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차세대 노광공정용 Ta박막의 $0.2mu extrm{m}$ 미세패턴 식각특성 연구
우상균, 김상훈, 주섭열, 안진호, Woo. Sang-Gyun, Kim. Sang-Hoon, Ju. Sup-Youl, Ahn. Jin-Ho 한국재료학회 한국재료학회지 6 Pages
한국재료학회 한국재료학회지 2000, Vol.10 No.12 819-824 (6 pages)
본 연구에서는 Electron Cyclotron Resonance plasma etching system 을 이용한 Ta 박막의 미세 식각 특성을 연구하였다. 염소 plasma를 사용하여 microwave power, RF Power, working pressure, gas chemistry 등의 변화에 따른 식각 profile의 영향을 조사하였고, pattern density가 증가함에 따라 발생하는 microloading 현상을 $0.2{mu extrm{m}}$ 이하의 패턴에서 확인 하였다. 이를 개선하기 위하여 식각 과정을 두 단계로 분리하는 2단계 식각 공정을 수행하였으며 이를 통해 우수한 식각 profile을 얻을 수 있었다. -
PECVD에 의한 YSZ(Yttria Stabilized Zirconia)박막 제조
김기동, 신동근, 조영아, 전진석, 최동수, 박종진, Kim. Gi-Dong, Sin. Dong-Geun, Jo. Yeong-A, Jeon. Jin-Seok, Choe. Dong-Su, Park. Jong-Jin 한국재료학회 한국재료학회지 6 Pages
한국재료학회 한국재료학회지 1999, Vol.9 No.3 234-239 (6 pages)
PECVD(Plasma enhanced chemical vapor deposition)을 이용하여 yttria-stabilized zirconia(YSZ) 박막을 제조하였다. 반응물질로 금속유기화합물을 $Zr[TMHD]_4$와 $Y[TMHD]_3$그리고 산소를 사용하였으며, 증착온도는 $425^{circ}C$, rf power는 0~100W까지 적용하였다. YSZ 박막은 (200)면이 기판에 평행한 입벙정상 구조를 가졌으며, 1시간 내에 $1mu extrm{m}$ 두께를 형성하였다. EDX에 의한 막의 성분분석 결과로부터 환산된 박막내의 $Y_2O_3$의 함량은 0-36%의 범위였다. 버블러의 온도 및 운반기체의 유량이 증가함에 따라... -
전처리가 TiN 기판위의 Cu막의 특성에 미치는 효과
권영재, 이종무, Gwon. Yeong-Jae, Lee. Jong-Mu 한국재료학회 한국재료학회지 6 Pages
한국재료학회 한국재료학회지 1996, Vol.6 No.1 124-129 (6 pages)
처리>>HF dip> RF remote plasma의 순이었다. 특히 Pd-HF 활성화 처리를 해줄 경우 거의 완전한 연속막을 얻을수 있었으며 scotch tape peel test 결과 매우 양호한 부착특성을 보였으나, 이에 비해 전처리를 해주지 않은 경우에는 오랜 시간이 경과되어도 연속막으로 성장하지 못하고 섬모양의 큰 결정립을 이룰 뿐이었다. 이러한 차이는 Pd-HF 활성화 처리에 의해 표면에 미세하게 형성된 Pd층이 구리의 핵생성과 부착특성을 크게 향상시켰기 때문인 것으로 사료되며 이러한 효과는 무전해 도금의 경우에도 마찬가지였다.... -
30MHz 이하 무선 서비스에 대한 전자기기의 잠재적 간섭 영향
