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0.05pb($Sn_{0.5}Sb_{0.5}O_3-xPbTiO_3-yPbZrO_3$계에서 PT/PZ비 변화에 따른 전기적 특성
황학인, 박준식, 오근호 한국결정성장학회 한국결정성장학회지 10 Pages
한국결정성장학회 한국결정성장학회지 1997, Vol.7 No.4 589-598 (10 pages)
7.52g/$ extrm {cm}^3$에서 7.82g/$ extrm {cm}^3$의 값으로 증가되는 경향을 나타내었으나 분극처리 후의 유전상수는 1147에서 193으로 감소되었고, 전 조성범위에서 1 % 이하의 낮은 유전손실값을 나타내었다. PT/PZ비가 1에 근접할수록 $K_{p}$ 값이 증가되었으며, PT/PZ가 0.45/0.50인 경우 48.2 %로 가장 큰 $K_p$값을 나타내었으나, 초전계수는 PT/PZ비가 0.l1/0.84에서 0.0541 C/$m^2$K로 가장 큰 값을 나타내었다. 동 시편를 두께 100 um로 박판 가공하여 TO-5 package에 적용시켜 적외선에 대한 감도 특성을 측정한 결과 1.5 V의... -
KTP$(KTiOPO_4)$ 단결정의 육성에 관한 연구
차용원, 최원웅, 장지연, 오근호, 김판채 한국결정성장학회 한국결정성장학회지 6 Pages
한국결정성장학회 한국결정성장학회지 1993, Vol.3 No.1 12-17 (6 pages)
$350~450^{circ}C$의 측정 온도범위에서 positive이었다. 양질의 종자결정은 380~430^{circ}C$ 의 온도범위에서 수평온도 구배법에 의해 얻을 수 있었다. 종자결정의 육성에 있어 큰 성장속도를 나타내는 수열조건은 다음과 같다. 즉, 육성방법;수직온도 구배법, 수열용매;4m의 KF 또는 $K_2HPO_4$용액, 온도범위;$400~450^{circ}C$, 압력범위;$1000~1500kg/cm^2$이며 이때 KTP의 용해도는 결정성장에 충분하였다. 이상과 같은 수열조건하에서 KTP종자결정은 c축 방향으로 약 0.06~0.08mm/day의 성장속도를 나타내었다. 그리고 육성결정의 형태는... -
기체상태에서의 오존$(O_3)$과 삼산화황$(SO_3)$의 반응연구
권영식, Kwon. Young Sik 대한화학회 대한화학회지 8 Pages
대한화학회 대한화학회지 1992, Vol.36 No.5 644-651 (8 pages)
분자 반응에 대한 명백한 증거는 발견되지 않았고 빠른 반응속도는 $O_3;＋;HX;{ ightarrow};OH;＋;O_2;＋;X$로 시작되는 연쇄반응을 일으키게 하는 $SO_3$ 반응물에 포함된 불순물(HX) 때문인 것 같고 또한 삼산화황은 더 큰 충돌직경을 가지고 있어 그것이 오존의 열적분해를 더욱 더 빠르게 하는 이유인 것으로 사료된다. 제안된 오존과 삼산화황의 실험속도식; $[-d(O_3)/dt];=;k_a(SO_3)(O_3);＋;k_b(O_3)^{3/2}$과 반응속도 상수 ; $k_a(M^{-1} s^{-1});=;(1.55;{pm};0.67);{ imes};105;e-{(9.270 {pm}0.43)kcal/RT}$을 얻었다. -
$(Bi,;Sb)_2;(Te,;Se)_3$계 박막의 열전 특성 및 온도 센서로의 응용
한승욱, 김일호, 이동희 한국진공학회 韓國眞空學會誌 8 Pages
한국진공학회 韓國眞空學會誌 1997, Vol.6 No.1 69-76 (8 pages)
전기전도도, carrier 농도 및 이동도, 열전도도, 성능지수의 변화 등 열-전기적 특성을 조사하였다. 473K에서, 1시간 진공 열처리한 결과 p형과 n형의 성능지구는 각각 $1.3{ imes}10^{-3}K^{-1}$ 및 $0.3{ imes}10^{-3}K^{-1}$으로 향상되었으며 두께에 크게 의존하지 않았 다. 이런 성질을 갖는 열전 박막을 소자화한 박막 온도 센서를 유리와 Teflon기판 위에 제 조하였으며, 이들의 온도 변화에 대한 열기전력, 민감도 및 시간 상수 등 센서 특성을 측정 하였다. p 및 n형의 leg 폭 1mm$ imes$길이 16mm인 박막 온도 센서의... -
위상이동 방법에 의한 다결정 $Ir/H_2SO_4$ 수성 전해질 계면에서 과전위 수소흡착에 관한 해석
