학지사 뉴논문

291.

디지털 제어 발진기의 전력소모 최적화 설계기법

이두찬, 김규영, 김수원, Lee. Doo-Chan, Kim. Kyu-Young, Kim. Soo-Won 대한전자공학회 電子工學會論文誌. Journal of the Institute of Electronics Engineers of Korea. SD, 반도체 6 Pages

대한전자공학회 電子工學會論文誌. Journal of the Institute of Electronics Engineers of Korea. SD, 반도체 2010, Vol.47 No.5 94-99 (6 pages)

이두찬, 김규영, 김수원, Lee. Doo-Chan, Kim. Kyu-Young, Kim. Soo-Won 저

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본 논문에서는 디지털 제어 발진기의 전력소모를 최적화하는 설계기법을 제안한다. 디지털 제어 발진기의 Coarse tuning 비트수와 Fine tuning 비트수를 조절하여 LSB Resolution, 주파수 범위, 선형성, 이식성에는 영향을 주지 않고 전력소모를 최적화한다. 이를 위해 제어 비트에 따른 디지털 제어 발진기의 전력소모 변화를 분석하였다. 본 논문에서는 0.13um 1.2V CMOS 라이브러리를 이용하여 제안한 설계기법을 적용한 경우와 그렇지 않은 경우를 모두 설계, 모의실험 및 검증하였다. 제안한 설계기법을 적용한 디지털 제어 발진기는...
292.

0.35 um 2P3M BCD 공정을 이용한 LLC 공진 제어 IC 설계

조후현, 홍성화, 한대훈, 천정인, 허정, 이강윤, Cho. Hoo-Hyun, Hong. Seong-Wha, Han. Dae-Hoon, Cheon. Jeong-In, Hur. Jeong, Lee. Kang-Yoon 대한전자공학회 電子工學會論文誌. Journal of the Institute of Electronics Engineers of Korea. SD, 반도체 9 Pages

대한전자공학회 電子工學會論文誌. Journal of the Institute of Electronics Engineers of Korea. SD, 반도체 2010, Vol.47 No.5 71-79 (9 pages)

조후현, 홍성화, 한대훈, 천정인, 허정, 이강윤, Cho. Hoo-Hyun, Hong. Seong-Wha, Han. Dae-Hoon, Cheon. Jeong-In, Hur. Jeong, Lee. Kang-Yoon 저

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위한 클럭 생성기가 내장되어 있고, 클럭 주파수는 외부 저항을 사용하여 튜닝이 가능하다. 또한 외부 피드백 입력되는 전압을 이용해 주파수 조정이 가능하도록 VCO(Voltage Controlled Oscillator) 기능을 내장하였다. 동작의 신뢰성을 높이고 회로를 보호하기 위해서 UVLO(Under Voltage Lock Out), brown out, fault detector의 보호회로를 내장하였고, 입력 커패시턴스가 큰 용량의 IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)를 구동하기 위해서 높은 전압, 전류의 제공이 가능한 HVG(High Side Driver), LVG(Low Side Driver) 드라...
293.

입력 위상 잡음 억제 및 체배 주파수의 듀티 사이클 보정을 위한 VCO/VCDL 혼용 기반의 다중위상 동기회로

하종찬, 위재경, 이필수, 정원영, 송인채, Ha. Jong-Chan, Wee. Jae-Kyung, Lee. Pil-Soo, Jung. Won-Young, Song. In-Chae 대한전자공학회 電子工學會論文誌. Journal of the Institute of Electronics Engineers of Korea. SD, 반도체 10 Pages

대한전자공학회 電子工學會論文誌. Journal of the Institute of Electronics Engineers of Korea. SD, 반도체 2010, Vol.47 No.11 13-22 (10 pages)

하종찬, 위재경, 이필수, 정원영, 송인채, Ha. Jong-Chan, Wee. Jae-Kyung, Lee. Pil-Soo, Jung. Won-Young, Song. In-Chae 저

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본 논문은 입력 클록의 고주파 위상 잡음 억제와 정확한 듀티 사이클을 갖는 체배 주파수 생성을 위하여 Voltage-Controlled Oscillator(VCO)/Voltage-Controlled Delay Line(VCDL) 혼용기반의 다중 위상 Delay-Locked Loop(DLL)를 제시한다. 이 제안된 구조에서, 다중 위상 DLL은 혼용 VCO/VCDL의 입력 단에 nMOS 소스 결합 회로 기반의 이중 입력 차동 버퍼를 사용한다. 이것은 고주파 입력 위상 잡음 억제를 위하여 전 대역 통과 필터 특성을 갖는 기존 DLL의 입/출력 위상 전달을 저주파 통과 필터 특성을 갖는 PLL의 입/출력 위상...
294.

