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자기조직화에 의한 InAs 양자점 구조 형성에 미치는 수소플라즈마의 효과
박용주, 김은규, 민석기 한국결정성장학회 한국결정성장학회지 9 Pages
한국결정성장학회 한국결정성장학회지 1996, Vol.6 No.3 351-359 (9 pages)
사용하여 InAs 양자점 구조형성에 미치는 수소플라즈마의 효과에 대하여 조사하였다. 자기조직화(self-organized)에 의해 GaAs 기판위에서 InAs 양자점의 형성을 RHEED(reflection high energy electron diffraction)로 관측한 결과 수소가스 및 수소플라즈마의 영향을 받지 않은 상태에서는 1.9 ML(monolayer)의 InAs 층성장(layer growth) 후에 형성되는데 비해 수소플아즈마를 조사한 상태에서는 약 2.6 ML의 InAs 층성장(layer growth) 후에 형성되는데 비해 수소플아즈마를 조사한 상태에서는 약 2.6 ML의 InAs층이 성장된 후 뒤늦게... -
AuGe 액체금속 이온이 주입된 n-GaAs의 물성연구
강태원, 이정주, 김송강, 홍치유, 임재영, 정관수, Kang. Tae-Won, Lee. Jeung-Ju, Kim. Song-Gang, Hong. Chi-Yhou, Leem. Jae-Young, Chung. Kwan-Soo 대한전자공학회 전자공학회논문지 8 Pages
대한전자공학회 전자공학회논문지 1989, Vol.26 No.6 63-70 (8 pages)
후 이 시료의 표면성분과 구조를 AES(Auger electron spectroscopy), RHEED(reflection high energy electron diffraction), SEM(scanning electron microscopy) and EPMA(electron probe microanalysis)등으로 조사하였으며 AES depth profile 실험결과를 이체충돌에 의한 Monte Carlo simulation과 비교하였다. AuGe 이온이 주입된 시료를 AES, EPMA로 측정한 결과 As의 preferential스피터링이 나타났으며 300$^{circ}$C로 열처리하면 Ga과 outdiffusion되었다. 또한 측정한 Au와 Ge의 depth profile은 이체충돌에 의한 Monte Carlo... -
MBE에 이한 GaAs 에피택셜층 성장
정학기, 이재진 대한전자공학회 電子工學會誌 7 Pages
대한전자공학회 電子工學會誌 1985, Vol.22 No.6 34-40 (7 pages)
표면상태를 SIMS (Seconde,y ion Mass ipectoscopy), AES(Auger Electron Spectroscopy) , SEM (Scanning Elect.on Mic,oscopy) , RHEED (Reflection High Energy Electron Diffraction) 등으로 조사한 결과 기판온도가 540℃일 때 가장 좋은 표면상태를 얻을 수 있었다. 또한 RH-EED관찰 결과 As 안정화된 표면을 관측할 수 있었으며 SIMS로 depth-Profile을 해 본 곁과, Ca 보다 As가 불안정함을 알았다. 또한 반선 회절 검사결과에서 기판온도가 520℃일때와 540℃일때 (400), (200)면에 단결정이 형성되었음을 알 수 있었다. -
$Gd_2$O_3:EU^{3+}$ 형광체 박막의 결정성에 따른 발광특성 연구
장문형, 최윤기, 정권범, 황보상우, 장홍규, 노명근, 조만호, 손기선, 김창해 한국진공학회 韓國眞空學會誌 6 Pages
한국진공학회 韓國眞空學會誌 2003, Vol.12 No.4 275-280 (6 pages)
통하여 결정구조를 변화시켰다. 초기 생장시의 결정성은 고에너지 전자회절 (RHEED)을 통해 확인하고, X선 회절과 적외선 분광법을 이용하여 시료의 결정구조의 변화를 관측하였다. Near Edge X-ray Absorption Fine Structure (NEXAFS)를 통해 전자구조의 변화를 확인하였다. 이러한 변화들이 발광 특성에 미치는 영향을 Photoluminescence (PL), Cathodoluminescence (CL), 그리고 Vacuum Ultraviolet (VUV) spectrum으로 알아보았다. 본 연구는 결정구조에 의해 변화된 전자구조가 형광체 박막의 발광특성에 미치는 영향을 보고한다. -
Si(100) 기판 위에 성장돈 3C-SiC 박막의 물리적 특성
정귀상, 정연식 한국전기전자재료학회 전기전자재료학회논문지 5 Pages
한국전기전자재료학회 전기전자재료학회논문지 2002, Vol.15 No.11 953-957 (5 pages)
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Epitaxial Growth of BSCCO Type Structure in Atomic Layer by Layer Deposition by Ion Beam Sputtering
Lee. Hee-Kab, Park. Yong-Pil, Kim. Jeong-Ho 한국전기전자재료학회 Transactions on electrical and electronic materials 4 Pages
한국전기전자재료학회 Transactions on electrical and electronic materials 2000, Vol.1 No.4 7-10 (4 pages)
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플라즈마분자선에피탁시법을 이용한 사파이어 기판 위 질화알루미늄 박막의 에피탁시 성장
이효성, 한석규, 임동석, 신은정, 임세환, 홍순구, 정명호, 이정용, Lee. Hyo-Sung, Han. Seok-Kyu, Lim. Dong-Seok, Shin. Eun-Jung, Lim. Se-Hwan, Hong. Soon-Ku, Jeong. Myou 한국재료학회 한국재료학회지 5 Pages
한국재료학회 한국재료학회지 2011, Vol.21 No.11 634-638 (5 pages)