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401.

The Morphology, Structure and Melting Behaviour of Cold Crystallized Isotactic Polystyrene

Marega. Carla, Causin. Valerio, Marigo. Antonio 한국고분자학회 Macromolecular research 8 Pages

한국고분자학회 Macromolecular research 2006, Vol.14 No.6 588-595 (8 pages)

Marega. Carla, Causin. Valerio, Marigo. Antonio 저

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402.

폴리우레탄/유기화 점토 나노복합체의 모폴로지와 기계적 물성

박규남, 윤관한, 방대석, Park. Kyu-Nam, Yoon. Kwan-Han, Bang. Dae-Suk 한국고무학회 엘라스토머 8 Pages

한국고무학회 엘라스토머 2007, Vol.42 No.4 224-231 (8 pages)

박규남, 윤관한, 방대석, Park. Kyu-Nam, Yoon. Kwan-Han, Bang. Dae-Suk 저

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신장율을 고려할 때 organoclay 93A가 가장 우수하였다. 초음파를 사용하여 organoclay를 분산시킨 나노복합체의 경우 초음파를 사용하지 않은 경우보다 인장강도 및 탄성율은 1.2배 증가하였고 경도는 90에서 95로 증가하였으며 신장율은 600% 이상 얻어졌다. 나노복합체의 열 안정성은 PU와 큰 차이를 보이지 않았다. X선 회절 (XRD, X-ray diffraction)을 통하여 나노복합체내에 있는 organoclay의 층간 판상거리가 2.5 nm에서 3.3 nm로 증가함을 관찰하였다. 이는 organoclay가 PU 내에서 완전 박리가 안되고 삽입된 것을 의미하며...
403.

Monitoring Oxidation Behavior of [C70]Fullerene by Ultrasonic Spectroscopy

고원배, Ko. Weon Bae 한국고무학회 Elastomers and composites 5 Pages

한국고무학회 Elastomers and composites 2014, Vol.49 No.2 155-159 (5 pages)

고원배, Ko. Weon Bae 저

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1,2-dichlorobenzene용액에서 [$C_{70}$]풀러렌과 3-chloroperoxy benzoic acid 산화반응의 거동을 고분해능 초음파 분광기를 사용하여 고찰하였다. UV-vis spectroscopy, X-ray diffraction을 가지고 [$C_{70}$]풀러렌 산화 반응의 생성물을 확인하였다.
404.

AlN 단결정의 품질평가를 위한 molten KOH/NaOH eutectic alloy의 화학적 습식에칭

박철우, 박재화, 홍윤표, 오동근, 최봉근, 이성국, 심광보, Park. Cheol Woo, Park. Jae Hwa, Hong. Yoon Pyo, Oh. Dong Keun, Choi. Bong Geun, Lee. Seong Kuk, Shim. Kwan 한국결정성장학회 한국결정성장학회지 5 Pages

한국결정성장학회 한국결정성장학회지 2014, Vol.24 No.6 237-241 (5 pages)

박철우, 박재화, 홍윤표, 오동근, 최봉근, 이성국, 심광보, Park. Cheol Woo, Park. Jae Hwa, Hong. Yoon Pyo, Oh. Dong Keun, Choi. Bong Geun, Lee. Seong Kuk, Shim. Kwan 저

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에치핏의 형상을 파악하여 결함특성을 관찰하였고, 이로부터 결함 밀도를 계산하여 $2{ imes}10^6/cm^2{sim}10^{10}/cm^2$의 결과를 얻었다. N-face의 경우 육각 뿔(hexagonal pyramids) 형태의 격자결함이 형성되었다. 또한 AlN 웨이퍼의 성장 시 배향을 관찰하기 위해 XRD(X-Ray Diffraction, Rigaku, JAPAN)를 이용하여 분석한 결과 육방정 AlN의 C축 방향에 해당되는 (0002) 및 (0004) 면으로 배향된 상태임을 알 수 있었고, DC-XRD(Double Crystal X-ray Diffraction, bruker, Germany)를 이용하여 rocking curve의 위치에 따라...
405.