윤혜주, 이일규, Yun. Hye-Ju, Lee. Il-Kyoo 한국인터넷방송통신학회 한국인터넷방송통신학회 논문지 5 Pages
한국인터넷방송통신학회 한국인터넷방송통신학회 논문지 2013, Vol.13 No.2 269-273 (5 pages)
본 논문은 대표적인 전파응용기기로 알려진 PDP(Plasma Display Panel) TV와 RF(Radio Frequency) 전구가 30MHz 이하 무선 서비스에 대한 전자기기의 잠재적 간섭 영향을 분석한 것이다. PDP TV와 RF 전구의 방사 크기를 전자파무반사실에서 측정하였고 이를 바탕으로 다수의 간섭 신호가 존재하는 경우에 결합된 간섭신호의 크기를 계산하였다. 분석 결과, 간섭원의 수에 따라 결합된 간섭 신호의 크기가 증가되는 경향을 확인하였다. 실험을 통해 얻어진 전자기기의 방사 측정값과 CISPR(International Special Committee on Radio... -
대기압 비평형 플라스마의 발생 및 규소(Si)식각에의 응용
이봉주, Lee. Bong-Ju 한국세라믹학회 한국세라믹학회지 4 Pages
한국세라믹학회 한국세라믹학회지 2002, Vol.39 No.4 409-412 (4 pages)
정상적으로 저온 플라스마가 발생 가능한 장치를 개발했다. 개발한 장치는 접지전극을 유전체로 피복한 용량결합형 전극구조로 되어 있다. rf(13.56 M Hz)을 여기 원으로서 사용한 아르곤(Ar) 또는 헬륨(He)은 플라스마 가스로서 사용했다. 발생한 플라스마는 발광분광법, 플로브 진단법에 의해 특성을 검토했다. 그 결과 전자온도>여기온도>가스온도 관계에 있는 비평형 상태의 플라스마였다. 본 장치를 사용하여 발생한 플라스마에 반응가스(CF4)을 첨가해서 대기 개방 계에서 Si(100)식각($1.5{mu}m$/min)에 적용하여 높은... -
ICPHFCVD에 의한 탄소나노튜브의 수직 배향과 에칭을 이용한 Ni-tip의 제거
김광식, 장건익, 장호정, 류호진 한국마이크로전자및패키징학회 마이크로전자 및 패키징 학회지 6 Pages
한국마이크로전자및패키징학회 마이크로전자 및 패키징 학회지 2002, Vol.9 No.4 55-60 (6 pages)
본 연구는 $580^{circ}C$의 저온에서 ICPHFCVD(inductively coupled plasma hot filament chemical vapor deposition)를 이용하여 탄소나노튜브를 수직성장 시키는 것을 나타낸 것이다. 또한, 탄소나노튜브의 끝단에 존재하는 Ni-tip을 비성질 탄소같은 탄소질 물질등의 서로 다른 에칭특성에 기초하여 RF plasma를 이용하여 일회 공정으로 불순물을 정제하고, 고찰하였다. 정제된 이후의 탄소나노튜브는 속이 비어있는 다중벽 탄소나노튜브로 나타났으며, 성장된 탄소나노튜브는 외경과 내경은 50 nm와 25 nm였다. 또한, 탄소나노튜브의... -
유도결합 C1$_2$/CF$_4$/Ar 플라즈마를 이용한 CeO$_2$ 박막 식각후 표면반응
이병기, 김남훈, 장윤성, 김경섭, 김창일, 장의구 한국마이크로전자및패키징학회 마이크로전자 및 패키징 학회지 5 Pages
한국마이크로전자및패키징학회 마이크로전자 및 패키징 학회지 2002, Vol.9 No.2 27-31 (5 pages)
