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211.

$^{11}$C 표지 자동합성장치에서 루프법을 이용한 ($^{11}$C)(R)-PK11195의 간편한 합성법

이학정, 정재민, 이윤상, 김형우, 최재연, 이동수, 정준기, 이명철, Lee. Hak-Jeong, Jeong. Jae-Min, Lee. Yun-Sang, Kim. Hyung-Woo, Choi. Jae-Yeon, Lee. Dong-Soo, Chung. J 대한핵의학회 핵의학 분자영상 7 Pages

대한핵의학회 핵의학 분자영상 2009, Vol.43 No.4 337-343 (7 pages)

이학정, 정재민, 이윤상, 김형우, 최재연, 이동수, 정준기, 이명철, Lee. Hak-Jeong, Jeong. Jae-Min, Lee. Yun-Sang, Kim. Hyung-Woo, Choi. Jae-Yeon, Lee. Dong-Soo, Chung. J 저

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수용체 (PBR)의 친화성이 높으며, 활성화된 소교세포(microglia)의 PBR에 선택적으로 결합하는 것으로 알려져 있다. 본 연구에서는 말초형 벤조디아제핀 수용체 (PBR)의 FET용 리간드인[$^{11}$C](R)-PK11195를, 절차가 빠르고 간단한 [$^{11}$C]CH$_3$I 자동합성장치 및 루프법을 도입해서 합성하였다. 대상 및 방법: 사이클로트론에서 $^{14}$N(p,a)$^{11}$C핵반응에 의하여 생산된 [$^{11}$C]Co$_2$를 0.2 M LiAlH$_4$/THF (0.2 mL)로 환원한 다음 HI (1 mL)과 반응하여 [$^{11}$C]CH$_3$I를 생산하였다. 반응용매인 NaH DMF complex...
212.

다발성 골수종에서의 $^{18}F$-FDG PET/CT: 전신영상 획득이 필요한가?

이수진, 최준영, 김기현, 이은정, 조영석, 현승협, 이지영, 이경한, 김병태, Lee. Su-Jin, Choi. Joon-Young, Kim. Ki-Hyun, Lee. Eun-Jeong, Cho. Young-Seok, Hyun. Seung-Hyup, Le 대한핵의학회 핵의학 분자영상 5 Pages

대한핵의학회 핵의학 분자영상 2008, Vol.42 No.1 39-43 (5 pages)

이수진, 최준영, 김기현, 이은정, 조영석, 현승협, 이지영, 이경한, 김병태, Lee. Su-Jin, Choi. Joon-Young, Kim. Ki-Hyun, Lee. Eun-Jeong, Cho. Young-Seok, Hyun. Seung-Hyup, Le 저

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수치, 혈청 면역글로불린 수치, 뇨 면역글로불린 수치, 혈청 크레아티닌 수치에 유의한 차이는 없었다. 두개골 또는 중간 허벅지 이하 하지에 비정상적인 국소 FDG 섭취증가를 보인 22개의 PET 영상에서 두개골 또는 중간 허벅지 이하 하지 병변으로 인하여 Durie/Salmon plus 병기가 상승된 경우는 단 1개(4.5%, p>0.05)였다. 결론: FET 영상에서 두개골 또는 중간 허벅지 이하 하지 병변은 다발성 골수종에 있어 종양의 양 및 병기 평가에 유의한 영향을 주지 못했다. 따라서 다발성 골수종에서 머리와 다리를 포함한 전신영상을 꼭...
213.

유한 차분법을 이용한 MODFET의 이차원적 해석

정학기, 이문기, 김봉렬, Jung. Hak-Gi, Lee. Moon-Key, Kim. Bong-Ryul 대한전자공학회 전자공학회논문지 7 Pages

대한전자공학회 전자공학회논문지 1988, Vol.25 No.11 1373-1379 (7 pages)

정학기, 이문기, 김봉렬, Jung. Hak-Gi, Lee. Moon-Key, Kim. Bong-Ryul 저

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본 연구에서는 FDM(finite difference method)을 이용한 수치적 방법을 사용하여 MODFET (MO-dulation doped FET)의 전위 분포와 전자 밀도를 이차원적으로 해석하였다. 일차원적 해석 방법에서는 MODFET의 게이트 부분만을 계산하는 반면, 이차원적 해석 방법은 소오스와 드레인 부분도 계산해줌으로써 일차원적 해석 방법에서 무시되는 기생 효과(parasitic effect)를 고려하여 더 정확한 해석이 가능하였다. 결과로서 스페이스(spacer) 두께와 (n)AlGaAs층의 도핑 농도의 변화에 따른 채널내에서 2DEG(2dimensional electron gas)의...
214.

