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451.

저가의 cryogenic milling 비진공법을 이용한 나노입자 CuInSe2 광흡수층 제조

김기현, 박병옥, Kim. Ki-Hyun, Park. Byung-Ok 한국결정성장학회 한국결정성장학회지 6 Pages

한국결정성장학회 한국결정성장학회지 2013, Vol.23 No.2 108-113 (6 pages)

김기현, 박병옥, Kim. Ki-Hyun, Park. Byung-Ok 저

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제조되었으며, Al/ZnO/CdS/CIS/Mo 구조의 CIS 태양전지는 evaporation, sputtering 및 chemical bath deposition(CBD) 등 다양한 증착 방법으로 각각 제조하였다. 결론적으로, 나노입자를 이용한 CIS 태양전지 전기적 변환효율은 1.74 %를 얻었으며, 개방전압(Voc)는 29 mV, 합선전류밀도(Jsc)는 35 $mA/cm^2$, 그리고 충진율(FF)은 17.2 %였다. 나노입자 CIS 광흡수층은 energy dispersive spectroscopy(EDS), x-ray diffraction(XRD) 그리고 high-resolution scanning electron microscopy(HRSEM) 등으로 특성 분석을 하였다.
452.

ICP 표면 처리된 Si 기판 위에 성장된 Ge 층의 초기 성장 상태 연구

양현덕, 길연호, 심규환, 최철종, Yang. Hyun-Duk, Kil. Yeon-Ho, Shim. Kyu-Hwan, Choi. Chel-Jong 한국결정성장학회 한국결정성장학회지 5 Pages

한국결정성장학회 한국결정성장학회지 2011, Vol.21 No.4 153-157 (5 pages)

양현덕, 길연호, 심규환, 최철종, Yang. Hyun-Duk, Kil. Yeon-Ho, Shim. Kyu-Hwan, Choi. Chel-Jong 저

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위에 Low Pressure Chemical Vapor Deposition(LPCVD)를 이용하여 Ge 층을 이종접합 성장하고, Ge 층 성장 초기의 표면 상태를 Scanning Electron Microscopy(SEM)을 통해 분석하였다. ICP를 이용하여 표면 처리된 Si(100) 기판 위에 성장된 Ge 층의 경우 ICP 처리하지 않은 시편보다 Ge 성장율이 약 5배 이상 증가되었다. ICP 처리된 시편의 Ge 성장률 증가는 ICP 표면 처리 공정으로 Si 기관 표면에서 떨어져 나간 missing dimer가 Ge adatom들에 핵을 형성할 자리를 제공하여 Ge island의 형성과 융합을 촉진시키는 것으로 사료된다.
453.

새로운 HVT 성장방법을 이용한 CIGS 결정성장

이강석, 전헌수, 이아름, 정세교, 배선민, 조동완, 옥진은, 김경화, 양민, 이삼녕, 안형수, 배종성, 하홍주, Lee. Gang-Seok, Jeon. Hun-Soo, Lee. Ah-Reum, Jung. Se-Gyo, Bae. Seon-Min, Jo. Dong 한국결정성장학회 한국결정성장학회지 6 Pages

한국결정성장학회 한국결정성장학회지 2010, Vol.20 No.3 107-112 (6 pages)

이강석, 전헌수, 이아름, 정세교, 배선민, 조동완, 옥진은, 김경화, 양민, 이삼녕, 안형수, 배종성, 하홍주, Lee. Gang-Seok, Jeon. Hun-Soo, Lee. Ah-Reum, Jung. Se-Gyo, Bae. Seon-Min, Jo. Dong 저

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제작하는 방법에는 co-evaporator 방식이 가장 널리 사용되며 연구되고 있다. 이에 본 연구에서는 수평 형태의 hydride vapor transport (HVT)법을 고안하여 CIGS 나노 구조 및 에피성장을 시도하였다. HVT법은 $N_2$ 분위기에서 원료부의 CIGS 혼합물을 HCl과 반응시켜 염화물 기체상태로 변환 후 growth zone까지 이동하여 성장을 하는 방식이다. 성장기판은 c-$Al_2O_3$ 기판과 u-GaN을 사용하였다. 성장 후 field emission scanning electron microscopy(FE-SEM)과 energy dispersive spectrometer(EDS)를 이용하여 관찰하였다.
454.

