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유기금속기상증착법에 의한 InGaN/GaN 양자점 구조의 성장거동
정우광, 장재민, 최승규, 김진열, Jung. Woo-Gwang, Jang. Jae-Min, Choi. Seung-Kyu, Kim. Jin-Yeol 한국재료학회 한국재료학회지 7 Pages
한국재료학회 한국재료학회지 2008, Vol.18 No.10 535-541 (7 pages)
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LED 공정스크랩으로부터 Ga 회수를 위한 침출 거동 연구
박경수, 강이승, 이찬기, 엄성현, 홍현선, 심종길, 박정진, Park. Kyung-Soo, Kang. Lee Seung, Lee. Chan Gi, Uhm. Sunghyun, Hong. Hyun Seon, Shim. Jong-Gil, Park. Jeun 한국공업화학회 공업화학 4 Pages
한국공업화학회 공업화학 2014, Vol.25 No.4 414-417 (4 pages)
습식제련 기술을 통한 Ga의 재활용을 위해 고결정성 GaN으로 구성되어 있는 LED 공정스크랩의 침출 거동을 연구하였다. 고결정성 GaN은 산성 및 염기성 조건에서 매우 안정하여 침출이 어려운 물질로 알려져 있다. 따라서, 본 연구에서는 볼밀링을 통해 원료와 $Na_2CO_3$를 1:1 비율로 섞은 후 관상로를 이용해 $1000-1200^{circ}C$에서 열처리 하여 산화물로의 상변화를 유도하였다. 열처리 결과로써, $1100^{circ}C$에서 GaN은 약 73 wt%의 Ga을 포함하는 산화물로 상변화 되었다. 이러한 열처리 샘플은 $100^{circ}C$ 4 M HCl에서... -
Characterization of GaN thick layer grown by the HVPE: Comparison of horizontal with vertical growth
Lai. Van Thi Ha, Jung. Jin-Huyn, Oh. Dong-Keun, Choi. Bong-Geun, Eun. Jong-Won, Lim. Jee-Hun, Park. Ji-Eun, Lee. Seong-Kuk, Yi. Sung, Shi 한국결정성장학회 한국결정성장학회지 4 Pages
한국결정성장학회 한국결정성장학회지 2008, Vol.18 No.3 101-104 (4 pages)
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X-대역 GaN HEMT Bare-Chip 펄스-전압 펄스-RF 수동 로드-풀 측정
신석우, 김형종, 최길웅, 최진주, 임병옥, 이복형, Shin. Suk-Woo, Kim. Hyoung-Jong, Choi. Gil-Wong, Choi. Jin-Joo, Lim. Byeong-Ok, Lee. Bok-Hyung 한국ITS학회 韓國ITS學會 論文誌 7 Pages
한국ITS학회 韓國ITS學會 論文誌 2011, Vol.10 No.1 42-48 (7 pages)
(Gallium Nitride High Electron Mobility Transistor) bare-chip을 이용하여 X-대역에서 수동로드 풀(Passive load-pull)을 수행하였다. 열로 인한 특성 변화가 최소화 된 동작 조건을 얻기 위해 드레인 바이어스 전압과 입력 RF 신호를 펄스로 인가하였다. 전자기장 시뮬레이션과 회로 시뮬레이션을 병행하여, 와이어 본딩 효과를 고려하여 드레인 경계면에서의 정확한 임피던스 정합 회로를 구현하였다. 임피던스를 변화시키기 위해 마이크로스트립 라인 스터브의 길이가 조절 가능한 회로를 설계하였다. 펄스 로드 풀 실험 결과 8.5... -
GaN HEMT를 이용한 광대역 고효율 Class-J 모드 전력증폭기 설계
김재덕, 김형종, 신석우, 김상훈, 김보기, 최진주, 김선주, Kim. Jae-Duk, Kim. Hyoung-Jong, Shin. Suk-Woo, Kim. Sang-Hoon, Kim. Bo-Ki, Choi. Jin-Joo, Kim. Sun-Joo 한국ITS학회 韓國ITS學會 論文誌 8 Pages
한국ITS학회 韓國ITS學會 論文誌 2011, Vol.10 No.5 71-78 (8 pages)
