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일산화탄소 산화를 위한 PtRu/C 시리즈 촉매의 합성 및 특성 연구
이선화, 최승목, 김원배, Lee. Seonhwa, Choi. Sung Mook, Kim. Won Bae 한국청정기술학회 청정기술 8 Pages
한국청정기술학회 청정기술 2012, Vol.18 No.4 432-439 (8 pages)
: 7)를 콜로이드 방법(colloidal method)으로 합성하였다. 다양한 물리 화학적 분석장비인 투과전자현미경(transmission electron microscopy, TEM)과 X-선 회절(X-ray diffraction, XRD), 에너지 분산형 X-선 분석기(energy dispersive X-ray spectroscopy, EDS)를 이용하여 구조 화학적 특성을 분석하고, X-선 광전자 분광법(X-ray photoelectron spectroscopy, XPS)을 통해 전자적 특성 변화를 확인하였다. 더불어 일산화탄소 벗김 전압전류실험(CO stripping voltammetry)을 이용하여 전기화학적 거동을 분석하였다. 합성된 촉매들 중... -
CVD 방법을 이용한 단결정 InSb 나노와이어의 성장과 Open/Close 시스템에서의 반응 메커니즘 연구
강은지, 박이슬, 이진석, Kang. Eun Ji, Park. Yi-Seul, Lee. Jin Seok 한국진공학회 韓國眞空學會誌 7 Pages
한국진공학회 韓國眞空學會誌 2013, Vol.22 No.6 306-312 (7 pages)
Vapor Deposition, CVD) 방법을 이용하여 단결정 Indium antimonide (InSb) 나노와이어를 $SiO_2$ wafer 위에 성장시켰으며, 성장된 InSb 나노와이어의 결정성과 조성비를 X-Ray Diffraction (XRD)과 Energy Dispersive x-ray Spectroscopy (EDS)의 측정을 통하여 확인하였다. 또한, 반응 source로 사용된 InSb 분말의 기상화(vaporization) 정도를 source container의 모형, 즉 open 및 close 시스템으로 변형하여 조절하였고 이렇게 성장된 InSb 나노와이어들의 구조적 특성을 주사전자현미경(Scaning Electron Microscopy, SEM)을... -
다양한 하지층이 이중층의 응집현상에 미치는 영향에 관한 연구
하재호, 류동훈, 임현우, 정지민, 최호준, 홍인기, 고중혁, 구상모, 가미코 마사오, 하재근, Ha. J.H., Ryu. D.H., Im. H.W., Jung. J.M., Choi. H.J., Hong. I.G., Koh. J.H., Koo. S.M., Kam 한국진공학회 韓國眞空學會誌 9 Pages
한국진공학회 韓國眞空學會誌 2012, Vol.21 No.5 233-241 (9 pages)
아닌 하지층과 상지층으로 구성된 이중층의 응집현상으로 나노 점을 형성하였다. 하지층은 Ti, Cr, Co 그리고 상지층은 Ag를 증착하였다. Atomic force microscopy를 통하여 하지층의 물질에 따라 나노 점의 형성 여부가 관찰되었고 형성된 나노 점의 형상이 다르게 나타난 것을 확인하였다. 결과적으로 이중층의 응집현상을 이용하여 나노 점을 제작할 때 가장 적합한 하지층의 물질은 Ti로 확인하였다. 또한 Ti/Ag 시료는 X-ray Diffraction 분광법을 통하여 Ag는 기판으로 사용된 MgO의 (001) 방향을 따라서 에피택셜하게 성장한 것을... -
1×1 mm2 대면적 녹색 LED의 전기 광학적 특성 분석
장이운, 조동섭, 전주원, 안태영, 박민주, 안병준, 송정훈, 곽준섭, 김진수, 이인환, 안행근, Jang. L.W., Jo. D.S., Jeon. J.W., Ahn. Tae-Young, Park. M.J., Ahn. B.J., Song. J.H., Kwak. 한국진공학회 韓國眞空學會誌 6 Pages
