자료유형
발행기관
- 한국전기전자재료학회(18)
- 대한전기학회(5)
- 대한전자공학회(4)
- 한국표면공학회(4)
- 한국결정성장학회(3)
- 한국세라믹학회(3)
- 한국진공학회(3)
- 제어로봇시스템학회(2)
- 한국식물병리학회(2)
- 한국탄소학회(2)
- 대한기계학회(1)
- 대한생리학회(1)
- 대한생리학회-대한약리학회(1)
- 대한치과교정학회(1)
- 인문사회과학기술융합학회(1)
- 한국동굴학회(1)
- 한국마이크로전자및패키징학회(1)
- 한국반도체및디스플레이장비학회(1)
- 한국열환경공학회(1)
- 한국재료학회(1)
- 한국전자통신연구원(1)
- 한국정보디스플레이학회(1)
간행물
- TRANSACTIONS ON ELECTRICAL AND ELECTRONIC MATERIALS(11)
- 전기전자재료학회논문지(6)
- 전기학회논문지. THE TRANSACTIONS OF THE KOREAN INSTITUTE OF ELECTRICAL ENGINEERS. C/ C, 전기물성-응용부문(4)
- 한국표면공학회지(4)
- 한국결정성장학회지(3)
- 한국세라믹학회지(3)
- CARBON LETTERS(2)
- JOURNAL OF SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY AND SCIENCE(2)
- THE PLANT PATHOLOGY JOURNAL (2)
- 한국진공학회지(2)
- APPLIED SCIENCE AND CONVERGENCE TECHNOLOGY(1)
- ETRI JOURNAL(1)
- INTERNATIONAL JOURNAL OF CONTROL, AUTOMATION AND SYSTEMS(1)
- JOURNAL OF INFORMATION DISPLAY(1)
- JOURNAL OF THE INSTITUTE OF ELECTRONICS ENGINEERS OF KOREA(1)
- THE KOREAN JOURNAL OF ORTHODONTICS(1)
- THE KOREAN JOURNAL OF PHYSIOLOGY & PHARMACOLOGY(1)
- 대한기계학회론문집. TRANSACTIONS OF THE KOREAN SOCIETY OF MECHANICAL ENGINEERS. B. B(1)
- 대한생리학회지(1)
- 동굴 : 한국동굴학회지(1)
- 마이크로전자 및 패키징 학회지(1)
- 열환경공학(1)
- 예술인문사회융합멀티미디어논문지(1)
- 전기전자재료(1)
- 전기학회논문지= THE TRANSACTIONS OF THE KOREAN INSTITUTE OF ELECTRICAL ENGINEERS(1)
- 전자공학회논문지(1)
- 제어-자동화-시스템공학 논문지(1)
- 한국반도체장비학회지(1)
- 한국재료학회지(1)
전체 선택해제
총 58건 검색
본문검색 결과만 보기
-
$BCl_3$/Ar 플라즈마에 $Cl_2$ 가스 첨가에 따른 TiN 박막의 식각 특성
엄두승, 우종창, 김동표, 김창일, Um. Doo-Seung, Woo. Jong-Chang, Kim. Dong-Pyo, Kim. Chang-Il 한국전기전자재료학회 전기전자재료 6 Pages
한국전기전자재료학회 전기전자재료 2008, Vol.21 No.12 1051-1056 (6 pages)
-
Damage on the Surface of Zinc Oxide Thin Films Etched in Cl-based Gas Chemistry
Woo. Jong-Chang, Ha. Tae-Kyung, Li. Chen, Kim. Seung-Han, Park. Jung-Soo, Heo. Kyung-Mu, Kim. Chang-Il 한국전기전자재료학회 Transactions on electrical and electronic materials 5 Pages
한국전기전자재료학회 Transactions on electrical and electronic materials 2011, Vol.12 No.2 51-55 (5 pages)
-
Characteristics of Double-junction of High-$ extrm{T}_{c}$ Superconducting $ extrm{YBa}_{2} extrm{Cu}_{3} extrm{O}_{7-x}$ Step-edge Junctions