본 연구에서는 ICP 식각장비에서 700 W의 RF전력과 -200 vo1t의 dc 바이어스 전압 및 15 mTorr의 반응로 압력에서 $Ar/CF_2$ 혼합가스에 $C1_2$가스를 첨가하면서 $CeO_2$ 박막을 식각하였다 최대식각 속도는 10%의 $C1_2$ 가스를 첨가하였을 시에 250 $AA$/min이었고, 이 조건에서 SBT에 대한 식각 선택비는 0.4이었다. XPS를 이용하여 식각된 $CeO_2$ 박막의 표면반응을 검토하였다. Ce 피크는 대부분 $CeO_2$또는 $Ce_2O_3$형태로 Ce-O 결합상태임을 관찰할 수 있었다. 대부분의 Cl 피크는 CeClx 또는 $Ce_x/O_yCl_z$ 형태로 Ce 원자와... -
플라즈마 중합에 의한 타이어 코드의 접착성 향상연구
김륜관, 강현민, 손봉영, 한민현, 윤태호, Kim. R.K., Sohn. B.Y., Han. M.H., Kang. H.M., Yoon. T.H. 한국고무학회 엘라스토머 7 Pages
한국고무학회 엘라스토머 1999, Vol.34 No.2 128-134 (7 pages)
타이어 코드용 강철선을 RF 플라즈마를 이용한 acetylene 및 butadiene 가스의 플라즈마 중합으로 코팅하였으며, 타이어용 고무와의 접착력을 TCAT 또는 T-test로 측정하였다. 강철선의 접착력은 사용된 gas, plasma power, 코팅시간 및 가스 압력에 따라 측정하였으며, 플라즈마 중합에 앞서 Ar 플라즈마 에칭으로 타이어 코드를 세척하였다. 또한 $80^{circ}C$의 증류수에서 7일간 노화시켜 접착력 저하를 고찰하였으며, 접착력 시험 후 타이어 코드 표면을 SEM으로 분석하여 파괴거동을 규명하고자 하였다. 가장 우수한 접착력은... -
유도 열플라즈마를 이용한 카본나노시트 합성
이승용, 고상민, 구상만, 황광택, 한규성, 김진호, Lee. Seung-Yong, Ko. Sang-Min, Koo. Sang-Man, Hwang. Kwang-Taek, Han. Kyu-Sung, Kim. Jin-Ho 한국결정성장학회 한국결정성장학회지 6 Pages
한국결정성장학회 한국결정성장학회지 2014, Vol.24 No.5 207-212 (6 pages)
2차원 흑연구조를 갖는 카본나노시트는 큰 비표면적과 우수한 전기적, 화학적 및 기계적 물성으로 인하여 미래소재로 각광받고 있다. 경제적이고 쉬운 카본나노시트의 양산공정개발을 위해 본 연구에서는 메테인($CH_4$)과 프로페인($C_3H_8$) 가스를 이용한 유도 열플라즈마 공정을 통해 기상 합성하여 카본나노시트 분말을 합성하였다. 유도 열플라즈마를 이용한 카본나노시트 합성은 촉매나 증착공정 없이 진행되었으며, 합성된 카본나노시트의 물성을 TEM, Raman, XRD, BET로 분석하였다. 메테인과 프로페인으로부터 합성된 카본... -
유도결합 열 플라즈마를 이용한 고순도 질화알루미늄 나노 분말 합성
김경인, 최성철, 한규성, 황광택, 김진호, Kim. Kyung-In, Choi. Sung-Churl, Han. Kyu-Sung, Hwang. Kwang-Taek, Kim. Jin-Ho 한국결정성장학회 한국결정성장학회지 7 Pages
한국결정성장학회 한국결정성장학회지 2014, Vol.24 No.1 1-7 (7 pages)
뛰어난 열적, 전기절연성 특성을 갖고 있어 반도체 기판용 재료나 전자 패키징 재료로 주목받고 있다. 질화알루미늄은 소결온도가 높고 불순물로 인한 물성저하 때문에 고순도화 및 나노원료화가 필수적이다. 본 연구에서는 RF 유도결합 열플라즈마를 이용하여 알루미늄 분말로부터 고순도의 질화알루미늄 나노분말을 합성하였다. Sheath gas로 사용된 암모니아의 유량 제어를 통해 고순도의 질화알루미늄 나노분말이 합성되는 조건을 확립하고자 하였으며 합성된 분말은 XRD, SEM, TEM, BET, FTIR, N-O분석을 통해 특성분석을...