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271.

노르말부텐으로부터 $C_9$-알데히드 합성에 관한 연구

전종기, 박성기, 박영권, Jeon. Jong-Ki, Park. Seong-Ki, Park. Young-Kwon 한국청정기술학회 청정기술 8 Pages

한국청정기술학회 청정기술 2008, Vol.14 No.3 176-183 (8 pages)

전종기, 박성기, 박영권, Jeon. Jong-Ki, Park. Seong-Ki, Park. Young-Kwon 저

이 논문은 한국과학기술정보연구원과 논문 연계를 통해 무료로 제공되는 원문입니다.
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본 연구의 목적은 노르말부텐을 이용하여 혼합옥텐을 합성하는 촉매와, 혼합옥텐을 합성가스와 함께 수소 포르밀 반응을 통해서 $C_9$-알데히드를 제조하기 위한 촉매를 개선하고자 하는 것이다. 노르말부텐의 이량화 반응을 위한 $Ni/A1_{2}O_3$ 촉매를 in-line 상태로 활성화 용액을 순환시키는 방법이 효과적이었다. 촉매의 비활성화의 원인을 분석한 결과, 이량화 반응실험에서 oligomer에 의한 촉매의 비활성화는 단순한 물리흡착 상태 또는 촉매의 세공 입구를 올리고머가 막는 현상 등에 의하여 반응활성점들이 반응에 참여하지...
272.

진공증착법에 의해 제작된 Cd2GeSe4와 Cd2GeSe4:Co2+ 박막의 물리적 특성

이정주, 성병훈, 이종덕, 박창영, 김건호, Lee. Jeoung-Ju, Sung. Byeong-Hoon, Lee. Jong-Duk, Park. Chang-Young, Kim. Kun-Ho 한국진공학회 韓國眞空學會誌 9 Pages

한국진공학회 韓國眞空學會誌 2009, Vol.18 No.6 459-467 (9 pages)

이정주, 성병훈, 이종덕, 박창영, 김건호, Lee. Jeoung-Ju, Sung. Byeong-Hoon, Lee. Jong-Duk, Park. Chang-Young, Kim. Kun-Ho 저

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진공증착법으로 $Cd_2GeSe_4$와 $Cd_2GeSe_4:Co^{2+}$ 박막을 ITO(indium tin oxide) 유리 기판 위에 제작하였다. 결정화는 증착된 박막들을 질소분위기의 전기로에서 열처리함으로서 이룰 수 있었다. X-선 회절 분석에 의하여 증착된 $Cd_2GeSe_4$와 $Cd_2GeSe_4:Co^{2+}$ 박막의 격자상수는 $a;=;7.405;{AA}$, $c;=;36.240;{AA}$와 $a;=;7.43;{AA}$, $c;=;36.81;{AA}$로서 능면체(rhombohedral) 구조이었고, 열처리 온도를 증가함에 따라 (113)방향으로 선택적으로 성장됨을 알 수 있었다. 열처리 온도를 증가시킴에 따라 입계 크기가...
273.

PEALD 장치 제작 및 Co박막 증착

이두형, 노승정, Lee. D.H., Noh. S.J. 한국진공학회 韓國眞空學會誌 6 Pages

한국진공학회 韓國眞空學會誌 2007, Vol.16 No.2 110-115 (6 pages)

이두형, 노승정, Lee. D.H., Noh. S.J. 저

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Atomic layer deposition(ALD)에 유도결합 플라즈마 소스를 채용하여 plasma enhanced ALD(PEALD)장치를 제작하고 플라즈마 발생 실험을 수행하였다. ALD와 PEALD를 이용하여 기판온도 $230^{circ}C$에서 p-type Si(100)기판 위에 Co박막을 증착하였다. 이때, $Co_{2}(CO)_{6}$을 Co전구체로, 암모니아를 반응가스로, 아르곤을 캐리어(carrier) 및 퍼지(purge)가스로 사용하였다. 증착된 Co박막의 구성성분과 박막의 두께를 auger electron spectroscopy(AES)와 field emission scanning electron microscopy(FESEM)을 이용하여...
274.