BF 컨버터의 역률 개선에 관한 연구

임승하 대한전자공학회 電子工學會論文誌. Journal of the Korean Institute of Telematics and Electronics. T 8 Pages

대한전자공학회 電子工學會論文誌. Journal of the Korean Institute of Telematics and Electronics. T 1999, No.0 56-63 (8 pages)

임승하 저

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제어하기 위한 PWM-PFM 제어 기법을 사용하여 역률을 개선하였다. FET와 IGBT를 이용하여 본 논문에서 제시한 Boost 컨버터와 인버터 회로를 구성하였고, 제안된 Boost 컨버터의 제어 회로는 마이크로프로세서 80C196으로 구성하였다. 또한 입력 전압이 30V이고, Boost 인덕터가 1.1 mH일 때 정격 출력은 전압 50V, 전류 IA, 듀티비 (Duty Ratio) 0.5 이상으로 하였다. 부하 저항의 변화에 따른 전압 변화를 PWM-PFM 제어 기법을 이용하여 제어하였고, 전류 성형 기법을 이용하여 역률이 0.96 가지 개선됨을 실험으로써 입증하였다.
215.

비선형 해석법을 이용한 IMT2000 중계기용 1W 전력증폭기 제작 연구

전광일 대한전자공학회 電子工學會論文誌. Journal of the Institute of Electronics Engineers of Korea. TE, 전문기술교육 8 Pages

대한전자공학회 電子工學會論文誌. Journal of the Institute of Electronics Engineers of Korea. TE, 전문기술교육 2000, Vol.37 No.2 83-90 (8 pages)

전광일 저

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두 단으로 구성되어 있으며 초단은 P-HEMT (ATF-34143, 800 micron gate width, Agilent Technologies)를 사용하였으며, 종단은 GaAs FET(EFA240D-SOT89, 2400 micron gate width, Excelics Semiconductor)를 사용하였다. 개발된 전력 증폭기는 전체 주파수 대역인 1880-1980 ㎒에서 이득이 29.5㏈, 1㏈ gain compression point는 29.5dBm, 3rd order intercept point(OIP3)는 42dBm 그리고 입출력 return loss는 -10㏈/-l2㏈ 이다. 본 연구에서는 이 전력 증폭기를 설계하기 위하여 각 소자의 비선형 모델을 사용하여 전력증폭기의 여러...
216.

이중 대역 전송선로를 활용한 이중 대역 F급 전력 증폭기 개발

이창민, 박영철, Lee. Chang-Min, Park. Young-Cheol 대한전자공학회 電子工學會論文誌. Journal of the Institute of Electronics Engineers of Korea. TC, 통신 7 Pages

대한전자공학회 電子工學會論文誌. Journal of the Institute of Electronics Engineers of Korea. TC, 통신 2010, Vol.47 No.4 31-37 (7 pages)

이창민, 박영철, Lee. Chang-Min, Park. Young-Cheol 저

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위해 우선적으로 E-pHEMT FET를 사용하여 두 (840MHz, 2.4GHz) 대역에서 동작하는 각각의 단일 F급 PA를 설계하여 효율을 확인였다. 그 결과, 840MHz에서 동작하는 PA의 경우 출력 전력 24.4dBm에서 81.2%의 효율을 얻었고, 2.4GHz에서 동작하는 PA는 출력 전력 22.4dBm에서 93.5%의 효율을 얻었다. 이후 두 대역에서의 성능을 이중 대역 F급 전력증폭기에서 구현하기 위하여 이상적인 SPDT 스위치의 개념을 적용한 이중 대역 고조파 제어 회로를 설계하였다. 실제 SPDT 스위치를 적용하기 이전 단계로써 전송선로의 길이를 조절하여 이중...
217.

소스 피드백을 이용한 고이득 W-band MMIC 증폭기설계

박상민, 김영민, 고유민, 서광석, 권영우, 정진호, Park. Sang-Min, Kim. Young-Min, Koh. Yu-Min, Seo. Kwang-Seok, Kwon. Young-Woo, Jeong. Jin-Ho 대한전자공학회 電子工學會論文誌. Journal of the Institute of Electronics Engineers of Korea. TC, 통신 6 Pages

대한전자공학회 電子工學會論文誌. Journal of the Institute of Electronics Engineers of Korea. TC, 통신 2010, Vol.47 No.10 74-79 (6 pages)

박상민, 김영민, 고유민, 서광석, 권영우, 정진호, Park. Sang-Min, Kim. Young-Min, Koh. Yu-Min, Seo. Kwang-Seok, Kwon. Young-Woo, Jeong. Jin-Ho 저

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이용한 고이득 W-band 증폭기를 제시한다. W-band에서 고이득 특성을 얻기 위하여 공통 소스 FET의 소스 피드백 라인의 길이를 조절하면 설계 주파수에서 이득이 최대가 되도록 하였다. 이 라인의 길이를 조절하여 94 GHz에서 MAG를 0.8 dB 향상 시킬 수 있음을 시뮬레이션에서 확인하였다. 뿐만 아니라, 이 소스 피드백 라인은 FET의 입력 임피던스도 변화시켜 입력 정합을 용이하게 한다. 이 현상을 이용하여 공통 소스 FET 4단으로 이루어진 w-band 증폭기를 CPW로 설계하였다. 제작된 W-band 증폭기는 측정 결과 70~103 GHz에서 22.0...
218.