2단계 자동 트랜스컨덕턴스 조절 기능을 가진 저전력, 광대역 전압제어 발진기의 설계

김상우, 박준성, 부영건, 허정, 이강윤, Kim. Sang-Woo, Park. Joon-Sung, Pu. Young-Gun, Hur. Jeong, Lee. Kang-Yoon 대한전자공학회 電子工學會論文誌. Journal of the Institute of Electronics Engineers of Korea. SD, 반도체 7 Pages

대한전자공학회 電子工學會論文誌. Journal of the Institute of Electronics Engineers of Korea. SD, 반도체 2010, Vol.47 No.2 87-93 (7 pages)

김상우, 박준성, 부영건, 허정, 이강윤, Kim. Sang-Woo, Park. Joon-Sung, Pu. Young-Gun, Hur. Jeong, Lee. Kang-Yoon 저

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이 글은 공정, 전압, 온도 변화를 극복하기 위한 2단계 자동 트랜스컨덕턴스 조절 기능을 가진 저전력, 광대역 전압제어발진기의 설계에 관한 논문이다. 광대역에서 전압제어발진기를 발진시키기 위해, 디지털 자동 트랜스컨덕턴스 조절 루프와 아날로그 자동 진폭조절 루프가 사용되었다. 전압제어발진기의 출력 스윙 크기에 따라 트랜지스터의 바디전압을 조절하는 기능도 저전력 구현을 위해 설계되었다. 소모전류는 1.2 V 공급전압에서 2 mA에서 6 mA까지 1 mA 단위로 조절된다. 전압제어발진기의 튜닝 범위는 2.35 GHz에서 5 GHz까지...
295.

극저전력 무선통신을 위한 Sub-${mu}$W 22-kHz CMOS 발진기

나영호, 김종식, 김현, 신현철, Na. Young-Ho, Kim. Jong-Sik, Kim. Hyun, Shin. Hyun-Chol 대한전자공학회 電子工學會論文誌. Journal of the Institute of Electronics Engineers of Korea. SD, 반도체 7 Pages

대한전자공학회 電子工學會論文誌. Journal of the Institute of Electronics Engineers of Korea. SD, 반도체 2010, Vol.47 No.12 68-74 (7 pages)

나영호, 김종식, 김현, 신현철, Na. Young-Ho, Kim. Jong-Sik, Kim. Hyun, Shin. Hyun-Chol 저

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본 논문은 Ultra-Low-Power (ULP) Radoi를 위한 Sub-${mu}$W 급 저 전력 발진기 회로에 관한 것이다. 저 전력 발진기의 구조로서 Relaxation 구조와 Wien-Bridge 구조의 시뮬레이션 비교를 통하여, 소모 전류의 최소화 및 저 전력 동작에 최적인 Wien-Bridge 구조를 선택 하였다. Wien-Bridge 발진기 회로는 폐쇄 루프 이득이 ($1+R_2/R_1$) 인 비반전 OPAMP 증폭회로에 부귀환 경로로 RC 회로망이 접속 되어 있다. 이 회로망의 RC값과 증폭기의 폐쇄 루프 이득에 의해 발진 주파수가 정해지게 된다. 본 연구에서는 루프 이득 조정을 위해...
296.

960MHz Quadrature LC VCO를 이용한 CMOS PLL 주파수 합성기 설계

김신웅, 김영식, Kim. Shin-Woong, Kim. Young-Sik 대한전자공학회 電子工學會論文誌. Journal of the Institute of Electronics Engineers of Korea. SD, 반도체 7 Pages

대한전자공학회 電子工學會論文誌. Journal of the Institute of Electronics Engineers of Korea. SD, 반도체 2009, Vol.46 No.7 61-67 (7 pages)

김신웅, 김영식, Kim. Shin-Woong, Kim. Young-Sik 저

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쿼드러처 전압제어 발진기(Voltage Controeld Oscillator, VCO)와 위상 주파수 검출기(Phase Frequency Detector, PFD), 차지 펌프(Charge Pump, CP)를 설계하고 제작하였다. 전압제어발진기는 우수한 위상노이즈 특성과 저전력 특성을 얻기 위해 LC 공진기를 사용하였으며 전압제어 가변 캐패시터는 P-channel MOSFET의 소스와 드레인 다이오드를 이용하여 설계되었으며 쿼드러처 출력을 위해 두 개의 전압제어발진기를 서로 90도 위상차를 가지도록 설계하였다. 주파수 분주기는 프리스케일러(Pre-scaler)와 아날로그 디바이스사의 칩...
297.

