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5.8GHz 무선 랜용 서브 하모닉 저항성 혼합기의 설계
유홍길, 김완식, 강정진, 이종악, Yoo. Hong-Gil, Kim. Wan-Sik, Kang. Jeong-Jin, Lee. Jong-Arc 한국전기전자학회 전기전자학회논문지 6 Pages
한국전기전자학회 전기전자학회논문지 2004, Vol.8 No.1 73-78 (6 pages)
무선 랜용 서브 하모닉 저항성 혼합기를 설계하였다. 서브 하모닉 저항성 혼합기는 서브 하모닉 혼합기와 저항성 혼합기의 장점이 합쳐진 구조이다. 서브 하모닉 저항성 혼합기는 LO의 고조파 성분과 RF를 혼합하여 IF주파수를 얻는다. 그래서 기존의 혼합기보다 낮은 LO 주파수를 사용이 가능하다. 그리고 서브 하모닉 저항성 혼합기는 GaAs FET의 unbiased 채널 저항을 사용하여 주파수 혼합하므로 낮은 IMD를 특성을 갖는다. 제작된 서브 하모닉 저항성 혼합기의 변환손실은 LO 신호전력이 13 dBm일 때, 10.67 dB이다. 그리고 혼합기의... -
전극에 따른 CuPc Field-effect Transistor의 전기적 특성
이호식, 박용필, 천민우, Lee. Ho-Shik, Park. Yong-Pil, Cheon. Min-Woo 한국전기전자재료학회 전기전자재료학회논문지 4 Pages
한국전기전자재료학회 전기전자재료학회논문지 2008, Vol.21 No.10 930-933 (4 pages)
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유기 박막 트랜지스터 (Organic TFT)의 유기 활성층 기술 동향
장상웅, 최준환, 윤호규, 이주원, 주병권, 김재경 한국전기전자재료학회 전기전자재료 10 Pages
한국전기전자재료학회 전기전자재료 2004, Vol.17 No.8 3-12 (10 pages)
유기 박막 트랜지스터 (Organic Thin film Transistors ； 이하 OTFT)는 1986년부터(1) 반도체 장치의 새로운 부류로 급속하게 발전해 오고 있다. 반도체 산업에 있어 이러한 유기물질의 큰 발전은 1947년에 있었던 최초의 inorganic FET (Field Effect Transistor) 탄생에 버금갈 만한 성과라고 여겨진다.(중략) -
전유기 트랜지스터용 유기 절연재
이무열, 손현삼, 표승문, 이미혜 한국전기전자재료학회 전기전자재료 9 Pages
한국전기전자재료학회 전기전자재료 2004, Vol.17 No.7 21-29 (9 pages)
이용하여 만든 전계효과 (Field Effect FET) 소자로 일반적으로 정의되는 박막 트랜지스터 (Thin Film Transistor, TFT)는 1962 RCA lab.의 Weimer에 제안되어 지금까지 많은 발전을 거듭해 왔다. ［1］ TFT는 SRAM이나 ROM에도 응용되지만, 주된 사용 분야는 능동구동방식 평판 디스플레이(Active Matrix Flat Panel Display)의 화소 스위칭 소자이다. 액정 디스플레이(Liquid Crystal Display, LCD)나 유기 전계발광 디스플레이(Organic Electro-luminescence Display, OELD) 화소의 스위칭 소자로도 TFT가 널리 사용되고 있다. (중략) -
고속 전자 이동 트랜지스터(HEMT)와 그 응용
이관호, 김종헌 한국전기전자재료학회 電氣電子材料學會誌= The journal of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers 7 Pages
한국전기전자재료학회 電氣電子材料學會誌= The journal of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers 1996, Vol.9 No.10 1074-1080 (7 pages)
수입에 의존하고 있는 실정이다. HEMT는 FET에 대한 응용소자로서 개발의 여지가 충분한만큼 관심을 가질 필요가 있다. 실제로 HEMT가 상업적으로 많이 이용되고 있는 분야는 저잡음 특성이 강하기 때문에 저잡음 증폭기용 소자로 사용되고 있고 제작시에 도핑되는 층의 배열을 변형하거나 첨가하여 소자내의 2차원 전자개스 층을 확장하여 어둑 빠른 소자 개발도 현재 이루어지고 있는 실정이다. 점점 더 증가하는 초고속 통신 시스템의 요구와 초고주파와 밀리미터파의 이용은 고속전자이동 트랜지스터의 미래를 밝게 해줄것이다. -
화합물 반도체 자기센서
차준호, 김남영 한국전기전자재료학회 電氣電子材料學會誌= The journal of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers 6 Pages
한국전기전자재료학회 電氣電子材料學會誌= The journal of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers 1996, Vol.9 No.5 512-517 (6 pages)
본 고는 반도체 재료가 갖는 자기효과를 이용하여 자기센서의 종류 및 특성등에 대하여 서술하였다. 반도체 LSI의 응용분야가 확대됨에 따라서 반도체 센서를 이용한 극소형화, 고성능화, 저가격화, 다기능화등이 가능하게 되었다. 이러한 상황에서 반도체를 이용한 홀 소자나 자기저항 소자와 같은 자기센서 등을 주변회로와 일체화시킨 초소형 시스템에 대한 연구가 활발하다. 특히 화합물 반도체는 자기센서에 적합한 물리적인 특성을 갖고 있기 때문에, 자기센서로 효율을 나타내고 있다. 반도체의 미세가공기술의 발전과... -
Study of Electron Injection of Pentacene Field Effect Transistor with Au Electrodes by C-V and SHG Measurements
Lim. Eun-Ju, Manaka. Takaaki, Tamura. Ryosuke, Ohshima. Yuki, Iwamoto. Mitsumasa 한국전기전자재료학회 Transactions on electrical and electronic materials 5 Pages
한국전기전자재료학회 Transactions on electrical and electronic materials 2008, Vol.9 No.4 151-155 (5 pages)
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Copper Phthalocyanine Field-effect Transistor Analysis using an Maxwell-wagner Model
Lee. Ho-Shik, Yang. Seung-Ho, Park. Yong-Pil, Lim. Eun-Ju, Iwamoto. Mitsumasa 한국전기전자재료학회 Transactions on electrical and electronic materials 4 Pages
한국전기전자재료학회 Transactions on electrical and electronic materials 2007, Vol.8 No.3 139-142 (4 pages)
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무전해 식각법으로 합성한 Si 나노와이어 Field Effect Transistor 유연소자의 특성
이상훈, 문경주, 황성환, 이태일, 명재민, Lee. Sang-Hoon, Moon. Kyeong-Ju, Hwang. Sung-Hwan, Lee. Tae-Il, Myoung. Jae-Min 한국재료학회 한국재료학회지 5 Pages
한국재료학회 한국재료학회지 2011, Vol.21 No.2 115-119 (5 pages)