한국진공학회 韓國眞空學會誌 2011, Vol.20 No.4 288-293 (6 pages)
다중양자우물 구조를 가지는 녹색 발광다이오드의 활성층 내 인듐(In) 조성비와 piezoelectric field에 대한 전계 흡수 현상을 연구하였다. 활성층 내 결정학적 성질과 In 조성비는 double crystal X-ray diffraction 측정으로 분석하였으며, $1{ imes}1;mm^2$ 대면적 칩을 제작하여 발광특성을 조사하였다. 또한, 활성층 내 piezoelectric field는 electro-reflectance spectroscopy로부터 측정한 compensation voltage를 이용해 계산하였고, 인가전압에 따른 photocurrent의 변화를 측정함으로써 녹색 발광 소자의 전기 광학적... -
이중벽 탄소나노튜브의 염산처리 시간에 따른 전계방출 특성 평가
정다미, 석중현, Jung. Da-Mi, Sok. Jung-Hyun 한국진공학회 韓國眞空學會誌 7 Pages
한국진공학회 韓國眞空學會誌 2011, Vol.20 No.1 70-76 (7 pages)
포함하고 있어, 이를 제거하기 위해 열처리와 과산화수소, 질산, 염산을 이용한 산 처리를 하였다. 정제된 이중벽 탄소나노튜브를 계면 활성제인 Sodium dodecylbenzenesulfonate (SDBS)를 사용하여 잉크를 제작하였고, 잉크를 스프레이 방법으로 Indium Tin Oxide (ITO)기판에 분무하여 전계방출을 위한 에미터를 제작하였다. 본 연구에서는 염산 처리 시간에 따른 이중벽 탄소나노튜브의 특성을 X-ray diffraction, Thermal Gravity Analysis (TGA) 측정을 통해 평가하였고, 염산 처리 시간이 증가할수록 전계방출 특성이 향상되는 것을... -
분자선에피택시에 의해 Si (100) 기판 위에 성장한 GaAs 에피층의 특성에 대한 기판 세척효과
조민영, 김민수, 임재영, Cho. Min-Young, Kim. Min-Su, Leem. Jae-Young 한국진공학회 韓國眞空學會誌 6 Pages
한국진공학회 韓國眞空學會誌 2010, Vol.19 No.5 371-376 (6 pages)
세 번째는 Si 기판 표면에 Ga을 증착한 후 Si 기판을 $800^{circ}C$로 가열하였다. 이와 같은 세 가지 다른 조건으로 세척한 Si(100) 기판 위에 성장한 GaAs 에피층의 특성은 reflection high-energy electron diffraction (RHEED), atomic force microscope (AFM), double crystal x-ray diffraction (DXRD), photoluminescence (PL), photoreflectance(PR) 등으로 조사하였다. Ga 빔을 증착하여 세척한 Si 기판 위에 성장된 GaAs 에피층의 RHEED 패턴은 ($2{ imes}4$) 구조를 가지고 있었다. Ga 빔을 증착하여 세척한 Si 기판 위에 성장... -
수열합성법으로 성장된 산화아연 나노막대의 특성 및 열처리 효과
전수민, 김민수, 김군식, 조민영, 최현영, 임광국, 김형근, 이동율, 김진수, 김종수, 이주인, 임재영, Jeon. Su-Min, Kim. Min-Su, Kim. Ghun-Sik, Cho. Min-Young, Choi. Hyun-Young, Yim. Kwan 한국진공학회 韓國眞空學會誌 7 Pages
한국진공학회 韓國眞空學會誌 2010, Vol.19 No.4 293-299 (7 pages)
