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2311.

새로운 제초성 N-phenyl-3,4-dimethylphthalimide 유도체의 정량적인 구조와 독성과의 관계 (QSTR)

성낙도, 양숙영, 강학식, Sung. Nack-Do, Yang. Sook-Young, Kang. Hak-Sik 한국농약과학회 농약과학회지 6 Pages

한국농약과학회 농약과학회지 2002, Vol.6 No.1 25-30 (6 pages)

성낙도, 양숙영, 강학식, Sung. Nack-Do, Yang. Sook-Young, Kang. Hak-Sik 저

이 논문은 한국과학기술정보연구원과 논문 연계를 통해 무료로 제공되는 원문입니다.
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관한 판별점수(DS) 및 치사율과의 관계(QSTR)를 정량적으로 검토하였다. 그 결과, 발암성은 랫트보다 마우스가 그리고 수컷보다는 암컷이 높은 경향이었다. $R_2$-기만이 변화하는 조건에서 Hansch-Fujita 식을 유도한 결과, 발암성에서 랫트 암컷을 제외한 마우스(암, 수) 및 랫트 수컷은 공통적으로 LUMO 에너지가 영향을 미치는 주 요인이었으며 마우스 암컷과 수컷의 발암성에 관한 선택성 요소는 주로 $R_2$-치환기 길이의 적정값(약 $(L)_{opt.}=5.0{AA}$)에 의존적이었다. 또한, Free-Wilson 식으로부터 $R_2$-기의 기여도는 랫트...
2312.

방사선 중합에 의한 설폰화 POF-g-Styrene 이온교환 섬유의 합성 및 암모니아 흡착

조인희, 백기완, 이창수, 노영창, 윤수경, 황택성, Cho. In-Hee, Baek. Ki-Wan, Lee. Chang-Soo, Nho. Young-Chang, Yoon. Soo-Kyung, Hwang. Taek-Sung 한국고분자학회 폴리머 7 Pages

한국고분자학회 폴리머 2007, Vol.31 No.1 1-7 (7 pages)

조인희, 백기완, 이창수, 노영창, 윤수경, 황택성, Cho. In-Hee, Baek. Ki-Wan, Lee. Chang-Soo, Nho. Young-Chang, Yoon. Soo-Kyung, Hwang. Taek-Sung 저

이 논문은 한국과학기술정보연구원과 논문 연계를 통해 무료로 제공되는 원문입니다.
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본 연구는 $Co^{60};{gamma}-ray$ 선원을 이용한 그래프트 공중합 방법으로 설폰형 이온교환 섬유를 합성하였다. 공중합체 합성 시 스티렌 단량체의 농도가 50 v/v%에서 그래프트율이 가장 높게 나타났으며, 총 조사선량이 증가할수록 그래프트율은 증가하였다. 그래프트율과 반응온도가 증가함에 따라 설폰화율은 증가하였으며, 반응시간 20분에서 가장 높았다. 이온교환 섬유의 이온교환 용량과 함수율은 설폰화율이 증가함에 따라 모두 증가하였으며, 각각 최대 4.76 meq/g, 23.5%이었다. 암모니아 흡착량은 이온교환 용량 및 암모니아...
2313.

고승압 인터리빙 CCM-ZVZCS 컨버터

박요한, 최세완, 최우진, 이교범, Park. Yo-Han, Choi. Se-Wan, Choi. Woo-Jin, Lee. Kyo-Beum 전력전자학회 전력전자학회 논문지 8 Pages

전력전자학회 전력전자학회 논문지 2011, Vol.16 No.2 114-121 (8 pages)

