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Investigation of the Alignment Phenomena on the a-C:H Thin Films by PECVD System using Ion-beam Alignment Method
Park. Chang-Joon, Hwang. Jeoung-Yeon, Seo. Dae-Shik, Ahn. Han-Jin, Kim. Kyung-Chan, Baik. Hong-Koo 한국전기전자재료학회 Transactions on electrical and electronic materials 4 Pages
한국전기전자재료학회 Transactions on electrical and electronic materials 2004, Vol.5 No.1 15-18 (4 pages)
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PECVD를 이용한 금속 스탬프용 점착방지막 형성과 특성 평가
차남구, 박창화, 조민수, 김규채, 박진구, 정준호, 이응숙, Cha. Nam-Goo, Park. Chang-Hwa, Cho. Min-Soo, Kim. Kyu-Chae, Park. Jin-Goo, Jeong. Jun-Ho, Lee. Eung-Sug 한국재료학회 한국재료학회지 6 Pages
한국재료학회 한국재료학회지 2006, Vol.16 No.4 225-230 (6 pages)
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PECVD로 제조된 비정질 질화탄소 박막의 물성에 미치는 열처리 효과
문형모, 김상섭, Moon. Hyung-Mo, Kim. Sang-Sub 한국재료학회 한국재료학회지 6 Pages
한국재료학회 한국재료학회지 2003, Vol.13 No.5 303-308 (6 pages)
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PECVD로 제조된 비정질 질화탄소 박막의 특성에 미치는 증착변수의 영향
문형모, 김상섭, Moon. Hyung-Mo, Kim. Sang-Sub 한국재료학회 한국재료학회지 5 Pages
한국재료학회 한국재료학회지 2003, Vol.13 No.3 150-154 (5 pages)
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Mesh-type PECVD를 이용한 DC-bias인가 및 수소가스 첨가에 따른 저수소화 비정질 실리콘 박막에 관한 연구
류세원, 권도현, 박성계, 남승의, 김형준, Ryu. Se-Won, Gwon. Do-Hyeon, Park. Seong-Gye, Nam. Seung-Ui, Kim. Hyeong-Jun 한국재료학회 한국재료학회지 5 Pages
한국재료학회 한국재료학회지 2002, Vol.12 No.4 235-239 (5 pages)
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rf PECVD법으로 증착된 DLC film의 광학적 성질
김문협, 송재진, 김성진, Kim. Moon-Hyup, Song. Jae-Jin, Kim. Seong-Jin 한국재료학회 한국재료학회지 6 Pages
한국재료학회 한국재료학회지 2001, Vol.11 No.7 550-555 (6 pages)
rf PECVB법을 이용하여 붕규산 유리 기판 위에 diamond like carbon(DLC) 박막을 증착하였다. 메탄(CH$_4$)-수소(H$_2$) 혼합 가스를 전구체 가스로 사용하였다. DLC 박막의 형상, 구조 및 광학적 특성은 SEM, 라만 및 UV 스펙트럼으로 분석하였다. 증착 속도는 혼합 가스의 수소 농도에 따라 증가하다가, 혼합 가스 유량이 25 sccm 이상에서는 일정하게 되었다. UV스펙트럼으로 계산한 박막의 optical band gap은 증착 시간과 DC serf bias의 증가에 따라 감소하는 경향을 나타냈으나, 수소함량에 의해서는 거의 영향이 없었다. 박막의... -
Pulsed ECR PECVD를 이용한 $SiO_x$ 박막의 성장 및 특성분석
이주현, 정일채, 채상훈, 서영준, 이영백, Lee. Ju-Hyeon, Jeong. Il-Chae, Chae. Sang-Hun, Seo. Yeong-Jun, Lee. Yeong-Baek 한국재료학회 한국재료학회지 6 Pages
한국재료학회 한국재료학회지 2000, Vol.10 No.3 212-217 (6 pages)
일반적으로 TFT(thin film transistor)의 유전체막으로 실리콘 질화막($Si_3$$N_4$)이나 실리콘 산화막(SiO$_2$)을 $200-300^{circ}C$의 온도에서 증착을 하게 되는데 본 연구에서는 비정질 실리콘과 유전체막 사이의 계면 특성 특히 계면의 거칠기를 향상시키기 위해서 기존의 증착법이 아니라 비정질 실리콘(a-Si:H)과 산소 ECR 플라즈마의 반응에 의한 산화 막의 성장법을 시도했는데, 이때 기판은 의도적으로 가열하지 않았으며 특히 본 연구에서는 기존의 시도와는 달리 ECR 플라즈마를 형성할 때 마이크로파 전력에 pulse를 가하는... -
AFM을 이용한 PECVD에 의해 증착된 Sb-doped $SnO_2$ 박막의 표면형상에 관한 연구
윤석영, 김근수, 이원재, 김광호, Yun. Seok-Yeong, Kim. Geun-Su, Lee. Won-Jae, Kim. Gwang-Ho 한국재료학회 한국재료학회지 7 Pages
한국재료학회 한국재료학회지 2000, Vol.10 No.8 525-531 (7 pages)
Corning glass 1737 기판에 안티몬 도핑 산화주석 박막을 증착하였다. 플라즈만 화학증착시 반응변수에 따른 박막의 결정상 및 형성된 표면거칠기에 대하여 XRD와 AFM을 이용하여 검토하였다. 반응온도 $450^{circ}C$, 유입가스비 R[$P_{SbCl}P_{{SnCl}_4}$]=1.12, r.f. power 30W에서 비교적 결정성이 뛰어난 박막을 얻을 수 있었다. 화학증착법(TCVD)에 비해 플라즈마 열화학증착법(PECVD)으로 얻은 박막의 표현형상이 보다 균일하였다. 안티몬 도핑농도가 증가할수록, 증착온고가 낮을수록, 증착두께가 작을수록 박막의 표면거칠기가... -
PECVD에 의한 YSZ(Yttria Stabilized Zirconia)박막 제조
김기동, 신동근, 조영아, 전진석, 최동수, 박종진, Kim. Gi-Dong, Sin. Dong-Geun, Jo. Yeong-A, Jeon. Jin-Seok, Choe. Dong-Su, Park. Jong-Jin 한국재료학회 한국재료학회지 6 Pages
한국재료학회 한국재료학회지 1999, Vol.9 No.3 234-239 (6 pages)
PECVD(Plasma enhanced chemical vapor deposition)을 이용하여 yttria-stabilized zirconia(YSZ) 박막을 제조하였다. 반응물질로 금속유기화합물을 $Zr[TMHD]_4$와 $Y[TMHD]_3$그리고 산소를 사용하였으며, 증착온도는 $425^{circ}C$, rf power는 0~100W까지 적용하였다. YSZ 박막은 (200)면이 기판에 평행한 입벙정상 구조를 가졌으며, 1시간 내에 $1mu extrm{m}$ 두께를 형성하였다. EDX에 의한 막의 성분분석 결과로부터 환산된 박막내의 $Y_2O_3$의 함량은 0-36%의 범위였다. 버블러의 온도 및 운반기체의 유량이 증가함에 따라...