본 논문은 GaN HEMT (Gallium Nitride High Electron Mobility Transistor)를 이용하여 Class-J 모드를 적용한 고효율, 광대역 특성을 갖는 전력증폭기를 설계 및 제작하였다. 제안된 Class-J 모드 전력증폭기의 정합회로는 2차 고조파 임피던스가 리액턴스 성분만 갖도록 하였으며, 1.4 ~ 2.6 GHz 주파수대역내에서 연속파 (CW) 신호를 사용하여 $40{pm}1$ dBm의 출력 전력과 50 % 이상의 전력부가효율 (Power-Added Efficiency, PAE) 및 60 % 이상의 드레인 효율 (Drain Efficiency, DE)이 측정되었다. -
GaN HEMT를 이용한 고효율 스위칭 모드 도허티 전력증폭기 설계
최길웅, 김형종, 최진주, 김선주, Choi. Gil-Wong, Kim. Hyoung-Jong, Choi. Jin-Joo, Kim. Seon-Joo 한국ITS학회 韓國ITS學會 論文誌 8 Pages
한국ITS학회 韓國ITS學會 論文誌 2010, Vol.9 No.5 72-79 (8 pages)
Gallium Nitride High Electron Mobility Transistor)를 이용하여 Class-E 스위칭 모드를 적용한 S-대역 레이더용 고효율 스위칭 도허티 전력증폭기를 설계 및 제작하였다. 제안된 도허티 전력증폭기는 캐리어 증폭기와 피킹 증폭기가 고효율 특성을 갖는 Class-E 스위칭 모드로 구성되었다. 측정을 위한 입력 RF 신호는 $100;{mu}s$의 펄스폭과 1 kHz의 PRF (Pulse Repetition Frequency)인 duty 10%인 펄스 신호를 사용하였다. 2.85 GHz의 주파수 대역에서 스위칭 도허티 전력증폭기 측정결과 포화전력에서 6 dB 떨어진 지점의 전력부가... -
Si MOSFET과 GaN FET Power System 성능 비교 평가
안정훈, 이병국, 김종수, Ahn. Jung-Hoon, Lee. Byoung-Kuk, Kim. Jong-Soo 전력전자학회 전력전자학회 논문지 7 Pages
전력전자학회 전력전자학회 논문지 2014, Vol.19 No.3 283-289 (7 pages)
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MOCVD of GaN Films on Si Substrates Using a New Single Precursor
Song. Seon-Mi, Lee. Sun-Sook, Yu. Seung-Ho, Chung. Taek-Mo, Kim. Chang-Gyoun, Lee. Soon-Bo, Kim. Yun-Soo 대한화학회 Bulletin of the Korean Chemical Society 4 Pages
대한화학회 Bulletin of the Korean Chemical Society 2003, Vol.24 No.7 953-956 (4 pages)
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팔각 핑거 타입 전극패턴을 이용한 대면적 수평형 GaN LED의 전기적/광학적 특성 분석
양지원, 김동호, 김태근, Yang. Ji-Won, Kim. Dong-Ho, Kim. Tae-Geun 대한전자공학회 電子工學會論文誌. Journal of the Institute of Electronics Engineers of Korea. SD, 반도체 6 Pages
대한전자공학회 電子工學會論文誌. Journal of the Institute of Electronics Engineers of Korea. SD, 반도체 2011, Vol.48 No.3 12-17 (6 pages)
GaN (Gallium Nitride) LED (Light-emitting diode) 전극패턴이 갖는 전류의 집중현상 및 소자 내 발열문제를 최소화하고 전기적 광학적 특성의 향상을 위하여 팔각 핑거 타입의 전극패턴을 제안하였고, 범용적으로 사용되는 기본 전극패턴 및 그를 대칭적으로 개량한 전극패턴과의 특성을 비교 분석하였다. 상용 3차원 시뮬레이터 SpecLED/RATRO를 통한 시뮬레이션 결과, 본 연구에서 제안한 팔각 핑거 타입의 전극패턴을 갖는 LED 소자가 동일한 350 mA의 전류주입 하에서의 동작전압이 약 0.34 V 정도 감소되는 전기적 특성의 향상을...