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441.

$SiO_2$와 Co/Ti 이중층 구조의 상호반응

권영재, 이종무, 배대록, 강호규 한국진공학회 韓國眞空學會誌 6 Pages

한국진공학회 韓國眞空學會誌 1998, Vol.7 No.3 208-213 (6 pages)

권영재, 이종무, 배대록, 강호규 저

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삽 입한 Co/Ti/Si 이중층 구조의 실리사이드화가 관심을 끌고 있다. Co/Ti 이중층을 이용한 salicide 트랜지스터가 성공적으로 만들어지기 위해서는 gate 주위의 spacer oxide위에 증착 된 Co/Ti 이중층을 급속열처리할 때 Co/Ti와 $SiO_2$간의 계면에서의 상호반응에 대하여 조사 하였다. Co/Ti 이중층은 $600^{circ}C$에서 열처리한 후 면저항이 급격하게 증가하기 시작하였는데, 이것은 Co층이 $SiO_2$와의 계면에너지를 줄이기 위하여 응집되기 때문이다. 이때 Co/Ti의 열 처리후 Ti에 의하여 $SiO_2$기판의 일부가 분해됨으로써...
442.

동시 스퍼터링법에 의한$Pb(Fe^{0.5},Nb^{0.5}O_3$박막의 제조 및 특성 평가에 대한 연구

이상욱, 신동석, 최인훈 한국진공학회 韓國眞空學會誌 7 Pages

한국진공학회 韓國眞空學會誌 1998, Vol.7 No.1 17-23 (7 pages)

이상욱, 신동석, 최인훈 저

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결정화가 더욱 우세하였다. 이는$SiO_2$기판의 경우 Pb의 확산에 의해 결정화가 잘 되지 못하기 때문이다. Pt/Ti/$SiO_2$/Si 기판 위에 증착시킨 PFN박막의 경우 perovskite상과 pyrochlore상이 공존하였다. Perovskite 상으로의 상변태에 대한 중요한 변수로는 열처리 온도와 Pb의 함량인 것이 확인되었으며, Pb의 함량이 화학양론적 조성비에 비해 5-10%정도 과량일수록 perovskite상으로의 상변태 온도가 낮아지고 상전이 정도가 향상되는 것으로 나타났으며, 급속 열처리 후 XRD를 이용 한 결정성 분석결과를 통해 결정한...
443.

C-V 측정에 의한 Cu 확산방지막 특성 평가

이승윤, 라사균, 이원준, 김동원, 박종욱 한국진공학회 韓國眞空學會誌 8 Pages

한국진공학회 韓國眞空學會誌 1996, Vol.5 No.4 333-340 (8 pages)

이승윤, 라사균, 이원준, 김동원, 박종욱 저

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Cu 확산방지막으로서의 Tin의 특성을 면저항 특정, X선 회절 분석, SEM, AES, capacitance-voltage(C-V) 측정에 의하여 평가하고, Cu의 확산을 민감하게 알아내는 정도를 특성 평가 방법간에 비교하였다. 여러 가지 증착방법에 의하여 Cu/TiN/Ti/SiO2/Si 구조의 다층 박막시편을 제작하였으며, 이 시편을 10% H2/90% Ar분위기, 열처리 온도 500~$800{circ}C$ 범위에서 2시간 동안 열처리하였다. TiN의 Cu 확산방지 효과가 소멸된 경우 Cu 박막 표면에서 불규칙한 모양의 spot을 관찰할 수 있었으며 outdiffusion된 Si를 검출할 수 있었다....
444.

동시증착에 의한 Si(111)-7$ imes$7 기판 위에 $TiSi_2$ 에피택셜 성장

최치규, 류재연, 오상식, 염병렬, 박형호, 조경익, 이정용, 김건호 한국진공학회 韓國眞空學會誌 9 Pages

한국진공학회 韓國眞空學會誌 1994, Vol.3 No.4 405-413 (9 pages)

최치규, 류재연, 오상식, 염병렬, 박형호, 조경익, 이정용, 김건호 저

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기판 Si(111)-7$ imes$7 위에 Ti:Si 또는 1:2의 조성비로 Ti와 Si을 동시증착한 후 in situ 열처리하여 TiSi2 박막을 에피택셜 성장시켰다 XRD와 XPS 분석결과 동시증착된 혼합 층에서 C49-TiSi2 박막의 성장은 핵형성에 의함을 확인하였으며 양질의 C49-TiSi2 박막은 Ti를 증착한후 Ti와 Si를 동시 증착한 (Ti+2Si)/(Ti)/Si(111)-7$ imes$7구조의 시료를 초고진공에서 50$0^{circ}C$에서 열처리하여 얻을수 있었다. 형성된 C49-TiSi2/Si(111)의 계면은 깨끗하였고 HRTEM 분석 결과 C49-TiSi2ulcornerSi(111)의 계면은 약 10。 의...
445.