저가의 cryogenic milling 비진공법을 이용한 나노입자 CuInSe2 광흡수층 제조

김기현, 박병옥, Kim. Ki-Hyun, Park. Byung-Ok 한국결정성장학회 한국결정성장학회지 6 Pages

한국결정성장학회 한국결정성장학회지 2013, Vol.23 No.2 108-113 (6 pages)

김기현, 박병옥, Kim. Ki-Hyun, Park. Byung-Ok 저

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제조되었으며, Al/ZnO/CdS/CIS/Mo 구조의 CIS 태양전지는 evaporation, sputtering 및 chemical bath deposition(CBD) 등 다양한 증착 방법으로 각각 제조하였다. 결론적으로, 나노입자를 이용한 CIS 태양전지 전기적 변환효율은 1.74 %를 얻었으며, 개방전압(Voc)는 29 mV, 합선전류밀도(Jsc)는 35 $mA/cm^2$, 그리고 충진율(FF)은 17.2 %였다. 나노입자 CIS 광흡수층은 energy dispersive spectroscopy(EDS), x-ray diffraction(XRD) 그리고 high-resolution scanning electron microscopy(HRSEM) 등으로 특성 분석을 하였다.
406.

HVPE에 의해 성장된 AlGaN epi layer의 특성

정세교, 전헌수, 이강석, 배선민, 윤위일, 김경화, 이삼녕, 양민, 안형수, 김석환, 유영문, 천성학, 하홍주, Jung. Se-Gyo, Jeon. Hun-Soo, Lee. Gang-Seok, Bae. Seon-Min, Yun. Wi-Il, Kim. Kyoun 한국결정성장학회 한국결정성장학회지 4 Pages

한국결정성장학회 한국결정성장학회지 2012, Vol.22 No.1 11-14 (4 pages)

정세교, 전헌수, 이강석, 배선민, 윤위일, 김경화, 이삼녕, 양민, 안형수, 김석환, 유영문, 천성학, 하홍주, Jung. Se-Gyo, Jeon. Hun-Soo, Lee. Gang-Seok, Bae. Seon-Min, Yun. Wi-Il, Kim. Kyoun 저

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이들의 격자상수와 열팽창계수 차이로 인해 어렵다. 본 논문에서, multi-sliding boat법이 적용된 혼합소스 HVPE법을 이용하여 GaN template 위에 LED 구조를 성장하였다. 활성층의 Al 조성을 조절함으로써 AlGaN의 격자상수 변화와 광학적 변화를 관찰하고자 하였다. 에피 성장을 위해 HCl과 $NH_3$ 가스를 혼합소스 표면으로 흘려주었고, 수송가스로는 $N_2$를 사용하였다. 소스영역과 성장영역의 온도는 각각 900과 $1090^{circ}C$로 안정화하였다. 성장 후 샘플은 x-ray diffraction(XRD)과 electro luminescence(EL) 측정을 하였다.
407.

HVPE법으로 성장시킨 GaN substrate 제작과 특성 평가

오동근, 최봉근, 방신영, 은종원, 정준호, 이성국, 정진현, 심광보, Oh. Dong-Keun, Choi. Bong-Geun, Bang. Sin-Young, Eun. Jong-Won, Chung. Jun-Ho, Lee. Seong-Kuk, Chung. 한국결정성장학회 한국결정성장학회지 4 Pages

한국결정성장학회 한국결정성장학회지 2010, Vol.20 No.4 164-167 (4 pages)

오동근, 최봉근, 방신영, 은종원, 정준호, 이성국, 정진현, 심광보, Oh. Dong-Keun, Choi. Bong-Geun, Bang. Sin-Young, Eun. Jong-Won, Chung. Jun-Ho, Lee. Seong-Kuk, Chung. 저

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성장된 GaN 단결정의 X-ray diffraction pattern 결과 (002) 및 (004) 면으로부터의 회절에 의한 peak가 나타났으며, (002) 면의 DCXRD(Double crystal X-Ray diffraction) rocking curve peak의 반치폭(FWHM)은 98 arcsec으로 나타났다. 제작한 GaN template는 363 nm 파장에서 sharp한 PL spectrum을 나타내었으며, 불순물 defect에 의한 yellow 영역에서의 broad peak은 관찰되지 않았으며, 제작된 GaN template표면의 etch-pit 밀도는 $5{ imes}10^6/cm^2$으로 매우 낮았다. 이러한 분석결과를 통하여 성장된 GaN template는 LED 및...
408.