소스 피드백을 이용한 무선랜용 이중대역 저잡음 증폭기 설계

전현진, 최금성, 구경헌, Jeon. Hyun-Jin, Choi. Kum-Sung, Koo. Kyung-Heon 대한전자공학회 電子工學會論文誌. Journal of the Institute of Electronics Engineers of Korea. TC, 통신 6 Pages

대한전자공학회 電子工學會論文誌. Journal of the Institute of Electronics Engineers of Korea. TC, 통신 2007, Vol.44 No.7 23-28 (6 pages)

전현진, 최금성, 구경헌, Jeon. Hyun-Jin, Choi. Kum-Sung, Koo. Kyung-Heon 저

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본 논문에서는 무선 랜용 이중대역 GaAs FET 저잡음 증폭기를 설계하기 위하여 인덕턴스 소스 피드백을 이용하고 입력 단에는 이중대역 LC 공진회로를 이용하였으며, 출력단에는 Cheyshev 필터의 임피던스 변환 회로를 이용하였다. 이중대역 증폭기의 입출력정합회로 설계에 필요한 기법 및 수식들을 유도하였으며 설계된 증폭기를 제작하여 측정한 결과 시뮬레이션 결과와 유사한 측정치를 얻을 수 있었다.
219.

CPW 임피던스 변환회로를 이용한 광대역 마이크로파 SPDT 스위치

이강호, 박형무, 이진구, 구경헌, Lee. Kang Ho, Park. Hyung Moo, Rhee. Jin Koo, Koo. Kyung Heon 대한전자공학회 電子工學會論文誌. Journal of the Institute of Electronics Engineers of Korea. TC, 통신 6 Pages

대한전자공학회 電子工學會論文誌. Journal of the Institute of Electronics Engineers of Korea. TC, 통신 2005, Vol.42 No.7 57-62 (6 pages)

이강호, 박형무, 이진구, 구경헌, Lee. Kang Ho, Park. Hyung Moo, Rhee. Jin Koo, Koo. Kyung Heon 저

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본 논문에서는 마이크로파 SPDT 스위치를 GaAs pHEMT 공정을 이용하여 설계 및 제작하였다. 광대역 스위치 설계를 위하여 CPW로 구현한 임피던스 변환회로를 삽입하여 온-저항과 오프-커패시턴스를 줄임으로서 낮은 삽입손실과 높은 격리도를 갖는 구조를 구현하였다. 변환회로를 구성하는 전송선로의 소자 개수와 병렬로 삽입되는 FET의 개수는 시물레이션을 통해 최적의 값으로 설계하였다. 설계된 스위치의 측정 결과 53$~$ 61 GHz 대역에서 2.6 dB 이하의 삽입손실과 24 dB 이상의 격리도를 얻었다.
220.

평형 구조 혼변조 발생기를 이용한 전치왜곡 선형화기 설계

정형태, 김상원, 김철동, 장익수 대한전자공학회 電子工學會論文誌. Journal of the Institute of Electronics Engineers of Korea. TC, 통신 6 Pages

대한전자공학회 電子工學會論文誌. Journal of the Institute of Electronics Engineers of Korea. TC, 통신 2004, Vol.41 No.2 65-70 (6 pages)

정형태, 김상원, 김철동, 장익수 저

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위한 새로운 구조의 전치왜곡 선형화기를 제안한다. 전치 왜곡에 이용되는 3차 비선형 성분은 RF 신호의 포락선(envelope) 전력을 이용하여 발생시킨다. 3차 왜곡 성분 발생기(3rd order distortion generator)는 FET로 구성되었고, 왜곡 신호 발생 후 남아 있는 주 신호 성분 제거를 위해 평형 결합 구조를 제시하였다. 발생된 3차 혼변조 신호는 RF 대역에서 진폭과 위상을 조절함으로써 최적의 선형화 조건을 만족시킨다. 2-tone 실험결과 증폭기의3차 흔변조특성이 30～40㏈ 개선되었다. IS-95 CDMA 신호 실험 결과 인접 채널...

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