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유기박막트랜지스터의 플렉시블 디스플레이 패널 적용 연구
이명원, 류기성, 송정근, Lee. Myeong-Won, Ryu. Gi-Seong, Song. Jeong-Geun 한국정보디스플레이학회 인포메이션 디스플레이 6 Pages
한국정보디스플레이학회 인포메이션 디스플레이 2007, Vol.8 No.3 12-17 (6 pages)
할 요소들도 다르다. EPD는 문턱전압이 없으므로 스위칭 소자로서 OTFT가 반드시 필요하다. 또한 전압구동소자이고 동작이 느리기 ??문에 OTFT의 이동도가 $0.01cm^2/V.sec$ 이상만 되어도 사용 가능하고 쌍안정 소자임에도 불구하고 저장 캐패시터를 사용하여야 한다. 그리고 OTFT 패널과 EPD 패널을 상호 부착해야 하므로 OTFT 어레이에 영향을 주지 않는 중간층이 중요한 요소이다. OLED는 전류구동소자이므로 OTFT의 이동도가 최소 $0.1cmcm^2/V.sec$ 이상이어야 하고, OTFT 어레이와 동일한 패널을 사용하므로 제조 공정의 호환성이... -
4H-SiC(0001) Epilayer 성장 및 쇼트키 다이오드의 전기적 특성
박치권, 이원재, 신병철, Park. Chi-Kwon, Lee. Won-Jae, Shin. Byoung-Chul 한국전기전자재료학회 전기전자재료학회논문지 6 Pages
한국전기전자재료학회 전기전자재료학회논문지 2006, Vol.19 No.4 344-349 (6 pages)
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90 nm급 텅스텐 폴리사이드 게이트 식각공정에서 식각종말점의 안정화에 관한 연구
고용득, 천희곤, 이징혁, Ko. Yong-Deuk, Chun. Hui-Gon, Lee. Jing-Hyuk 한국전기전자재료학회 전기전자재료학회논문지 6 Pages
한국전기전자재료학회 전기전자재료학회논문지 2005, Vol.18 No.3 206-211 (6 pages)
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측면진동보조전계 전기영동 전착방식을 적용한 YBCO 초전도 후막의 제작
소대화, 전용우 한국전기전자재료학회 전기전자재료학회논문지 6 Pages
한국전기전자재료학회 전기전자재료학회논문지 2003, Vol.16 No.11 1041-1046 (6 pages)
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보조전계를 이용한 전기영동 초전도 막의 제작
소대화, 전용우 한국전기전자재료학회 전기전자재료학회논문지 6 Pages
한국전기전자재료학회 전기전자재료학회논문지 2003, Vol.16 No.2 157-162 (6 pages)
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A Study on Characterization and Modeling of Shallow Trench Isolation in Oxide Chemical Mechanical Polishing
Kim. Sang-Yong, Chung. Hun-Sang 한국전기전자재료학회 Transactions on electrical and electronic materials 4 Pages
한국전기전자재료학회 Transactions on electrical and electronic materials 2001, Vol.2 No.3 24-27 (4 pages)
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ATM 망에서 ABR/UBR 서비스상의 TCP 성능 향상에 관한 연구
김명희, 박승섭 한국인터넷정보학회 인터넷정보학회논문지 10 Pages
한국인터넷정보학회 인터넷정보학회논문지 2000, Vol.1 No.2 1-10 (10 pages)
해결책으로 ATM 네트워크 기술이 널리 사용되고 있다. ATM 서비스를 기반으로 하는 인터넷 프로토콜에서는 ATM층에서 하나의 셀 손실은 전체 패킷 손실을 초래하여 TCP의 성능이 저하된다. 따라서 혼잡 시 패킷의 손실을 줄이기 위해 UBR 서비스에서는 UBR+EPD 방식이, ABR 서비스에서는 ER 방식이 제안되었다. 본 논문에서는, 빠른 재전송과 회복 (FRR)을 사용한 UBR+EPD와 EPD 알고리즘의 임계치 파라미터(R)의 조절과 TCP 파라미터인 MTU 크기의 변화가 성능향상에 미치는 영향을 분석하였으며, 이러한 성능분석을 통해 제안한 방안이... -
ATM 서브망에서 MCS 멀티캐스트 구현을 위한 전송 제어 시스템의 성능 평가
박상준, 이효준, 김관중, 김영한, 김병기, Park. Sang-Joon, Lee. Hyo-Jun, Kim. Kwan-Joong, Kim. Young-Han, Kim. Byung-Gi 한국음향학회 한국음향학회지= The journal of the acoustical society of Korea 6 Pages
한국음향학회 한국음향학회지= The journal of the acoustical society of Korea 1997, Vol.16 No.6 48-53 (6 pages)
임계치를 넘어서면 버퍼에 오버플로우가 발생하기 이전에 셀을 폐기시키는 것으로 손상된 패킷의 전송을 막기 위하여 부분적 셀 폐기 대신 손상된 패킷 전체를 폐기하는 방식(EPD-Early Packet Discard)을 제공한다. 또한 TCP 패킷의 재전송 중복에 대한 부하를 줄이기 위해 동일한 송신측의 패킷을 폐기하는 방식 (SPD-same Source Packet Drop)을 제안한다. 시뮬레이션 결과에서는 전송 데이터 폐기에 대한 기존의 방식(Tail Drop), EPD 방식을 고려한 DFF(Drop From Front)와 본 논문에서 제안한 EPD + SPD방식과의 성능 분석을 한다. -
MBE법으로 성장된 CdTe(211)/Si 기판을 이용한 MOVPE HgCdTe 박막의 특성 향상
김진상, 서상희, Kim. Jin-Sang, Suh. Sang-Hee 한국센서학회 센서학회지 7 Pages
한국센서학회 센서학회지 2003, Vol.12 No.6 282-288 (7 pages)
MOVPE 법으로 HgCdTe 박막을 성장하였다. 성장된 박막의 표면은 hillock 등의 결함이 없는 매우 균일한 형상을 보였다. HgCdTe 박막표면의 EPD(etch pit density) 및 (422) 결정면의 이중 결정 x-선 회절 피크의 반치폭으로 본 결정성은 GaAs 기판위에 성장된 HgCdTe 박막에 비하여 우수하였다. GaAs 기판 위에 MOVPE 법으로 성장된 HgCdTe는 기판처리 과정에서 유입된 p-형 불순물로 인해 p-형 전도성을 나타내었으나 (211)CdTe 기판 위에 성장된 박막은 77K에서 $8{ imes}10^{14}/cm^3$의 운반자 농도를 갖는 n-형 전도성을 보였다. 본...


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