$8^{circ}$-off (100) Si 기판위의 반극성을 가지는 (1-101) InGaN/GaN 다중양자우물 구조의 MOVPE 성장

한영훈, 전헌수, 홍상현, 김은주, 이아름, 김경화, 안형수, 양민, Han. Y.H., Jean. H.S., Hong. S.H., Kim. E.J., Lee. A.R., Kim. K.H., Ahn. H.S., Yang. M. 한국결정성장학회 한국결정성장학회지 5 Pages

한국결정성장학회 한국결정성장학회지 2009, Vol.19 No.1 1-5 (5 pages)

한영훈, 전헌수, 홍상현, 김은주, 이아름, 김경화, 안형수, 양민, Han. Y.H., Jean. H.S., Hong. S.H., Kim. E.J., Lee. A.R., Kim. K.H., Ahn. H.S., Yang. M. 저

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Si 기판 위에 분극이 완화된(1-101) GaN를 성장한 후 광소자로서의 가능성을 확인하고자 (1-101) GaN 위에 InGaN/GaN MQW 구조를 제작하였으며 암모니아 유량, TMI 유랑 그리고 성장 온도 등 다양한 성장 조건에 따른 구조적, 광학적인 특성을 scanning electron microscopy(SEM)와 cathodoluminescence(CL)을 통하여 관찰하였다. (1-101) GaN 성장시 암모니아 유량이 적을수록 관통전위가 현저히 줄어드는 것을 확인하였다. (1-101) GaN stripe 위에 성장 시킨 InGaN/GaN MQW 구조를 이용하여 성장조건에 따라서 391.5nm부터 541.2nm에...
455.

ZnO를 담지한 TMA-A 제올라이트 나노결정의 제조

이석주, 임창성, 김익진, Lee. Seok-Ju, Lim. Chang-Sung, Kim. Ik-Jin 한국결정성장학회 한국결정성장학회지 7 Pages

한국결정성장학회 한국결정성장학회지 2007, Vol.17 No.6 238-244 (7 pages)

이석주, 임창성, 김익진, Lee. Seok-Ju, Lim. Chang-Sung, Kim. Ik-Jin 저

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제올라이트와 5mol의 $ZnCl_2$ solution을 사용하였다. 각각의 시료를 혼합, 교반, 원심분리, 건조의 과정을 거쳐서 준비한 ZnO를 담지시킨 TMA-A 제올라이트 precursor를 $400{sim}600^{circ}C$에서 3시간 동안 열처리하였다. TMA-A 제올라이트의 결정화 과정을 X-ray diffraction (XRD)을 이용하여 분석하였으며, Brunaur-Emett-Teller(BET) 비표면적을 측정하였다. 또한, 온도와 시간에 따른 입자의 형상이나 크기를 scanning electron microscopy(SEM), transmission electron microscopy(TEM) 및 입도분석을 통하여 관찰하였다.
456.

C-축으로 정렬된 sol-gel ZnO 박막의 특성

김상수, 장기완, 김인성, 송호준, 박일우, 이건환, 권식철 한국결정성장학회 한국결정성장학회지 7 Pages

한국결정성장학회 한국결정성장학회지 2001, Vol.11 No.2 49-55 (7 pages)

김상수, 장기완, 김인성, 송호준, 박일우, 이건환, 권식철 저

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반복하여 형성시켰고 결정화를 위한 열처리는 $400^{circ}C$~$800^{circ}C$공기 분위기에서 1시간 동안 시행하였다. X-ray diffraction(XRD), scanning electron microscopy(SEM), UV-vis 투과 스펙트럼, IR 투과 스펙트럼, photoluminescence(PL)스펙트럼 등의 측정 결과로부터 박막의 구조적 특성과 광학적 성질에 대해서 논의하였다. 제조된 ZnO막은 (002)면으로 정렬되어 있으며 380nm파장에서 예리한 흡수단이 있고 가시광선 영역에서 투명(투과율 70% 이상)하였는데 이 흡수단은 ZnO의 밴드 갭(3.2eV)과 잘 일치한다. 저온에서의 ...
457.

