발행기관
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간행물
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- 한국재료학회지(11)
- 요업학회지(10)
- CARBON LETTERS(6)
- 대한기계학회론문집. TRANSACTIONS OF THE KOREAN SOCIETY OF MECHANICAL ENGINEERS. A. A(6)
- 전기전자재료학회논문지(6)
- 한국진공학회지(5)
- 마이크로전자 및 패키징 학회지(2)
- 열환경공학(2)
- 전자공학회논문지. JOURNAL OF THE INSTITUTE OF ELECTRONICS ENGINEERS OF KOREA. SD, 반도체(2)
- BULLETIN OF THE KOREAN CHEMICAL SOCIETY(1)
- JOURNAL OF THE INSTITUTE OF ELECTRONICS ENGINEERS OF KOREA(1)
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- 한국자기학회지(1)
- 한국표면공학회지(1)
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Si3N4/SiC 복합 세라믹의 온도에 따른 크랙 힐링 관찰과 확산거동
송오성, 안도 코토지, 다카하시 코지, 나가오 와타루, 류지호, Song. Oh-Sung, Ando. Kotoji, Takahashi. Koji, Nakao. Wataru, Ryu. Ji-Ho 한국재료학회 한국재료학회지 6 Pages
한국재료학회 한국재료학회지 2005, Vol.15 No.12 780-785 (6 pages)
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전기로를 이용한 Si || SiO2/Si3N4 || Si 이종기판쌍의 직접접합
이상현, 이상돈, 서태윤, 송오성, Lee. Sang-Hyeon, Lee. Sang-Don, Seo. Tae-Yun, Song. O-Seong 한국재료학회 한국재료학회지 4 Pages
한국재료학회 한국재료학회지 2002, Vol.12 No.2 117-120 (4 pages)
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사점굽힘시험법을 이용한 이종절연막 (Si/SiO2||Si3N4/Si) SOI 기판쌍의 접합강도 연구
이상현, 송오성, Lee. Sang-Hyeon, Song. O-Seong 한국재료학회 한국재료학회지 5 Pages
한국재료학회 한국재료학회지 2002, Vol.12 No.6 508-512 (5 pages)
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Si3N4장벽층을 이용한 경사형 모서리 접합의 터널링 자기저항 특성
김영일, 황도근, 이상석, Kim. Young-Ii, Hwang. Do-Guwn, Lee. Sang-Suk 한국자기학회 韓國磁氣學會誌 5 Pages
한국자기학회 韓國磁氣學會誌 2002, Vol.12 No.6 201-205 (5 pages)
경사형 모서리접합을 이용한 터널링 자기저항(tunneling magnetoresistance; TMR) 특성을 연구하였다. 박막 증착과 식각은 스퍼터링과 사이크로트론 전자공명 (electron cyclotron resonance; ECR) 장치를 각각 사용하였다. Si$_3$N$_4$ 장벽층을 이용한 접합의 다층구조는 NiO(60)/Co(10)/NiO(60)/Si$_3$N$_4$(2-6)/NiFe(10) (nm)이었다. 상하부 반강자성체 NiO에 삽입된 wedged 형태의 고정층 Co와 장벽층 Si$_3$N$_4$위에 경사진 비대칭 구조에서 자유층 NiFe간의 접합에서 일어나는 특이한 스핀의존 터널링 현상이 관찰되었다.... -
Si-Al-SiO2-NH4F(β-Si3N4)계에서 연소반응에 의한 β-SiAlON분말의 제조
민현홍, 신창윤, 원창환, Min. Hyun-Hong, Shin. Chang-Yun, Won. Chang-Whan 한국세라믹학회 한국세라믹학회지 6 Pages
한국세라믹학회 한국세라믹학회지 2006, Vol.43 No.10 595-600 (6 pages)
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Nitrided Pressureless Sintering에 의해 제조된 Si3N4의 산화거동
한인성, 천승호, 정용희, 서두원, 이시우, 홍기석, 우상국, Han. In-Sub, Cheon. Sung-Ho, Jung. Yong-Hee, Seo. Doo-Won, Lee. Shi-Woo, Hong. Kee-Soeg, Woo. Sang-Kuk 한국세라믹학회 한국세라믹학회지 7 Pages
한국세라믹학회 한국세라믹학회지 2005, Vol.42 No.1 62-68 (7 pages)
질화상압동시소결(NPS) 공정에 의해 제조된 기공율이 다른 질화규소 소결체에 대해 $1300^{circ}C$ 순산소 가스분위기에서 산화거동을 조사하였다. 질화규소 세라믹스 표면에 형성된 산화층의 두께는 산화 시간과 온도에 따라 증가되었으며, $1300^{circ}C$에서 100시간 산화시킨 5A5Y5Si와 5A5Y10Si 시편의 산화층 두께는 각각 10$mu$m와 20$mu$m이었다. 5A5YSi와 5A5Y10Si 시편의 산화는 각각 215kJ/mol과 104kJ/mol의 활성화 에너지를 갖고 포물선적 거동을 나타내었다. $1300^{circ}C$에서 500시간 산화시킨 후, 5A5Y5Si 시편에 대해...


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