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Hydrogen Storage Properties of Pure MgH2
Kwak. Young Jun, Lee. Seong Ho, Park. Hye Ryoung, Song. Myoung Youp 한국재료학회 한국재료학회지 5 Pages
한국재료학회 한국재료학회지 2013, Vol.23 No.5 266-270 (5 pages)
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Si (001) 기판에서 $N_2$처리에 의해 형성된 에피택셜 C49-$TiSi_2$상의 열적 거동과 결정학적 특성에 관한 연구
양준모, 이완규, 박태수, 이태권, 김중정, 김원, 김호정, 박주철, 이순영, Yang. Jun-Mo, Lee. Wan-Gyu, Park. Tae-Su, Lee. Tae-Gwon, Kim. Jung-Jeong, Kim. Won, Kim. Ho-Jeong, P 한국재료학회 한국재료학회지 6 Pages
한국재료학회 한국재료학회지 2001, Vol.11 No.2 88-93 (6 pages)
$N_2$처리에 의해 Si (001) 기판에 형성된 C49상의 구조를 갖는 에피택셜 $TiSi_2$상의 열적 거동과 결정학적 특성을 X선 회절법 (XRD)과 고분해능 투과전자현미경법 (HRTEM)으로 조사하였다. 에피택결 $C49-TiSi_2$상은 $1000^{circ}C$ 정도의 고온에서도 안정상인 C54상으로 상변태하지 않고 형태적으로도 고온 특성이 우수하다는 것이 밝혀졌다. HRTEM 결과로부터 에피택결 $TiSi_2$상과 Si 사이의 결정학적 방위관계는 (060) [001]TiSi$_2$//(002) [110]Si임을 알 수 있었고 계면에서의 격자 변형에너지는 misfit 전위의 형성에... -
SiNx/Si 구조를 이용한 SiC 박막성장
김광철, 박찬일, 남기석, 임기영, Kim. Gwang-Cheol, Park. Chan-Il, Nam. Gi-Seok, Im. Gi-Yeong 한국재료학회 한국재료학회지 6 Pages
한국재료학회 한국재료학회지 2000, Vol.10 No.4 276-281 (6 pages)
Si(111) 표면을 NH$_3$분위기에서 실리콘질화물(SiNx)로 변형시킨 후 탄화규소(silicon carbide, SiC) 박막을 성장하였다. 질화시간이 증가함에 따라 SiC 박막 두께가 감소함을 관찰하였다. 또한 성장변수에 따라 SiC/Si 계면에서 결정결함인 틈새를 없앨 수 있었다. 100nm, 300nm, 500nm의 SiNx/Si 기판 위에 SiC 박막을 성장시켰다. 성장된 SiC 박막들은 모두 [111]면을 따라 성장되었고, SiC 결정들이 원주형 낟알로 성장되었다. SiC/SiNx 계면에서 void를 관찰할 수 없었다. 이러한 실험 결과는 SOI 구조의 산화규소를 SiNx로... -
금속 갈륨과 암모니아의 직접반응에 의한 GaN 후막성장과 특성 연구
양승현, 남기석, 임기영, 양영석, Yang. Seung-Hyeon, Nam. Gi-Seok, Im. Gi-Yeong, Yang. Yeong-Seok 한국재료학회 한국재료학회지 5 Pages
한국재료학회 한국재료학회지 2000, Vol.10 No.3 241-245 (5 pages)
성장이 관찰되었으며 V-형태를 가진 매우 거친 표면을 보였다. 그러나 성장온도가 증가하면 [1010]와 [1011] 방향으로 성장이 관찰되었으며 피라미드면을 가진 육방정 결정이 성장되었다. 성장된 GaN의 두께는 온도가 증가할수록 증가하였으나, $1270^{circ}C$의 고온에서는 열분해를 일으켜 두께가 감소하였다. 공급된 $NH_3$의 유량이 증가할수록 GaN의 결정성과 광특성은 향상되었다. X-선 회절기 (X-ray diffraction)와 광루미네센스(photoluminescence) 분석결과로 GaN 후막이 (1010) 면으로 성장되면 황색발광이 증가됨을 관찰할... -
PECVD방법으로 형성한 $W_{67}N_{33}$/GaAs구조의 열적 특성
이세정, 홍종성, 이창우, 이종무, 김용태, 민석기, Lee. Se-Jeong, Hong. Jong-Seong, Lee. Chang-U, Lee. Jong-Mu, Kim. Yong-Tae, Min. Seok-Gi 한국재료학회 한국재료학회지 8 Pages
한국재료학회 한국재료학회지 1993, Vol.3 No.5 443-450 (8 pages)
증착하여 $750^{circ}C$에서 $900^{circ}C$까지 급속 열처리 하였다. 텅스텐 질화막과 GaAs계면의 열적 안정성을 XRD(X-ray diffraction), PL(photoluminescence),ODLTS(optical deep livel transient spectroscopy)측정으로 조사하였으며, W보다 $W_{67}N_{33}$ gate를 형성시킬 경우에 GaAs에 미치는 열적손상이 적음을 알 수 있으며 이온 주입한 Si이온이 활성화 되는 것으로 생각된다. $W_{67}N_{33}$ GaAs 다이오드가 약 800-$900^{circ}C$의 고온열처리 온도에서 W/GaAs 다이오드의 경우보다 열적 안정성이 우수하였다. -
천잠 견단백질 가수분해 분말의 특성 분석
권해용, 이광길, 여주홍, 우순옥, 한상미, 손봉희, 이희삼, 신봉섭, Kweon. Hae-Yong, Lee. Kwang-Gill, Yeo. Joo-Hong, Woo. Soon-Ok, Han. Sang-Mi, Sohn. Bong-Hee, Lee. Heui 한국잠사학회 韓國蠶絲學會誌 5 Pages
한국잠사학회 韓國蠶絲學會誌 2006, Vol.48 No.1 11-15 (5 pages)
천잠 견단백질을 이용한 비의류용 소재개발을 위한 기초 연구의 일환으로 천잠 가수분해 견단백질 분말을 제조하여 그 구조 및 별 특성을 살펴보고 중금속 함량을 분석하였다. 1. 천잠 고치를 가수분해하여 제조한 분말의 평균분자량은 430 정도였으며 아미노산 조성 분석 결과 일반적인 천잠 견피브로인의 조성과 유사하였다. 2. 천잠 분말의 X-선 회절 분석 결과 $2{ heta}=20.34^{circ}$ 부근과 $31.5^{circ}$ 부근에서 강한 회절 피크를 보였으며 원이색분석 결과 220nm의 피크와 215nm의 shoulder를 나타내어 ${alpha}-helix$와...