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열화학기상증착법을 이용한 Si 기판 위의 $SnO_2$ 나노와이어 제작 및 물성평가
이득희, 박현규, 이삼동, 정순욱, 김상우, Lee. Deuk-Hee, Park. Hyun-Kyu, Lee. Sam-Dong, Jeong. Soon-Wook, Kim. Sang-Woo 한국결정성장학회 한국결정성장학회지 4 Pages
한국결정성장학회 한국결정성장학회지 2007, Vol.17 No.3 91-94 (4 pages)
반응 원료로 대기압 하 $950{sim}100^{circ}C$ 온도 범위, $750{sim}800;sccm$ 아르곤 분위기에서 $SnO_2$ 나노와이어를 성장시켰다. X-ray diffraction 분석을 통해 성장한 $SnO_2$ 나노와이어가 tetragonal rutile 구조임을 확인하였고, transmission electron microscopy 분석을 통해 단일 나노와이어의 결정 특성을 분석하였다. 또한, 상온 photoluminescence 분석을 통해 나노와이어 샘플로부터 600 nm 부근에서 나타나는 defect level 천이에 의한 넓은 emission band를 확인함으로써 성장한 나노와이어 $SnO_2$임을 확인하였다. -
Synthesis and Characterization of New Anthracene-Based Blue Host Material
So. Ki-Ho, Park. Hyun-Tae, Shin. Sung-Chul, Lee. Sang-Gyeong, Lee. Dong-Hui, Lee. Kyeong-Hoon, Oh. Hyeong-Yun, Kwon. Soon-Ki, Kim. Yun-H 대한화학회 Bulletin of the Korean Chemical Society 5 Pages
대한화학회 Bulletin of the Korean Chemical Society 2009, Vol.30 No.7 1611-1615 (5 pages)
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Self-Consistent 방법에 의한 GaInAs/InP 이종접합에서의 전자 부밴드 구조계산
공준진, 박성호, 김충원, 한백형, Kong. Joon-Jin, Park. Seong-Ho, Kim. Choon-Won, Han. Baik-Hyung 대한전자공학회 전자공학회논문지 10 Pages
대한전자공학회 전자공학회논문지 1989, Vol.26 No.1 38-47 (10 pages)
GaInAs/InP 이종접합(heterojunction)에서의 부밴드 구조(subband structure)를 self-consistent 방법으로구하였다. GaInAs내의 background impurity와 장벽높이 (barrier height 또는 밴드 불연속: band discontinuity)가 에너지 준위(energy level), 페르미 준위(Fermi level)와 점유율(population)등에 미치는 영향을 살펴보기 위하여, background impurity 농도의 경우 $1.0{ imes}10^{14},;1.0{ imes}10^{15},;1.0{ imes}10^{16};[cm^{-3}]$, 장벽높이는 0.3, 0.53[eV]에 대하여 각각 살펴 보았다. Background impurity 농도가... -
ZnTe-InSb Heterojunction의 전기적 특성
대한전자공학회 電子工學會誌 1975, Vol.12 No.4 35-40 (6 pages)
by interface alloying technique. The structure of this beterojunction had p-i-n which semi-insulating ZnTe laver at interface of this heterojunction was formed by diffusing In of InSb into ZnTe crystal. The current transport mechanism of this heterojunction was Spacecharge-Limited-Current(SCLC) mechanism by hole at semi-insulating ZnTe layer. The hole wart injected from valence band of p- type SnTe crystal. Orange color electroluminescence was observed at this heterojunction when forward and... -
LTE, ISM, WLAN에 적용 가능한 Arm 구조 삼중대역 안테나 최적 설계
이승제, 오승훈, 이정혁, 김형석, Lee. Seung-Je, Oh. Seung-Hun, Lee. Jeong-Hyeok, Kim. Hyeong-Seok 대한전기학회 전기학회논문지= The Transactions of the Korean Institute of Electrical Engineers 6 Pages
대한전기학회 전기학회논문지= The Transactions of the Korean Institute of Electrical Engineers 2014, Vol.63 No.12 1655-1660 (6 pages)
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광 결정의 나노 구조를 갖는 Rugate 다공성 실리콘의 반치폭 값에 대한 특성 분석
권용희, Kwon. Yonghee 조선대학교 기초과학연구원 조선자연과학논문집 4 Pages
조선대학교 기초과학연구원 조선자연과학논문집 2009, Vol.2 No.1 41-44 (4 pages)
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Nb를 포함하는 불소산화물에서 구조적 뒤틀림에 따른 에너지 띠 간격의 변화
김현준, 김승주, Kim. Hyun-Jun, Kim. Seung-Joo 대한화학회 대한화학회지 5 Pages
대한화학회 대한화학회지 2007, Vol.51 No.3 265-269 (5 pages)
국부적인 결정구조와 에너지 띠 간격 간 상관관계를 고찰하기 위하여 Nb를 포함하는 일련의 불소 산화물에 대하여 결정구조와 자외선-가시광선 확산 반사율 스펙트럼을 비교, 연구하였다. 이 실험에서 다룬 RbSrNb2O6F와 RbCaNb2O6F, RbNb2O5F는 공통적으로, 꼭지점 공유를 하고 있는 NbO5F 팔면체로 구성되어 있 다. 구조적 뒤틀림 정도의 척도로 볼 수 있는 Nb-O(F)-Nb 평균 결합각은 RbSrNb2O6F에서 158.6°, RbCaNb2O6F 에서 149.6° 그리고 RbNb2O5F에서 139.5o이다. 확산 반사율 스펙트럼으로부터 구한 에너지 띠 간격은 Nb-O(F)-Nb...