$Ag_2CdSnSe_4$ 및 $Ag_2CdSnSe_4:Co^{+2}$단결정의 광학적 특성

이충일 한국진공학회 韓國眞空學會誌 6 Pages

한국진공학회 韓國眞空學會誌 2001, Vol.10 No.1 16-21 (6 pages)

이충일 저

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광학적 특성을 조사하였다. 성장된 결정들은 wurtzite 결정구조로서 격자상수는 각각 a = 4.357 $AA$, c = 7.380 $AA$($Ag_2CdSnSe_4$:$CO^{2+}$)이었다. 298k에서의 광 흡수 측정으로부터 구한 에너지 띠 간격은 순수한 $Ag_2$CdSnSe의 경우 1.21eV, cobalt 불순물로 첨가한 $Ag_2CdSnSe_4$의 경우 1.02ev이었으며, cobalt를 불순물로 첨가함에 따라 190meV의 에너지 띠 간격의 감소를 보였다. $Ag_2CdSnSe_4$ 결정의 광 흡수 스펙트럼에서 4개의 흡수 피크들을 관측하였으며, 이들 피크 들은 $T_d$결정장내에서 스핀 - 궤도결합효과에...
275.

$ZnIn_2Se_4$ 및 $ZnIn_2Se_4$:Co 단결정의 광학적 특성

최성휴, 방태환, 박복남 한국진공학회 韓國眞空學會誌 7 Pages

한국진공학회 韓國眞空學會誌 1997, Vol.6 No.2 129-135 (7 pages)

최성휴, 방태환, 박복남 저

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imes10^{-4}$eV/K 및 $eta$=421K로 각각 주어졌다. 또한 간접전이 energy gap의 온도계수는 ZnIn2Se4 단결정의 경우는 $alpha=2.31 imes10^{-4}$eV/K 및 $eta$=285K이며, $ZnIn_2Se_4$:Co 단결정의 경우는 $alpha=3.71 imes10^{-4}$eV:K와 $eta$=609K이였다. $ZnIn_2Se_4$:Co 단결정에서 cobalt 불순물에 기인한 6개의 불순물 광흡수 peak가 나타났다. 이 들 불순물 광흡수 peak들은 불순물로 첨가된 cobalt가 모체별정의 $T_d$ symmetry site에 $CO^{2+}$ion으로 위치하고, $CO^{2+}$ion의 분리된 전자에너지 준위들 사이의 전자전이에...
276.

Aluminum을 포함한 삼원화합물 반도체의 합성 및 단결정 성장과 광학적 특성 규명에 관한 연구 II -$ZnAl_2S_4,;;ZnAl_2Se_4,;;CdAl_2S_4,;;CdAl_2Se_4$ 를 중심으로-

김화택, 윤창선, 김창대, 최성휴, 진문석, 박태영, 박광호 한국진공학회 韓國眞空學會誌 11 Pages

한국진공학회 韓國眞空學會誌 1997, Vol.6 No.1 50-60 (11 pages)

김화택, 윤창선, 김창대, 최성휴, 진문석, 박태영, 박광호 저

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순수한 $ZnAl_2S_4,;ZnAl_2Se_4,;CdAl_2S_4,;and;CdAl_2Se_4$ 및 cobalt와 erbium을 불순물로 첨가 한 이들 단결정을 화학수송법으로 성장시켰다. 성장된 단결정의 결정구조, 격자상수, 광학적 energy gap, photoluminescence 특성 등을 측정하여 광학적 전이 기구를 규명하였다.
277.