천장호, 문경현, Chun. Jagn Ho, Mun. Kyeong Hyeon 한국전기화학회 전기화학회지 6 Pages
한국전기화학회 전기화학회지 2000, Vol.3 No.2 109-114 (6 pages)
heta)$ 변화율$[Delta(-phi)/{Delta}E,;{Delta}{ heta}/{Delta}E]$을 비교 및 제시하였다. 지연되는 위상이동$(-phi)$은 음전위(E) 및 주파수(f)에 따르며, $phi=tan^{-1}[1/2{pi}f(R_s+R_F)C_P]$이다. 중간주파수(1 Hz)에서 위상이동 변화$(-phi;vs.;E)$는 Langmuir흡착등온식 $( heta;vs.;E)$의 결정에 적용할 수 있는 실험적인 방법이다. 다결정 Ir/0.1 M $H_2SO_4$ 전해질 계면에서 수소의 흡착평형상수(K)와 흡착표준자유에너지 $({Delta}G_{ads})$는 각각 $2.0 imes10^{-4}$와 21.1kJ/mol이며 과전위 수소흡착(OPD H)에 기인한다. -
$Pt/H_2SO_4$ 전해질 계면에서 교류임피던스 측정과 위상이동 방법에 의한 Langmuir 흡착등온식 해석
천장호, 조성칠, 손광철, Chun. Jang Ho, Cho. Sung Chil, Son. Kwang Chul 한국전기화학회 전기화학회지 4 Pages
한국전기화학회 전기화학회지 1999, Vol.2 No.1 23-26 (4 pages)
교류임피던스 측정과 위상이동 방법을 사용하여 Langmuir 흡착등온식을 정성적으로 해석하였다. 위상이동$(phi)$은 음전위(E<0)와 주파수(f)에 따르며, Pt 일전극(음극)에 흡착된 수소원자$(H_{ads})$의 표면피복율$( heta)$에 반비례한다. 중간주파수대$(1~100 Hz)$에서 위상이동 변화$(phi;vs.;E)$는 Langmuir 흡착등온식$( heta;vs.;E)$의 계산과 해석에 사용할 수 있는 실험적인 방법이다. $Pt/0.1M;H_2SO_4$ 전해질 계면에서 흡착평형상수(K)와 표준자유에너지$({Delta}G_{ads})$는 각각 $3 imes10^{_4}$와 20.1kJ/mol이다. -
압출-소결법으로 제조된 $(Bi,Sb)_2(Te,Se)_3$계 열전재료의 특성
지철원, 김일호, 이동희, Ji. Cheol-Won, Kim. Il-Ho, Lee. Dong-Hui 한국재료학회 한국재료학회지 8 Pages
한국재료학회 한국재료학회지 1999, Vol.9 No.5 520-527 (8 pages)
공정에 대하여 연구하였다. $(Bi,Sb)_2(Te,Se)_3$계 압출-소결재를 제조함에 있어 제조 변수를 적절히 조절하여 건전한 표면과 미세조직을 갖는 고밀도의 소결재를 얻을 수 있었다. p형 재료의 경우 Te 도핑량이 증가함에 따라 Seebeck 계수가 증가하였으며 3 at% Te을 첨가한 경우 상온에서의 열전 성능 지수가 $2.5 imes10^{-3}/K$를 나타내었다. 한편 n형 재료의 경우 0.16 mol% $SbI_3$를 도핑한 시편에서 $1.8 imes10^{-3}/K$의 열전 성능지수를 보였다. p형 및 n형 재료 모두 압출 방향에 수직한 방향보다 평행한 방향으로의 운반자... -
$Bi_{2}Se_{3}$ 함량에 따른 Bi$_{2}$(Te$_{1-x}$Se$_{ x}$)$_{3}$
김희정, 오태성, 현도빈, Kim. Hee-Jeong, Oh. Tae-Sung, Hyun. Do-Bin 한국재료학회 한국재료학회지 5 Pages
한국재료학회 한국재료학회지 1998, Vol.8 No.5 408-412 (5 pages)
변화거동을 분석하였다. 기계적 합금화로 제조한 $ Bi_{2}$(Te$_{1-x}$ $Se_{x}$$_{3}$ 가압소결체는 단결정과는 달리 donor dopant의 첨가없이도 n형 전도를 나타내었다. $Bi_2(Te_{0.85}Se_{0.15})_3$ 합금분말을 (50%H$_{2}$+50% Ar)분위기 중에서 환원처리하여 가압소결시, 분말 효면의 산화층 제거와 과잉 Te 공격자의 소멸에 기인한 전자 농도의 감소로 p형으로 천이되었다. 기계적 합금화로 제조한 $ Bi_{2}$($Te_{1-x}$ $Se_{x}$$_{3}$가압소결체는 x=0.15조성에서 $1.92{ imes}10^{-3}$ K의 최대 성능지수를 나타내었다.