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Device Performances Related to Gate Leakage Current in Al2O3/AlGaN/GaN MISHFETs
Kim. Do-Kywn, Sindhuri. V., Kim. Dong-Seok, Jo. Young-Woo, Kang. Hee-Sung, Jang. Young-In, Kang. In Man, Bae. Youngho, Hahm. Sung-Ho, Lee 대한전자공학회 Journal of semiconductor technology and science 8 Pages
대한전자공학회 Journal of semiconductor technology and science 2014, Vol.14 No.5 601-608 (8 pages)
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사파이어 기판을 사용한 AlGaN/GaN 고 전자이동도 트랜지스터의 정전기 방전 효과
하민우, 이승철, 한민구, 최영환, Ha. Min-Woo, Lee. Seung-Chul, Han. Min-Koo, Choi. Young-Hwan 대한전기학회 전기학회논문지. The transactions of the Korean Institute of Electrical Engineers. C/ C, 전기물성·응용부문 5 Pages
대한전기학회 전기학회논문지. The transactions of the Korean Institute of Electrical Engineers. C/ C, 전기물성·응용부문 2005, Vol.54 No.3 109-113 (5 pages)
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Sb 계면활성제에 의한 p-GaN 박막의 홀농도 향상
김자연, 박성주, 문영부, 권민기, Kim. J.Y., Park. S.J., Moon. Y.B., Kwon. M.K. 한국진공학회 韓國眞空學會誌 5 Pages
한국진공학회 韓國眞空學會誌 2011, Vol.20 No.4 271-275 (5 pages)
본 논문은 고휘도 발광소자의 특성을 높이기 위한 p-GaN 박의 홀농도 향상을 연구하였다. 우리는 metal organic chemical vapor deposition 법을 이용하여 Antimony (Sb)가 p-GaN의 홀농도 향상에 도움을 주는 것을 확인하였다. Atomic force microscope 측정을 통해 Sb가 계면활성제처럼 역할을 함으로써 p-GaN의 2차원 성장이 촉진됨을 알 수 있었다. 또한 X-ray diffraction 결과 [002] 면과 [102] 면의 반폭치가 Sb 도핑과 함께 줄어드는 것을 통해 Edge과 Screw 전위의 감소와 photoluminescence 결과에서 450~500 nm 청색 파장...