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The Optimal Design of Junctionless Transistors with Double-Gate Structure for reducing the Effect of Band-to-Band Tunneling
Wu. Meile, Jin. Xiaoshi, Kwon. Hyuck-In, Chuai. Rongyan, Liu. Xi, Lee. Jong-Ho 대한전자공학회 Journal of semiconductor technology and science 7 Pages
대한전자공학회 Journal of semiconductor technology and science 2013, Vol.13 No.3 245-251 (7 pages)
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해외과학기술동향
편집부 대한전기학회 전기학회지= The Processing of the Institute of Electrical Engineers 5 Pages
대한전기학회 전기학회지= The Processing of the Institute of Electrical Engineers 1982, Vol.31 No.12 823-827 (5 pages)
본고의 내용은 다음과 같다. 1. 티탄산바륨에 의한 위상공역 2. 새로운 비선형 광학재료인 유기결정과 중합체 3. 40GHZ에서 동작하는 이산형 GaAs FET소자 4. 명일의 통신망에 있어서 광교환 5. Algoma사의 슬랩주조와 컴퓨터 이용 6. 연X선에 의한 고분해능상 -
비정질반도체 재료와 응용
이정한 대한전기학회 전기학회지= The Processing of the Institute of Electrical Engineers 4 Pages
대한전기학회 전기학회지= The Processing of the Institute of Electrical Engineers 1975, Vol.24 No.6 35-38 (4 pages)
받게 되었으며 MOS형식의 FET에 이르러 신기원을 이루게 되었다. 이리하여 MOS기술은 Sapphire기반을 도입함으로써 SOS기법으로 발전을 거듭하게 되었다. 그러나 정질반도체의 이용이라는 근본적 개념에서는 이탈치못하고 있다. 이상과 같은 정질반도체소자에 대응하여 반대적 입장에서 불순물농도의 영향이 적은 비정질반도체의 연구가 70년이후 미국을 중심으로 활발하게 전개되고 있다. 그 연구 및 개발결과는 2년마다 이루어지는 액체비정질반도체국제회의에서 종합되고 있다. 이 분야에서의 연구는 1968년 Ovshinsky가 비산화물... -
해외 연구논문 초록
Hauser. L.G. 대한전기학회 전기학회지= The Processing of the Institute of Electrical Engineers 6 Pages
대한전기학회 전기학회지= The Processing of the Institute of Electrical Engineers 1972, Vol.21 No.3 57-62 (6 pages)
본고는 다음의 내용을 다루었다. 1. 장차의 발전기술 2. 장래에 있어서의 송전선로 설계 3. 전기공학의 오늘과 내일 4. 대전력아아크의 오시로그라프와 사진촬영에 의한 측정 5. 가공선고장시 서어지의 수학적 해석 6. 고체절연물중의 코로나 7. 우주용 자력계를 위한 FET저잡음증폭기 8. Analog계산기에 있어서의 몇가지 시간 스케쥴 변환법 -
전기자동차 LDC 시스템의 전도 방출에 관한 고주파 모델링 연구
정기범, 조병찬, 정연춘, Jung. Kibum, Jo. Byeong-Chan, Chung. Yeon-Choon 한국전자파학회 韓國電磁波學會論文誌 7 Pages
한국전자파학회 韓國電磁波學會論文誌 2013, Vol.24 No.8 798-804 (7 pages)
본 논문에서는 고주파 회로 모델링을 이용하여 전기자동차의 LDC로부터 방출되는 전도성 전자파 잡음을 시스템-레벨에서 분석하였다. 관련 전도 방출의 주요 원인은 LDC에서 사용하는 펄스폭 변조 방식의 100 kHz 스위칭 동작에 기인하며, 이러한 전도 방출은 공통-임피던스 결합 및 유도성 결합을 통해 AM/FM 주파수 대역에서의 무선주파수 간섭을 유발한다. 이러한 문제를 분석하기 위해 LDC를 구성하고 있는 MOSFET과 고압 커패시터, 고전압 케이블과 버스 바에 대한 기본 회로는 물론, 각 부분에서 존재하는 기생 성분 및 비선형... -
전기화학적 도금을 이용한 wrap-around 게이트 나노구조의 제작
안재현, 홍수헌, 강명길, 황성우, Ahn. Jae-Hyun, Hong. Su-Heon, Kang. Myung-Gil, Hwang. Sung-Woo 한국전기전자학회 전기전자학회논문지 6 Pages
한국전기전자학회 전기전자학회논문지 2009, Vol.13 No.2 126-131 (6 pages)
수 있는 이유로 많은 관심을 불러왔다. 본 논문에서는 실리콘 나노와이어를 이용하여 상향식의 wrap-around 전계효과 트랜지스터(FET)의 제작 공정을 소개한다. 소자의 제작 공정은 크게 전자빔 리소그래피, 유전영동(dielectrophoresis)을 이용한 나노와이어의 효과적 정렬 그리고 게이트 전극의 전기 화학적 도금(electrochemical deposition)을 이용한 생성 등의 방법들로 이루어진다. 전기 화학적 도금을 위한 용액은 독성을 띄지 않는 유기물 용액을 사용하였다. 액체 질소를 이용하여 polymethyl methacrylate(PMMA)가 전기화학적...