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밀리미터파 고출력 HEMT 소자 기술
박현창 한국전기전자재료학회 전기전자재료 9 Pages
한국전기전자재료학회 전기전자재료 1999, Vol.12 No.8 1-9 (9 pages)
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초고주파 집적회로를 위한 Pseudomorphic HEMT 소자의 연구동향
조신희, 김남영 한국전기전자재료학회 電氣電子材料學會誌= The journal of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers 7 Pages
한국전기전자재료학회 電氣電子材料學會誌= The journal of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers 1997, Vol.10 No.10 1056-1062 (7 pages)
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VLBI용 Q-band HEMT 수신기 개발
제도홍, 한석태, 김태성, 김현주, 김광동, 정문희, 이창훈, 노덕규 한국우주과학회 韓國宇宙科學會誌 10 Pages
한국우주과학회 韓國宇宙科學會誌 2004, Vol.21 No.1 29-38 (10 pages)
VLBI(Very Long Baseline Interferometer)에서 요구되는 고위상 안정도를 갖는 국부발진기를 사용하여 초저잡음 Q-band우주 전파 수신기를 개발하였다. 냉각용 HEMT 중폭기를 사용하여, 관측 주파수 범위인 420㎓에서 44㎓까지의 대역폭에서는 65K정도의 수신기 잡음 온도를 얻었으며, 390㎓ -46㎓의 대역폭에서는 l00k 이하의 잡음 온도를 얻었다. SiO분자선 관측이 주된 목적이며, 이 대역에서 얻어진 수신기 잡음온도는 독일$.$일본 전파천문대에서 개발된 수신기보다 우수한 성능을 나타낸다. -
X-대역 GaN HEMT Bare-Chip 펄스-전압 펄스-RF 수동 로드-풀 측정
신석우, 김형종, 최길웅, 최진주, 임병옥, 이복형, Shin. Suk-Woo, Kim. Hyoung-Jong, Choi. Gil-Wong, Choi. Jin-Joo, Lim. Byeong-Ok, Lee. Bok-Hyung 한국ITS학회 韓國ITS學會 論文誌 7 Pages
한국ITS학회 韓國ITS學會 論文誌 2011, Vol.10 No.1 42-48 (7 pages)
GaN HEMT (Gallium Nitride High Electron Mobility Transistor) bare-chip을 이용하여 X-대역에서 수동로드 풀(Passive load-pull)을 수행하였다. 열로 인한 특성 변화가 최소화 된 동작 조건을 얻기 위해 드레인 바이어스 전압과 입력 RF 신호를 펄스로 인가하였다. 전자기장 시뮬레이션과 회로 시뮬레이션을 병행하여, 와이어 본딩 효과를 고려하여 드레인 경계면에서의 정확한 임피던스 정합 회로를 구현하였다. 임피던스를 변화시키기 위해 마이크로스트립 라인 스터브의 길이가 조절 가능한 회로를 설계하였다. 펄스 로드 풀 실험... -
GaN HEMT를 이용한 광대역 고효율 Class-J 모드 전력증폭기 설계
김재덕, 김형종, 신석우, 김상훈, 김보기, 최진주, 김선주, Kim. Jae-Duk, Kim. Hyoung-Jong, Shin. Suk-Woo, Kim. Sang-Hoon, Kim. Bo-Ki, Choi. Jin-Joo, Kim. Sun-Joo 한국ITS학회 韓國ITS學會 論文誌 8 Pages
한국ITS학회 韓國ITS學會 論文誌 2011, Vol.10 No.5 71-78 (8 pages)
본 논문은 GaN HEMT (Gallium Nitride High Electron Mobility Transistor)를 이용하여 Class-J 모드를 적용한 고효율, 광대역 특성을 갖는 전력증폭기를 설계 및 제작하였다. 제안된 Class-J 모드 전력증폭기의 정합회로는 2차 고조파 임피던스가 리액턴스 성분만 갖도록 하였으며, 1.4 ~ 2.6 GHz 주파수대역내에서 연속파 (CW) 신호를 사용하여 $40{pm}1$ dBm의 출력 전력과 50 % 이상의 전력부가효율 (Power-Added Efficiency, PAE) 및 60 % 이상의 드레인 효율 (Drain Efficiency, DE)이 측정되었다. -
GaN HEMT를 이용한 고효율 스위칭 모드 도허티 전력증폭기 설계
최길웅, 김형종, 최진주, 김선주, Choi. Gil-Wong, Kim. Hyoung-Jong, Choi. Jin-Joo, Kim. Seon-Joo 한국ITS학회 韓國ITS學會 論文誌 8 Pages
한국ITS학회 韓國ITS學會 論文誌 2010, Vol.9 No.5 72-79 (8 pages)
본 논문은 GaN HEMT (Gallium Nitride High Electron Mobility Transistor)를 이용하여 Class-E 스위칭 모드를 적용한 S-대역 레이더용 고효율 스위칭 도허티 전력증폭기를 설계 및 제작하였다. 제안된 도허티 전력증폭기는 캐리어 증폭기와 피킹 증폭기가 고효율 특성을 갖는 Class-E 스위칭 모드로 구성되었다. 측정을 위한 입력 RF 신호는 $100;{mu}s$의 펄스폭과 1 kHz의 PRF (Pulse Repetition Frequency)인 duty 10%인 펄스 신호를 사용하였다. 2.85 GHz의 주파수 대역에서 스위칭 도허티 전력증폭기 측정결과 포화전력에서 6 dB... -
MOCVD에 의한 GaAs/AlGaAs 초격자 및 HEMT 구조의 성장
김무성, 김용, 엄경숙, 김성일, 민석기, Kim. Moo-Sung, Kim. Yong, Eom. Kyung-Sook, Kim. Sung-Il, Min. Suk-Ki 대한전자공학회 전자공학회논문지 12 Pages
대한전자공학회 전자공학회논문지 1990, Vol.27 No.2 81-92 (12 pages)
MOCVD에 의하여 초격자 및 HEMT 구조를 성장하고 그 특성을 보고한다. GaAs/AlGaAs의 경우, 주기성(periodicity),계면 급준성, Al 조성 균일성을 경사연마 및 double crystal x-ray 측정에 의하여 확인하였고, 고립 양자우물의 양자효과(quantum size effect)에 의한 PL(photoluminescence) 스펙트럼을 관측하였다. 이 PL FWHM (full width at half maximum)과 우물 두께의 관계로 부터 계면 급준성이 1 monolayer fluctuation 정도인 초격자 구조가 성장되었음을 확인하였다. 한편, HEMT 구조의 경우에 헤테로 계면에 형성된 2차원...