, Lee. Jong-Wook 한국전자파학회 韓國電磁波學會論文誌 6 Pages
한국전자파학회 韓國電磁波學會論文誌 2006, Vol.17 No.7 659-664 (6 pages)
이상의 $f_{MAX}$ 등 우수한 특성을 나타내었다. 두 개의 $6{ imes}50{mu}m$ 크기를 가지는 mHEMT 를 이용하여 제작된 발진기는 59.5 GHz 에서 6.3 dBm의 출력 전력과 -35 dBc 이상의 기저 주파수 억압도를 나타내었다. 페이즈 노이즈 (phase noise)는 발진 주파수의 1 MHz 오프셋에서 -81.2 dBc/Hz 의 특성을 나타내었다. 본 연구 결과는 60 GHz 대역에서 mHEMT를 이용하여 제작된 push-push 발진기로는 최대 출력을 나타낸 결과이며, 이 연구 결과는 상용화와 저가격에 InP HEMT 보다 유리한 mHEMT를 이용하여 고출력 발진기 특성을... -
A CPW-Based 77 GHz Power Amplifier with Cascode Structure Using a 130 nm In0.88GaP/In0.4AlAs/In0.4GaAs mHEMTs
Kim. Young-Min, Koh. Yu-Min, Park. Young-Rak, Lee. Si-Young, Seo. Kwang-Seok, Kwon. Young-Woo 한국전자파학회 Journal of the Korean Institute of Electromagnetic Engineering and Science 5 Pages
한국전자파학회 Journal of the Korean Institute of Electromagnetic Engineering and Science 2009, Vol.9 No.4 218-222 (5 pages)
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Metamorphic InAlAs/InGaAs HEMT 소자의 기술동향
윤형섭, 이진희, 이경호, Yoon. H.S., Lee. J.H., Lee. K.H 한국전자통신연구원 전자통신동향분석 5 Pages
한국전자통신연구원 전자통신동향분석 2000, Vol.15 No.6 113-117 (5 pages)
본 고에서는 MHEMT(Metamorphic InAlAs/InGaAs HEMT) 구조의 특성, MHEMT 소자특성, MHEMT MMIC 결과와 향후의 기술동향을 논의한다. -
밀리미터파 응용을 위한 우수한 성능의 50 nm Metamorphic HEMTs
류근관, 김성찬, Ryu. Keun-Kwan, Kim. Sung-Chan 한국전기전자학회 전기전자학회논문지 5 Pages
한국전기전자학회 전기전자학회논문지 2012, Vol.16 No.2 116-120 (5 pages)
본 논문에서는 밀리미터파 응용에 사용 가능한 우수한 성능의 50 nm InGaAs/InAlAs/GaAs metamorphic HEMT를 구현하였다. 게이트 길이가 50 nm이며 단위 게이트 폭이 30 ${mu}m$인 2개의 게이트를 가지고 있는 MHEMT의 측정결과, 740 mA/mm의 드레인 포화 전류밀도와 1.02 S/mm의 상호전달 전도도를 얻었으며 전류이득차단주파수와 최대공진주파수는 각각 430 GHz와 406 GHz의 특성을 나타내었다. -
밀리미터파 응용 시스템 설계를 위한 RF 소신호 주파수 특성 시뮬레이션
손명식, Son. Myung-Sik 한국신호처리시스템학회 信號處理·시스템學會 論文誌 5 Pages
한국신호처리시스템학회 信號處理·시스템學會 論文誌 2011, Vol.12 No.3 217-221 (5 pages)
Electron Mobility Transistor)들은 우수한 마이크로파 및 밀리미터파 주파수 특성 및 이에 따른 우수한 저잡음 특성을 가지고 있다. GaAs 기반 MHEMT(Metamorphic HEMT)는 InP 기반의 HEMT에 비해 비용 측면에서 커다란 장점을 가지고 있다. 본 논문에서는 마이크로파 및 밀리미터파 응용 시스템에 필수적인 MHEMT의 RF 특성을 예측 평가하기 위하여 MHEMT의 RF 소신호 특성 회로를 시뮬레이션하고 분석하였다. 본 논문에서의 시뮬레이션을 통한 RF 소신호 주파수 분석은 MHEMT를 이용한 밀리미터파 응용 시스템 설계에 도움을 제공할...