CuInGaSe(CIGS)혼합 소스의 제작과 특성

이아름, 전헌수, 이강석, 옥진은, 조동완, 김경화, 양민, 이삼녕, 안형수, 조채용, 손상호, 하홍주, Lee. Ah-Reum, Jeon. Hun-Soo, Lee. Gang-Suok, Ok. Jin-Eun, Cho. Dong-Wan, Kim. Kyung-Hw 한국결정성장학회 한국결정성장학회지 6 Pages

한국결정성장학회 한국결정성장학회지 2010, Vol.20 No.1 1-6 (6 pages)

이아름, 전헌수, 이강석, 옥진은, 조동완, 김경화, 양민, 이삼녕, 안형수, 조채용, 손상호, 하홍주, Lee. Ah-Reum, Jeon. Hun-Soo, Lee. Gang-Suok, Ok. Jin-Eun, Cho. Dong-Wan, Kim. Kyung-Hw 저

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CuInGaSe(CIGS) 혼합 소스를 형성하였다. 각 금속들은 일정 비율로 혼합하였고, $1090^{circ}C$에서 1시간 30분간 soaking 하였다. 혼합된 소스를 분말형태로 만든 후, 직경 10 mm 크기의 pellet을 만들었다. 시료는 혼합소스 HVPE 에서 소성 한 후 e-beam 으로 Mo이 증착된 기판 위에 증착하였다. Scanning electron microscope(SEM), Energy dispersive X-ray spectrum(EDS) 그리고 X-ray diffraction(XRD) 측정을 통하여 그 특성을 분석하였으며 박막의 특성은 (112), (204)/(220), (116)/(312)그리고 (400) 방향 등의 다결정 특성을...
409.

열화학기상증착법을 이용한 Si 기판 위의 $SnO_2$ 나노와이어 제작 및 물성평가

이득희, 박현규, 이삼동, 정순욱, 김상우, Lee. Deuk-Hee, Park. Hyun-Kyu, Lee. Sam-Dong, Jeong. Soon-Wook, Kim. Sang-Woo 한국결정성장학회 한국결정성장학회지 4 Pages

한국결정성장학회 한국결정성장학회지 2007, Vol.17 No.3 91-94 (4 pages)

이득희, 박현규, 이삼동, 정순욱, 김상우, Lee. Deuk-Hee, Park. Hyun-Kyu, Lee. Sam-Dong, Jeong. Soon-Wook, Kim. Sang-Woo 저

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반응 원료로 대기압 하 $950{sim}100^{circ}C$ 온도 범위, $750{sim}800;sccm$ 아르곤 분위기에서 $SnO_2$ 나노와이어를 성장시켰다. X-ray diffraction 분석을 통해 성장한 $SnO_2$ 나노와이어가 tetragonal rutile 구조임을 확인하였고, transmission electron microscopy 분석을 통해 단일 나노와이어의 결정 특성을 분석하였다. 또한, 상온 photoluminescence 분석을 통해 나노와이어 샘플로부터 600 nm 부근에서 나타나는 defect level 천이에 의한 넓은 emission band를 확인함으로써 성장한 나노와이어 $SnO_2$임을 확인하였다.
410.

HWE 방법에 의한 $AgGaS_2$단결정 박막성장과 특성에 관한 연구

홍광준, 정준우 한국결정성장학회 한국결정성장학회지 10 Pages

한국결정성장학회 한국결정성장학회지 1998, Vol.8 No.2 211-220 (10 pages)

홍광준, 정준우 저

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때 이중결정 X-선 요동곡선(double crystal X-ray diffraction rocking curve, DCRC)의 반폭치(FWHM)값이 124 arcsec로 가장 작아 최적 성장조건이었다. 상온에서 $AgGaS_2$ 단결정 박막의 광흡수 특성으로부터 에너지 띠간격이 2.61cV였다. Band edge에 해당하는 광전도도 peak의 온도 의존성은 Varshni 관계식으로 설명되었으며, Vaeshni 관계식의 상수값은 Eg(0) = 2.7284eV, $alpha$= 8.695$ imes$10-4 eV/K, $eta$= 332K 로 주어졌다. 광발광 봉우리는 20K에서 414.3nm(2.9926eV)와 414.1nm(2.7249eV)는 free exciton(Ex)의 upper...

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