$I^B-AI-VI^B_2$ 및 $I^B-AI-VI^B_2 :Co^{2+}$결정의 광학적 특성연구

김화택, 김창대, 윤창선, 진문석, 최성휴 한국진공학회 韓國眞空學會誌 8 Pages

한국진공학회 韓國眞空學會誌 1995, Vol.4 No.3 334-341 (8 pages)

김화택, 김창대, 윤창선, 진문석, 최성휴 저

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chemical transport reaction method로 성장시켰다. 성장된 결정의 결정구조는 chalcopyrite 구조였으며, energy gap은 direct band gap으로 3.514~1.814 eV 정도로 주어졌으며, cobalt를 불순물로 첨가할 때 energy gap은 감소하였다. IB-AI-VIB2 :Co2+ 결정에서 첨가된 cobalt가 모체결정의 Td symmetry site에 Co2+ ion으로 위치하여, Co2+ ion의 energy 준위 사이의 전자전이에 기인하는 불순물 광흡수 peaks가 나타났다. 이 불순물 광흡수 peaks에 결정장 이론을 적용하여 구산 1st-order spin-orbit coupling parameter(λ)는 -18...
278.

$Cd_{1-x}Co_xIn_2Se_4$ 결정의 XPS 분석

최성휴 한국진공학회 韓國眞空學會誌 5 Pages

한국진공학회 韓國眞空學會誌 1994, Vol.3 No.3 355-359 (5 pages)

최성휴 저

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selenium에 대한 XPS spectrum으 로부터 결합에너지와 결합상태를 조사하였다. Cd1-xCoxIn2Se4결정과 결합하지 안는 각 성분원소인 cadium cobalt imdium 그리고 selenium에 대한 core level의 XPS spectrum과 비교하면 각 성분원소상 이의 결합에 의한 chemical shift 현상 때문에 core level의 결합에너지가 0.10~4.87 eV 차이가 있다. Cd1-xCoxIn2Se4 결정에서 Co 2P3/2 core level의 주 peak와 statellite peak와의 결합에너지 차이로부터 cadmium과 치화된 cobalt는 Co2+ ion으로 Td symmetry 점에 위치함을 알 수 있다.
279.

$CuAl_{1-x}Ga_xSe_2$ 및 $CuAl_{1-x}Ga_xSe_2 : Co^{2+}$ 단결정의 광학적 특성

진문석, 김화택 한국진공학회 韓國眞空學會誌 9 Pages

한국진공학회 韓國眞空學會誌 1994, Vol.3 No.3 346-354 (9 pages)

진문석, 김화택 저

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Co2+ 단결정을 iodine을 수송물질로 사용한 화학수송법으로 성장시켰 다. source material로는 CuAl1-xGaxSe2 의 화학조성비에서 Se를 3.0mol% 과잉으로 첨가하여 합성한 ingot를 사용하였으며 불순물이 첨가된 CuAl1-xGaxSe2:Co2+ 단결정성장시에는 source ma-terial 에 cobalt 분말을 2.0mol% 첨가하였다. X-선 회절무늬로부터 성장된 단결정들이 chalcopyrite 결정구조를 하고 있음을 확인하였으며 격자상수를 구하였다. 광흡수 spectra 측정으로부터 성장된 단결정에서 나타 는 cobalt 불순물에 의한 광흡수 peak가 Td...
280.

$Cd_{1-x}Co_xIn_2Se_4$단결정의 광학적 Energy Gaps

최서휴 한국진공학회 韓國眞空學會誌 8 Pages

한국진공학회 韓國眞空學會誌 1994, Vol.3 No.2 239-246 (8 pages)

최서휴 저

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조성$chi$가 증가함에 따라 약간씩 감소하였다. 기초 흡수단 영역에서의 광흡수 spectra 측정에서 이 단결정들은 간접전이 및 직접전이 및 직접전이 energy gap을 갖고 있으며 이들 energy gap의 조성의존성은 조성이 $chi$=0.00에서 $chi$=0.016까지는 기울기가 같고 $chi$=0.016에서 기울 기가 변화되어서 $chi$=0.016에서 $chi$=0.50까지는 같은 기울기를 갖고 있다. 이러한 현상은 $chi$=0.016에서부터 CdIn2Se4 내에 cobalt를 포함한 새로운 물질이 형성되고 이 물질과 a-CdIn2Se4 사이에 고체고용체를 형 성하기 때문이다.

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