박요한, 최세완, 최우진, 이교범, Park. Yo-Han, Choi. Se-Wan, Choi. Woo-Jin, Lee. Kyo-Beum 저

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응용에 적합한 소프트스위칭 인터리빙 부스트 컨버터를 제안한다. 제안하는 컨버터는 동일 듀티로 기존 부스트 컨버터보다 약 2배의 승압비를 얻을 수 있고 스위치와 다이오드의 전압정격은 약 1/2로 감소되어 $R_{DS(ON)}$과 전압 강하가 작은 소자 사용으로 도통손실을 감소시킬 수 있다. 또한 수동소자의 전압정격이 감소되어 전체 에너지량도 1/2로 감소된다. 더욱이 CCM에서도 스위치의 ZVS 턴온이 가능하고 다이오드의 ZCS 턴오프 동작으로 역방향 회복에 의한 서지가 거의 없어 스위칭 손실이 감소된다. 2kW의 시작품으로 제안하는...
2314.

적외선 CVD 방법을 이용한 산화막 성장에 $NH_3$가 미치는 영향

이철승, 정관수, 김철주, Lee. Chul-Seung, Chung. Kwan-Soo, Kim. Chul-Ju 대한전자공학회 전자공학회논문지 6 Pages

대한전자공학회 전자공학회논문지 1988, Vol.25 No.11 1329-1334 (6 pages)

이철승, 정관수, 김철주, Lee. Chul-Seung, Chung. Kwan-Soo, Kim. Chul-Ju 저

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$NH_3-O_2$의 열반응에 의해 산화막을 성장시키는 새로운 방법을 소개하고, 기존의 건식산화방법을 이용한 $SiO_2$박막의 특성을 비교 설명하였다. $NH_3$의 유량에 따라서 박막의 성장비가 증가하고, 성장된 막의 구성성분이 건식산화때와 같음을 확인하였다. C-V특성곡선에서도 $Q_{OX}$와 $Q_{SS}$가 거의같았고 히스테리시스현상도 없었다. 또한 n-MOS트랜지스터를 제작하고 측정한 결과 $I_D$-$V_{DS}$특성곡선이 건식산화와 비교하여 우수함을 확인했다.
2315.

실리콘 나노와이어 MOSFET의 고주파 모델링

강인만, Kang. In-Man 대한전자공학회 電子工學會論文誌. Journal of the Institute of Electronics Engineers of Korea. SD, 반도체 6 Pages

대한전자공학회 電子工學會論文誌. Journal of the Institute of Electronics Engineers of Korea. SD, 반도체 2010, Vol.47 No.9 24-29 (6 pages)

강인만, Kang. In-Man 저

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Z-parameter를 100 GHz까지 확보하였으며 이를 이용하여 모델 파라미터에 필요한 수식을 구하였다. 모델과 파라미터 추출 수식을 이용하여 회로 검증용 tool인 HSPICE에 의하여 검증이 이루어졌으며 quasi-static 기반의 고주파 모델이 100 GHz의 높은 주파수까지도 소자의 특성을 정확히 예측함을 확인하였다. 모델 검증은 MOSFET의 포화 영역 ($V_{gs}$ = $_{ds}$ = 1 V)과 선형 영역 ($V_{gs}$ = 1 V, $V_{ds}$ = 0.5 V)의 바이어스 조건에서 이루어졌으며 두 바이어스 조건에서의 Y-parameter에 대한 모델의 오차는 약 1 %로 매우...
2316.

열처리조건에 따른 Ni기지 초합금 용접부의 기계적 특성

양성호, 박상열, 최희숙, 고원, 채나현, 김문영, Yang. Sung-Ho, Park. Sang-Yeol, Choi. Hee-Sook, Ko. Won, Chae. Na-Hyun, Kim. Moon-Young 대한기계학회 大韓機械學會論文集. Transactions of the Korean Society of mechanical engineers. A. A 7 Pages

대한기계학회 大韓機械學會論文集. Transactions of the Korean Society of mechanical engineers. A. A 2007, Vol.31 No.4 525-531 (7 pages)

양성호, 박상열, 최희숙, 고원, 채나현, 김문영, Yang. Sung-Ho, Park. Sang-Yeol, Choi. Hee-Sook, Ko. Won, Chae. Na-Hyun, Kim. Moon-Young 저

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