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전착법에 의한 음극지지형 SOFC 전해질막 제조
김상우, 이병호, 손용배, 송휴섭 한국마이크로전자및패키징학회 마이크로전자 및 패키징 학회지 7 Pages
한국마이크로전자및패키징학회 마이크로전자 및 패키징 학회지 1999, Vol.6 No.1 23-29 (7 pages)
전착법(EPD)에 의한 음극지지형 SOFC 단전지용 전해질 제조를 위하여 NiO-YSZ 다공성 기판 위에 극성이 서로 다른 전착용액을 사용하여 안정화 지르코니아 균일막 형성을 위한 전착조건과 막특성을 조사하였다. 알콜계 용액과는 달리 수계 용액에서 정전류, 0.138mA/$ extrm{cm}^2$이상에서 전극반응으로 생성한 기포에 의한 막결함이 생성하였으며 막무게 증가율이 감소하였다. 균일막 형성은 알콜계 용액에서 전극반응없이 안정한 전압특성을 보이는 정전류 0.035 mA/$ extrm{cm}^2$를 10초간 인가하였을 때 얻어졌다. -
결함밀도가 낮은 Gallium Nitride Epitaxy 막 제조
한국결정학회 한국결정학회지 1998, Vol.9 No.2 131-137 (7 pages)
pulsative supply, APS)방법에 의해 만들었다. AlN buffer/6H-SiC 위에 초기단계에 형성되는 GaN 섬은 APS처리에 의해 크기가 커지는 것을 AFM(atomic force microscope)으로 관찰하였다. Buffer 층의 역할은 그 위에 성막시킨 GaN epitaxy 막의 결정성과 결함밀도에 의해 조사하였다. 성막된 GaN의 결정구조와 결정성은 DCXRD(double crystal X-ray diffractormeter)에 의해 측정되었다. 결정결함은 EPD(etching pit density)를 측정하는 방법으로 알칼리혼합용에서 처리된 막을 SEM(scanning electron microscope)으로 관찰하였다. -
Vacuum-Bridgman법에 의한 UV grade 형석$(CaF_2)$단결정 성장
서수형, 주경, 오근호 한국결정성장학회 한국결정성장학회지 5 Pages
한국결정성장학회 한국결정성장학회지 1998, Vol.8 No.3 383-387 (5 pages)
r, 성장온도구배 $12^{circ}C$/cm의 조건하에서 성장한 $CaF_2$ 단결정은 우수한 물성을 갖는 것으로 분석되었다. 우산형(umbrella shape)의 Mo thermal reflector를 사용한 경우에 polycrystalline으로의 성장을 제거할 수 있었다. 성장우선방위는 (111)면이었으며, 분말 XRD법에 의한 peak로부터 $5.460AA$의 격자상수를 구하였다. 또한 XRD분석에 의하면 제2상은 형성되지 않았으며, EPD값은 $1.4{ imes}10^4 extrm{cm}^{-2}$이었다. 성장된 결정은 UV영역의 광학부품용도로 사용하기에 적합한 투과율 91%이상의 특성을 나타내었다. -
ZnSe 단결정 성장과 결정결함
이성국, 박성수, 김준홍, 한재용, 이상학 한국결정성장학회 한국결정성장학회지 5 Pages
한국결정성장학회 한국결정성장학회지 1997, Vol.7 No.1 76-80 (5 pages)
직경 55 mm의 ZnSe 단결정을 수소분위기에서 seeded chemical vapor transport법에 의해 성장하였고, 성장 parameter들이 결정 결함에 미치는 영향을 조사하였다. Chemical etching에 의한 EPD 측정, X-ray rocking curve 측정, photolumlnescence 측정으로 성장된 단결정의 특성을 평가하였다. -
플라즈마 식각공정의 종말점 검출(End Point Detection) 제어
우광방 제어로봇시스템학회 제어·자동화·시스템공학회지 4 Pages
제어로봇시스템학회 제어·자동화·시스템공학회지 1998, Vol.4 No.4 41-44 (4 pages)
이 글에서는 플라즈마 식각공정의 진행에 있어서 중요한 EPD제어기법과 파라미터 최적화에 대해 서술하였다. 또한 플라즈마 응용 식각장비의 발전경향과 다중체널 제어기의 개발에 대해서도 알아보았다. 현재의 연구는 기존의 장비를 이용하여 회로를 보다 미세화하고자 하는 연구와 새로운 장비의 개발을 통한 고집적화로 구분할 수 있다. 또한 제품의 가격 경쟁력을 위해서 웨이퍼의 대구경화가 일반적인 추세이다. 웨이퍼의 대구경화는 불균일도의 극복을 위해 새로운 제어와 보다 향상된 EPD기법을 필요로 한다. 따라서 기존의... -
PVP(Poly 4-vinylphenol) 게이트 유전체의 표면에너지 차이를 이용한 유기박막트랜지스터 어레이의 소스/드레인 전극 인쇄공정
최재철, 송정근, Choi. Jae-Cheol, Song. Chung-Kun 대한전자공학회 電子工學會論文誌. Journal of the Institute of Electronics Engineers of Korea. SD, 반도체 5 Pages
대한전자공학회 電子工學會論文誌. Journal of the Institute of Electronics Engineers of Korea. SD, 반도체 2011, Vol.48 No.3 7-11 (5 pages)
87 $mJ/m^2$로 높임으로써 표면에너지 차이를 극대화 하였다. G-PEDOT:PSS 전도성 고분자를 브러쉬 인쇄공정으로 소스/드레인 전극 영역 주변에 도포하여 전극을 성형하였으며, OTFT 어레이 ($16{ imes}16$)에서 약 90% 가까운 수율을 나타내었다. 불소계 화합물을 첨가한 PVP와 펜타센 반도체를 사용한 OTFT의 성능은 첨가하지 않은 소자와 비교하여 큰 차이가 없었으며, 이동도는 0.1 $cm^2/V.sec$ 로서 전기영동디스플레이(EPD) 시트를 구동하기에 충분한 성능이었다. OTFT 어레이에 EPD 시트를 부착하여 성공적인 작동을 확인하였다. -
Determination of End Point for Direct Chemical Mechanical Polishing of Shallow Trench Isolation Structure
Seo. Yong-Jin, Lee. Kyoung-Jin, Kim. Sang-Yong, Lee. Woo-Sun 대한전기학회 KIEE international transactions on electrophysics and applications 5 Pages
대한전기학회 KIEE international transactions on electrophysics and applications 2003, No.0 28-32 (5 pages)
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Signal Analysis of Motor Current for End Point Detection in the Chemical Mechanical Polishing of Shallow Trench Isolation with Reverse Moat Structure
Park. Chang-Jun, Kim. Sang-Yong, Seo. Yong-Jin 대한전기학회 KIEE international transactions on electrophysics and applications 6 Pages
대한전기학회 KIEE international transactions on electrophysics and applications 2002, No.0 262-267 (6 pages)
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전착법과 담금법에 의한 음극지지형 SOFC 지르코니아 전해질막 제조
김상우, 이병호, 손용배, 송휴섭 한국세라믹학회 요업학회지 8 Pages
한국세라믹학회 요업학회지 1999, Vol.36 No.8 791-798 (8 pages)