온도로 20분 동안 열처리하였다. X-ray diffraction (XRD), field-emission scanning electron microscopy (FE-SEM), photoluminescence (PL)를 이용하여 열처리한 산화아연 나노막대의 구조적, 광학적 특성을 분석하였다. 모든 산화아연 나노막대 시료에서 c-축 배향성을 나타내는 강한 ZnO (002) 회절 피크와 약한 ZnO (004) 회절 피크가 나타났다. 열처리 온도가 증가함에 따라 산화아연 나노로드의 residual stress는 compressive에서 tensile로 변하였다. Hexagonal 형태의 산화아연 나노로드를 관찰하였다. 산화아연 나노로드의 PL... -
Chemical Solution Deposition 방법을 이용한 BiFeO3/Pb(Zr0.52Ti0.48)O3 다층박막의 전기적 특성에 대한 연구
차정옥, 안정선, 이광배, Cha. J.O., Ahn. J.S., Lee. K.B. 한국진공학회 韓國眞空學會誌 6 Pages
한국진공학회 韓國眞空學會誌 2010, Vol.19 No.1 52-57 (6 pages)
박막을 증착하였다. X-ray diffraction 분석을 통해 모든 박막이 다배향(multi-orientation) 페로브스카이트 (perovskite) 구조를 가졌음을 확인하였다. BFO/PZT Bilayer와 multilayer 박막들은 BFO 단층박막의 비해 누설전류 값이 500 kV/cm에서 약 4, 5차수 정도 감소했으며, 이로 인해 BFO/PZT 다층박막의 강유전체 특성이 크게 향상되었다. BFO/PZT multilayer 다층구조 박막의 경우 안정된 이력곡선(hysteresis loop)을 나타냈으며, 잔류 분극(remanent polarization)의 값은 $44.3{mu}C/cm^2$이었으며, 항전계($2E_c$) 값은 681.4... -
ALD를 이용한 저온에서의 ZnO 박막 증착
김희수, Kim. H.S. 한국진공학회 韓國眞空學會誌 5 Pages
한국진공학회 韓國眞空學會誌 2007, Vol.16 No.3 205-209 (5 pages)
Atomic layer deposition(ALD)를 이용하여 Si와 soda lime glass 기판 위에 ZnO 박막을 증착하였다. 기판의 온도는 비교적 저온인 $130^{circ}C{sim}150^{circ}C$를 채택하였다. 증착결과 단위 cycle 당 $2.72{AA}$이 증착되어 균일한 박막이 증착되었음이 확인되었다. 증착된 박막의 결정성을 X-ray diffraction(XRD)으로 조사해본 결과 비교적 저온에서도 (100)과 (101)방향의 성장이 우세하였다. 또 Auger electron spectroscopy(AES)로 분석해본 결과 불순물이 없는 순도 높은 박막이 성장되었음을 알 수 있었다. -
산소와 수소 플라즈마로 처리한 사파이어 기판 위에 성장된 ZnO 박막의 구조적.광학적 특성
이선균, 김지영, 곽호상, 권봉준, 고항주, 조용훈, Lee. S.K., Kim. J.Y., Kwack. H.S., Kwon. B.J., Ko. H.J., Cho. Y.H. 한국진공학회 韓國眞空學會誌 5 Pages
한국진공학회 韓國眞空學會誌 2007, Vol.16 No.6 463-467 (5 pages)
beam epitaxy 방법으로 성장된 ZnO 박막의 구조적 특성과 광학적 발광 특성을 체계적으로 조사하였다. 제작된 ZnO 박막은 high resolution X-ray diffraction 측정과 atomic force microscope를 사용하여 구조적 특성과 표면 특성을 관찰하였으며, photoluminescence (PL) 측정을 통하여 엑시톤과 관련된 광학적 전이특성을 온도에 따라 조사하였다. free exciton, bound exciton, 그리고 이들의 phonon replica들의 특성을 온도에 따라 분석하였으며, 산소 plasma로 표면 처리한 시료의 PL 세기가 수소 plasma 표면 처리한 시료의 PL...


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