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Tri-gate FinFET의 fin 및 소스/드레인 구조 변화에 따른 소자 성능 분석
최성식, 권기원, 김소영, Choe. SeongSik, Kwon. Kee-Won, Kim. SoYoung 대한전자공학회 Journal of the Institute of Electronics and Information Engineers 11 Pages
대한전자공학회 Journal of the Institute of Electronics and Information Engineers 2014, Vol.51 No.7 71-81 (11 pages)
커패시턴스는 16.01% 감소하였다. 소스/드레인 epitaxy(epi) 구조 변화에 따른 성능을 분석하기 위해, epi를 fin 위에 성장시킨 경우(grown-on-fin)와 fin을 etch 시키고 성장시킨 경우(etched-fin)의 소자 성능을 비교했다. Fin과 소스/드레인 구조의 변화가 회로에 미치는 영향을 살펴보기 위해 Sentaurus의 mixed-mode 시뮬레이션 기능을 사용하여 3단 ring oscillator를 구현하여 시뮬레이션 하였고, energy-delay product를 계산하여 비교하였다. 삼각형 fin에 etched 소스/드레인 epi 구조의 소자가 가장 작은 ring oscillator... -
고속 통신 시스템을 위한 40GHz CMOS 전압 제어 발진기의 설계
이종석, 문용, Lee. Jongsuk, Moon. Yong 대한전자공학회 Journal of the Institute of Electronics and Information Engineers 6 Pages
대한전자공학회 Journal of the Institute of Electronics and Information Engineers 2014, Vol.51 No.3 55-60 (6 pages)
고속 통신을 위해서 0.11um CMOS 공정을 사용하여 40GHz 전압 제어 발진기 (VCO : Voltage Controlled Oscillatior)를 제작했다. 밀리미터 웨이브 대역에서 동작하는 VCO는 높은 성능을 얻기 위하여 스마트 바이어스 테크닉을 사용하였고 스파이럴 형태의 인덕터와 출력버퍼를 추가하여 LC형 구조로 설계했다. 제안하는 VCO의 동작범위는 34~40GHz이며, 이 주파수 대역은 밀리미터 웨이브 통신 시스템에 적합하다. VCO의 측정결과 -16dBm의 출력파워와 16%의 동작범위, 38GHz 중심주파수에서 -100.33dBc/Hz(@1MHz)의 위상잡음을 갖는다.... -
메타구조 기반의 DSRR 구조 공진기를 이용한 Ku 대역 저 위상잡음 발진기
윤나내, 서철헌, Yoon. Nanae, Seo. Chulhun 대한전자공학회 Journal of the Institute of Electronics and Information Engineers 4 Pages
대한전자공학회 Journal of the Institute of Electronics and Information Engineers 2014, Vol.51 No.2 19-22 (4 pages)
본 논문에서는 메타구조기반의 double split ring resonator (DSRR) 구조의 공진기를 이용한 Ku대역에서 낮은 위상 잡음 특성을 갖는 발진기를 제안하였다. 제안한 공진기는 대역저지 특성을 가지며 14.67 GHz에서 $S_{11}$은 -0.25 dB, $S_{21}$은 -44.59 dB를 나타내었다. 제안한 메타구조 기반의 공진기를 이용하여 설계한 발진기의 낮은 위상잡음 특성을 확인하였다. 제안한 메타구조 기반의 공진기를 적용한 발진기는 14.67 GHz에서 1차 발진이 일어나고, 100 kHz offset에서 -130.63 dBc의 낮은 위상잡음 특성과 출력전력 2.03 dBm,... -
Ku-밴드 광대역 CMOS 전압 제어 발진기
김영기, 황재연, 윤종덕, Kim. Young Gi, Hwang. Jae Yeon, Yoon. Jong Deok 대한전자공학회 Journal of the Institute of Electronics and Information Engineers 7 Pages
대한전자공학회 Journal of the Institute of Electronics and Information Engineers 2014, Vol.51 No.12 83-89 (7 pages)
본 논문에서는 상호 교차결합 차동(complementary cross-coupled differential)구조를 기반으로 조절 주파수 범위가 넓은 광대역 Ku-band 전압 제어 발진기를 $0.18-{mu}m$ CMOS 공정 기술을 바탕으로 설계 후 제작하여 주파수 조절 범위와 출력 스펙트럼, 위상잡음 등을 측정하여 분석하였다. PMOS와 NMOS가 캐스코드의 push-pull 구조로 연결되어 상호 교차된 차동발진기 구조에 주파수 제어용으로 MOS varactor를 사용한 본 전압 제어 발진기는 발진주파수 14.5GHz의 20%인 2.24GHz 의 매우 넓은 광대역의 주파수 제어를 달성하였음을... -
A 12 mW ADPLL Based G/FSK Transmitter for Smart Utility Network in 0.18 ㎛ CMOS
Park. Hyung-Gu, Kim. Hongjin, Lee. Dong-Soo, Yu. Chang-Zhi, Ku. Hyunchul, Lee. Kang-Yoon 대한전자공학회 Journal of semiconductor technology and science 10 Pages
대한전자공학회 Journal of semiconductor technology and science 2013, Vol.13 No.4 272-281 (10 pages)
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A 1.62/2.7/5.4 Gbps Clock and Data Recovery Circuit for DisplayPort 1.2 with a single VCO
Seo. Jin-Cheol, Moon. Yong-Hwan, Seo. Joon-Hyup, Jang. Jae-Young, An. Taek-Joon, Kang. Jin-Ku 대한전자공학회 Journal of semiconductor technology and science 8 Pages
대한전자공학회 Journal of semiconductor technology and science 2013, Vol.13 No.3 185-192 (8 pages)