Independent-Gate-Mode Double-Gate MOSFET을 이용한 RF Receiver 설계

정나래, 김유진, 윤지숙, 박성민, 신형순, Jeong. Na-Rae, Kim. Yu-Jin, Yun. Ji-Sook, Park. Sung-Min, Shin. Hyung-Soon 대한전자공학회 電子工學會論文誌. Journal of the Institute of Electronics Engineers of Korea. SD, 반도체 9 Pages

대한전자공학회 電子工學會論文誌. Journal of the Institute of Electronics Engineers of Korea. SD, 반도체 2009, Vol.46 No.10 16-24 (9 pages)

정나래, 김유진, 윤지숙, 박성민, 신형순, Jeong. Na-Rae, Kim. Yu-Jin, Yun. Ji-Sook, Park. Sung-Min, Shin. Hyung-Soon 저

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Independent-Gate-Mode Double-Gate(IGM-DG) MOSFET는 기존의 DG-MOSFET의 3-terminal 소자구조가 갖고 있는 한계에서 벗어나 front-gate와 back-gate를 서로 다른 전압으로 구동하는 것이 가능하다. IGM-DG를 이용함으로써 4번째 단자의 자유도에 의해 회로설계가 간단해 질 뿐 아니라, 집적도를 향상시킬 수 있는 장점을 가진다. 본 논문에서는 IGM-DG MOSFET를 사용하여 RF 수신단을 설계하였고, HSPICE 시뮬레이션을 통해 회로성능을 검증하고 소자의 특성변화에 따른 최적의 회로설계 방향을 제시하였다.
298.

고효율, Temperature/voltage 변화에 둔감한 Triple-mode CMOS DC-DC Converter

임지훈, 하종찬, 김상국, 위재경, Lim. Ji-Hoon, Ha. Jong-Chan, Kim. Sang-Kook, Wee. Jae-Kyung 대한전자공학회 電子工學會論文誌. Journal of the Institute of Electronics Engineers of Korea. SD, 반도체 9 Pages

대한전자공학회 電子工學會論文誌. Journal of the Institute of Electronics Engineers of Korea. SD, 반도체 2008, Vol.45 No.6 1-9 (9 pages)

임지훈, 하종찬, 김상국, 위재경, Lim. Ji-Hoon, Ha. Jong-Chan, Kim. Sang-Kook, Wee. Jae-Kyung 저

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변화에 둔감한 저 전력 1MHz CMOS ring oscillator를 사용한다. 제안된 triple-mode DC-DC converter는 단일 입력 전원소스(3.3-5.5V)에서 출력 전압(0.6-2.2V)을 생성하며, 출력 전압 ripple은 PWM mode에서 10mv, PFM mode에서 15mV, 그리고 LDO mode에서는 4mV 이하이다. 또한, 제안된 회로의 효율은 PWM mode에서 93% 이상이며, $-25-80^{circ}C$의 온도변화에도 각 모드에서의 출력 전압 레벨의 오차는 단지 0.8% 이하로 유지한다 제안된 회로의 검증을 위해 CMOS $0.35{mu}m$ 공정을 이용한 시뮬레이션 및 칩 테스트를 수행하였다.
299.

CNT 배열을 이용한 bio-sensor SoC 설계

정인영, Chung. In-Young 대한전자공학회 電子工學會論文誌. Journal of the Institute of Electronics Engineers of Korea. SD, 반도체 7 Pages

대한전자공학회 電子工學會論文誌. Journal of the Institute of Electronics Engineers of Korea. SD, 반도체 2008, Vol.45 No.12 8-14 (7 pages)

정인영, Chung. In-Young 저

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자체적으로 감지결과를 출력할 수 있는 센서 칩의 기본적인 플랫폼을 설계 제작한 결과를 보고한다. 센서 소자로는 알루미늄 패드 사이에 연결된 CNT network을 사용하였으며 생화학적 반응에 의하여 전기전도도가 변화하는 것을 감지한다. 표준 CMOS 공정의 감지회로는 CNT network의 저항 값 변동에 의해 ring oscillator의 주파수가 변동하는 것을 감지하는 방식을 사용한다. 제작된 CMOS 센서 칩을 활용하여 이를 대표적인 생화학물질인 glutamate을 검출하는데 실험적으로 적용하여 농도에 따른 출력결과 값을 얻는데 성공한다. 본...
300.

차동 이차 고조파 출력을 갖는 CMOS LC 전압조정발진기

김현, 신현철, Kim. Hyun, Shin. Hyun-Chol 대한전자공학회 電子工學會論文誌. Journal of the Institute of Electronics Engineers of Korea. SD, 반도체 9 Pages

대한전자공학회 電子工學會論文誌. Journal of the Institute of Electronics Engineers of Korea. SD, 반도체 2007, Vol.44 No.6 60-68 (9 pages)

김현, 신현철, Kim. Hyun, Shin. Hyun-Chol 저

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발진기를 구성하는 교차결합된 P형 및 N형 트랜지스터의 공통 소스 단자로부터 기본 발진주파수의 이차 고조파 신호를 차동으로 출력하는 전압조정발진기를 제안하였다. 공통소스단자의 임피던스를 최적화하고 발진기를 전압제한영역에서 동작시키면 차동 이차 고조파 신호가 모든 공정/온도/공급전압의 코너에서 진폭차와 위상차가 $0{sim}1.6dB$ 이고 $+2.2^{circ}{sim}-5.6^{circ}$ 범위 안에서 유지됨을 확인할 수 있었다. 또한 진폭/위상 오차를 보정할 수 있는 임피던스 튜닝 회로도 사용하였다. 제안된 구조를 검증하기 위해 5 GHz...

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