한국형 체감온도지수 개발연구(I) -기존 체감온도지수 분포 및 민감도 분석 -

박종길, 정우식, 김은별, 박길운, Park. Jong-Kil, Jung. Woo-Sik, Kim. Eun-Byul, Park. Gil-Un 한국지구과학회 한국지구과학회지 13 Pages

한국지구과학회 한국지구과학회지 2007, Vol.28 No.7 878-890 (13 pages)

박종길, 정우식, 김은별, 박길운, Park. Jong-Kil, Jung. Woo-Sik, Kim. Eun-Byul, Park. Gil-Un 저

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민감도 분석을 수행하였다. 분석 결과 한반도는 도심지역, 해안도서지역, 내륙지역, 산간지역으로 구분되었다. 평균기온의 경우, 해안도서지역에서 가장 높았으며, 산간지역에서 가장 낮게 나타났다. 그러나 최저기온은 도심지역과 해안도서지역에서 영하 $20^{circ}C$이고, 내륙지역과 산간지역에서 영하 $30^{circ}C$로 나타났다. 풍속의 경우, 평균 풍속과 최대 풍속이 모두 해안도서지역에서 강하게 나타났다. 그리고 동계의 지역별 기온과 풍속의 분포는 전 기간의 분포와 비슷한 경향을 보였다. JAG/TI와 Missenard 모델의 민감도...
446.

고주파소자의 기판용 $Pb(Mn_{1/3}Nb_{2/3})O_3+PZT$ 세라믹스의 압전특성에 $Cr_2O_3$의 첨가가 미치는 영향

이개명, 백동수, 윤석진, 홍재일, 박창엽 한국전기전자재료학회 電氣電子材料學會誌= The journal of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers 14 Pages

한국전기전자재료학회 電氣電子材料學會誌= The journal of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers 1992, Vol.5 No.1 14-27 (14 pages)

이개명, 백동수, 윤석진, 홍재일, 박창엽 저

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제작된 0.05Pb(M $n_{1}$3/N $b_{2}$3/) $O_{3}$+ 0.95Pb(Z $r_{0.47}$ $Ti_{0.53}$) $O_{3}$ 세라믹스에 있어서 C $r_{2}$ $O_{3}$의 첨가량이 그 시편의 구조적특성, 유전특성, 압전특성, 온도안정성 및 포아손비에 미치는 영향이 조사되었다. C $r_{2}$ $O_{3}$의 첨가량의 범위가 0.3~0/75[wt%]인 시편만이 포아손비가 1/3이상으로 주파수저하형 에너지포획소자의 기판으로 사용될 수 있으며 이 중에서 C $r_{2}$ $O_{3}$의 첨가량이 0.5[wt%]인 시편이 보다 우수한 압전특성과 안정된 주파수 온도특성을 갖고 있다. 있다.
447.

Microwave Dielectric Properties of (${Pb_{0.2}}{Ca_{0.8}}$)[$({Ca_{1/3}}{Nb_{2/3}})_{1-x}{Ti_x}$$O_3$ 세라믹스의 마이크로파 유전특성

김응수, 김용현, 김준철, 방규석, Kim. Eung-Soo, Kim. Yong-Hyun, Kim. Jun-Chul, Bang. Kyu-Seok 한국재료학회 한국재료학회지 5 Pages

한국재료학회 한국재료학회지 2001, Vol.11 No.8 708-712 (5 pages)

김응수, 김용현, 김준철, 방규석, Kim. Eung-Soo, Kim. Yong-Hyun, Kim. Jun-Chul, Bang. Kyu-Seok 저

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B-자리 양이온의 평균이온반겨의 세제곱의 반비례하였다. 그러나 결정립 크기의 감소와 제 2상의 존재로 인하여 Qf값은 감소하였다. $Ti^{4+}$ 치환량이 증가됨에 따리 tolerance factor(t)와 B-자리 결합원자가의 영향으로 공진주파수의 온도계수(TCF)는 -27.36ppm/$^{circ}C$값으로부터 +18ppm/$^{circ}C$r값으로 조절되었다. $1350^{circ}C$d서 3시간 소결한 ($Pb_{0.2}$ $Ca_{0.8}$ )[(Ca$_{1}$3$Nb_{2}$3)$_{1-x}$ /$Ti_{x}$]$O_{3}$ 시편에서 K=51.67, Qf=7268(GHz), TCF=0 ppm/$^{circ}C$의 우수한 특성을 얻을 수 있었다.
448.