Co-blowing agent에 따른 경질 폴리우레탄 폼의 물성 변화 연구

김상범, 고성호, Kim. Sang Bum, Koh. Sung Ho 한국가스학회 한국가스학회지 7 Pages

한국가스학회 한국가스학회지 2004, Vol.8 No.2 1-7 (7 pages)

김상범, 고성호, Kim. Sang Bum, Koh. Sung Ho 저

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값을 나타내었으며 Scanning electron/microscopy(SEM)분석 결과 HFC-245fa와 HFC-365mfc의 경우가 기공분포 크기가 가장 작은 것으로 관찰이 되었다. 열전도도는 CFC-11, HFC-245fa와 HFC-365mfc의 경우가 낮은 열전도도 값을 보여서 폼의 열전도도는 기공크기와 발포제의 열전도도에 의존함을 알 수 있었다. 혼합 발포제의 영향에서는 HFC-245fa를 $30mo1e\%$로 사용한 경우가 가장 높은 기계적 물성 값을 나타내었으며 이는 SEM 분석 결과, HFC-245fa를 보조 발포제로 사용한 경우가 가장 작은 기공분포크기를 나타내었기 때문이었다....
458.

Degradation of Raw Starch Granules by α-Amylase Purified from Culture of Aspergillus awamori KT-11

Matsubara. Takayoshi, Ammar. Youssef Ben, Anindyawati. Trisanti, Yamamoto. Satoru, Ito. Kazuo, Iizuka. Masaru, Minamiura. Noshi 생화학분자생물학회 Journal of biochemistry and molecular biology 7 Pages

생화학분자생물학회 Journal of biochemistry and molecular biology 2004, Vol.37 No.4 422-428 (7 pages)

Matsubara. Takayoshi, Ammar. Youssef Ben, Anindyawati. Trisanti, Yamamoto. Satoru, Ito. Kazuo, Iizuka. Masaru, Minamiura. Noshi 저

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459.

버네사이트를 고정화한 알긴산 비드(Bir-AB)를 이용한 수용액 중 1-Naphthol의 제거

엄원숙, 이두희, 신현상, Eom. Won-Suk, Lee. Doo-Hee, Shin. Hyun-Sang 대한환경공학회 대한환경공학회지 10 Pages

대한환경공학회 대한환경공학회지 2013, Vol.35 No.4 247-256 (10 pages)

엄원숙, 이두희, 신현상, Eom. Won-Suk, Lee. Doo-Hee, Shin. Hyun-Sang 저

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(Scanning Electron Microscopy)분석 결과, 버네사이트 입자는 알긴산 겔을 가교로 하여 비드에 고정화됨을 확인하였다. Bir-AB에 의한 1-NP의 제거는 유사일차 속도반응(pseudo-first order kinetic)을 따랐으며, 반응속도상수(k)는 알긴산(AG)에 대한 버네사이트(Bir) 입자의 혼합비(Bir : AG=0.25 : 1~1 : 1 w/w)가 2배 증가할 때마다 약 1.5배씩 증가하였다. Bir-AB에 의한 1-NP 제거는 pH의 영향을 받았으며 pH가 10에서 4로 감소하면서 반응속도 상수(k, $hr^{-1}$)는 0.361에서 0.661로 약 1.8배 증가하였다. 반응상등액에 대한...
460.

질소산화물 제거용 상용 $V_2O_5-WO_3/TiO_2$ SCR 폐 촉매의 재생 효과 고찰

박해경, Park. Hea-Kyung 대한환경공학회 대한환경공학회지 11 Pages

대한환경공학회 대한환경공학회지 2005, Vol.27 No.8 859-869 (11 pages)

박해경, Park. Hea-Kyung 저

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scanning electron microscopy)등을 이용하여 수행하였고 NOx 전환반응실험은 소각장 off gas를 모사하여 $NH_3$에 의한 SCR 반응을 통해 수행하였다. 본 연구에서 수행된 재생처리 방법 중, 열처리 방법으로 재생처리를 수행 할 경우 fresh 촉매환성의 95% 이상을 회복하였으며, 화학적 재생 처리 방법으로는 산성용액의 경우는 pH가 5인 용액으로 재생 처리된 촉매가, 염기성 용액의 경우는 pH가 12인 용액으로 재생 처리된 촉매가 fresh 촉매활성의 90% 이상의 촉매 활성을 회복 하였다. 촉매 특성 분석 결과, 상기와 같은 방법으로...

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