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금속 표면 제염을 위한 코발트의 플라즈마 식각 반응 연구
전상환, 김용수, Jeon. Sang-Hwan, Kim. Yong-Soo 한국방사성폐기물학회 방사성폐기물학회지 7 Pages
한국방사성폐기물학회 방사성폐기물학회지 2008, Vol.6 No.1 17-23 (7 pages)
이 연구에서는 플라즈마 제염 기술의 실용화를 위해 $CF_4/O_2$, $SF_6/O_2$, $NF_3$ 등의 반응성 플라즈마 기체를 이용하여 원자력 시설의 주요 오염원인 코발트 핵종에 대한 표면 제염 모의실험을 수행하였다. 디스크 형태의 금속코발트에 대하여 시편 표면 온도를 변수로 플라즈마 식각 실험을 수행한 결과 반응율은 $420^{circ}C$에서 $NF_3$ 기체의 경우 $17.2;{mu}m/min.$ 그리고 $SF_6$와 $CF_6/O_2$ 기체의 경우 각각 $2.56;{mu}m/min.$과 $1.14;{mu}m/min.$이었으며, 이들 반응의 활성화에너지는 각각 39.4 kJ/mol, 42.1 kJ/mol,... -
실리콘 기판과 $CoSi_2$ 버퍼층 위에 HVPE로 저온에서 형성된 GaN의 에피텍셜 성장 연구
하준석, 박종성, 송오성, 장지호, Ha. Jun-Seok, Park. Jong-Sung, Song. Oh-Sung, Jang. Ji-Ho 한국결정성장학회 한국결정성장학회지 6 Pages
한국결정성장학회 한국결정성장학회지 2009, Vol.19 No.4 159-164 (6 pages)
실리콘 기판에 GaN 에피성장을 확인하기 위해, P형 Si(100), Si(111) 기판 전면에 버퍼층으로 40 nm 두께의 코발트실리사이드를 형성시켰다. 형성된 코발트실리사이드 층에 연속으로 HVPE(hydride vapor phase epitaxy)로 하나는 $850^{circ}C$-12분 + $1080^{circ}C$-30분(공정I)과, 또 하나 조건은 $557^{circ}C$-5분 + $900^{circ}C$-5분(공정II) 조건으로 각각 나누어 진행하여 보았다. GaN의 에피성장을 광학현미경, 주사전자현미경, 주사탐침현미경, 그리고 HR-XRD로 확인하였다. 공정I로는 GaN의 에피성장이 진행되지 않았으며,... -
미립 코발트분말 합성을 위한 polyol공정에서 비균질계 핵생성 반응
김동진, 정헌생, 우상덕, 이재장, 안종관 한국결정성장학회 한국결정성장학회지 7 Pages
한국결정성장학회 한국결정성장학회지 2002, Vol.12 No.2 73-79 (7 pages)
코발트, 니켈, 구리 그리고 귀금속분말에 적용할 수 있는 polyol법은 균질한 크기와 형상을 갖는 금속분말합성에 매우 효과적인 공정이다 이 때 polyol은 용매, 환원제 그리고 보호제의 역학을 한다 $AgNO_3$글 촉매제로 첨가하여 비균질계 핵생성 반응을 야기할 경우 서브마이크폰 크기(0.5$mu$m)의 코발트 분말을 한성학 수 있었다. 또한 촉매제인 Ag 핵의 수출 변화시키므로써 코발트 분말의 입도를 제어할 수 있음을 확인하였다. -
Ambidentate Ligand의 금속착물 (제2보). Isonitrosobenzoylacetone 의 코발트 (III) 및 팔라듐 (II) 착물
이만호, 오대섭, 김수한, Lee. Man Ho, Oh. Dae Sup, Kim. Soo Han 대한화학회 대한화학회지 8 Pages
대한화학회 대한화학회지 1980, Vol.24 No.2 121-128 (8 pages)
Ambidentate 리간드인 isonitrosobenzoylacetone을 리간드로 하는 금속착물, tris(isonitrosobenzoylacetonato)cobalt(III) 및 bis(isonitrosobenzoylacetonato)palladium(II)을 합성한 후 분광학적 방법에 의하여 이들의 결합구조를 조사하였다. 즉 착물에서 리간드는 아세틸기의 산소 및 이소니트로소의 질소원자를 통하여 금속에 배위되어 5원의 킬레이트고리를 이루고 있음을 알 수 있었다. 이 결합구조는 Patel과 Haldar등이 얻었던 isonitrosoacetylacetone착물의 그 것들과 유사하다.