Cu oxide의 형성과 H(hfac) 반응을 이용한 Cu 박막의 건식식각

양희정, 홍성진, 조범석, 이원희, 이재갑, Yang. Hui-Jeong, Hong. Seong-Jin, Jo. Beom-Seok, Lee. Won-Hui, Lee. Jae-Gap 한국재료학회 한국재료학회지 6 Pages

한국재료학회 한국재료학회지 2001, Vol.11 No.6 527-532 (6 pages)

양희정, 홍성진, 조범석, 이원희, 이재갑, Yang. Hui-Jeong, Hong. Seong-Jin, Jo. Beom-Seok, Lee. Won-Hui, Lee. Jae-Gap 저

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Cu 박막의 식각율은 50-700 /min의 범위를 보였으며, 기판온도, H(hfac)/O$_2$ 유량비, plasma power에 따라 변하였다. Cu 박막의 식각율은 기판온도 215$^{circ}C$보다 높은 온도구간에서 RF power가 증가함에 따라 증가하였고, 산화 공정과 H (hfac)과의 반응이 균형을 이루는 최적의 H (hfac)/O$_2$ 유량비는 1:1임을 확인하였다. Ti mask를 사용한 Cu Patterning은 유량비 1 : 1, 기판온도 25$0^{circ}C$에서 실시하였고, 30$^{circ}$외 taper slope를 갖는 등방성 etching profile을 얻을 수 있었다. Taper angle을 갖는 Cu 건식...
449.

급냉응고법으로 제조한 Zr-Ni-Cu-Al-Ti 합금의 열적, 기계적 성질

최익석, 한태교, 지용권, 임병문, 김영환, 김인배, Choe. Ik-Seok, Han. Tae-Gyo, Ji. Yong-Gwon, Im. Byeong-Mun, Kim. Yeong-Hwan, Kim. In-Bae 한국재료학회 한국재료학회지 7 Pages

한국재료학회 한국재료학회지 2001, Vol.11 No.3 171-177 (7 pages)

최익석, 한태교, 지용권, 임병문, 김영환, 김인배, Choe. Ik-Seok, Han. Tae-Gyo, Ji. Yong-Gwon, Im. Byeong-Mun, Kim. Yeong-Hwan, Kim. In-Bae 저

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$Ti_3$+CuTi의 결정화 거동을 보였다. 시효온도가 증가할수록 비정질 모상에 석출상의 체적율( $V_{f}$ )이 증가하고 그에 따라 비커스 경도 ( $H_{v}$ )간이 증가하였다. 파괴인장강도($sigma_{f}$ )는 $V_{f}$ 의 증가에 따라 증가하다가 Z $r_{59}$A $l_{10}$N $i_{20}$C $u_{8}$ $Ti_3$은 $V_{f}$ =38%에서 1219MPa의 최대값을 보이고, Z $r_{56}$A $l_{10}$N $i_{20}$C $u_{8}$ $Ti_{6}$은 $V_{f}$ =2%에서 1203MPa의 최대값을 보이고, Z $r_{53}$A $l_{10}$N $i_{20}$C $u_{8}$ $Ti_{9}$ $V_{f}$ =5%에서 1350MPa의 최대값을...
450.

Si 기판상에 DC 마그네트론 스퍼터링방식에 의한 Pt(200) 박막의 배향성장

장지근, 김민영, 박용익, 장호정, Jang. Ji-Geun, Kim. Min-Yeong, Park. Yong-Ik, Jang. Ho-Jeong 한국재료학회 한국재료학회지 5 Pages

한국재료학회 한국재료학회지 1999, Vol.9 No.3 229-233 (5 pages)

장지근, 김민영, 박용익, 장호정, Jang. Ji-Geun, Kim. Min-Yeong, Park. Yong-Ik, Jang. Ho-Jeong 저

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Ti/SiO_2$/Si 구조 위에 Pt(200) 박막을 배향 성장시키기 위해 증착조건(스퍼터링 가스의 종류와 압력, 기판의 온도)과 후속열처리(RTA, Furnace annealing)에 따른 Pt 박막의 전기, 결정학적 특성을 조사하였다. 실험결과, 20mTorr의 Ar+O$_2$(20%)의 혼합가스 분위기에서 기판온도를 $500^{circ}C$로 유지하여 Pt박막을 증착하고$ 600^{circ}C$에서 30초간 급속 열처리를 실시한 경우, 90% 이상의 결정 배항도를 갖는 Pt(200) 박막을 제작할 수 있었다. 제작된 Pt(200) 박막은 $30~40mu$Ω.cm의 낮은 전기저항율과 우수한 열적 안정성을...

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