황준식, 성건용, 강광용, 윤순길, 이광렬, Hwang. Jun-Sik, Seong. Geon-Yong, Gang. Gwang-Yong, Yun. Sun-Gil, Lee. Gwang-Ryeol 한국재료학회 한국재료학회지 6 Pages
한국재료학회 한국재료학회지 1999, Vol.9 No.1 86-91 (6 pages)
이용한 계단형 모서리 임계접합을 제조하였다. STO (100) 단결정 기판위에 계단형 모서리(step-edge)를 제작하기 위한 이온밀링 마스크로 plasma enhanced chemical vapor deposition방법으로 증착된 diamond-like carbon (DLC) 박막을 사용하였고, oxygen reactive ion etch 방법으로 건식식각하였다. 이렇게 제작된 계단형 모서리 기판위에 c-축 수직한 YBCO 박막과 STO박막을 pulsed laser deposition방법으로 에피텍셜하게 증착하였다. 계단의 상층과 하층에서 모두 임계가 형성되었으며 이 접합의 임계온도는 77 K 이상이었고... -
광도파로 제작을 위한 단결정 LiNbO3 건식 식각 특성
박우정, 양우석, 이한영, 윤대호, Park. Woo-Jung, Yang. Woo-Seok, Lee. Han-Young, Yoon. Dae-Ho 한국세라믹학회 한국세라믹학회지 5 Pages
한국세라믹학회 한국세라믹학회지 2005, Vol.42 No.4 232-236 (5 pages)
$LiNbO_{3}$ optical waveguide 구조를 neutral loop discharge plasma 방법으로 식각시 As과 $C\_{3}F_{8}$가 혼합된 가스 유량에 따른 식각속도와 표면조도 값의 특성을 관찰하였다. 식각 후 식각속도와 식각단면은 scanning electron microscopy로 비교 분석하였으며, 표면조도는 atomic force microscopy로 측정하였다. Ar과 $C_{3}F_{8}$가 혼합된 가스 유량비를 각각 0.1-0.5로 증가시킴에 따라 식각속도와 표면조도는 0.2에서 가장 높게 나타났으며, bias power를 증가함에 따라 300W에서 가장 우수한 식각속도와 가장 평탄한 표면... -
HDP를 이용한 실리콘 단결정 Deep Dry Etching에 관한 특성
박우정, 김장현, 김용탁, 백형기, 서수정, 윤대호 한국세라믹학회 한국세라믹학회지 6 Pages
한국세라믹학회 한국세라믹학회지 2002, Vol.39 No.6 570-575 (6 pages)
저가격화의 장점을 가진 MEMS(Micro Electro Mechanical Systems) device의 개발에 주력하고 있으며, 이를 위해서는 고종횡비와 높은 식각 속도를 가진 HDP(High Density Plasma) etching 기술 개발이 필수적이라 할 수 있다. 이를 위하여 우리는 Inductively Coupled Plasma(ICP) 장비를 이용하여 각 공정 변수에 의한 실리콘 deep trench식각 반응을 연구하였다. 실험 공정 변수인 platen power, etch/passivation cycle time에서 etching 단계 시간에 따른 변화와 SF$_{6}$:C$_4$F$_{8}$ 가스유량을 변화시켜 연구하였으며 또한 이들의... -
유도결합형 플라즈마 반응성 이온식각 장치를 이용한 SrBi$_2$Ta$_2$O$_9$ 박막의 물리적, 전기적 특성
권영석, 심선일, 김익수, 김성일, 김용태, 김병호, 최인훈 한국마이크로전자및패키징학회 마이크로전자 및 패키징 학회지 6 Pages
한국마이크로전자및패키징학회 마이크로전자 및 패키징 학회지 2002, Vol.9 No.4 11-16 (6 pages)
손상의 영향을 조사하였다. ICP-RIE (inductively coupled plasma reactive ion etching) 의 ICP power와 CCP(capacitively coupled plasma) power를 변화시키면서 고속식각에 따른 박막의 손상과 열화를 XPS 분석과 Capacitance-Voltage (C-V) 측정을 통하여 알아보았다. ICP와 CCP의 power가 증가함에 따라 식각율이 증가하였고 ICP power가 700 W, CCP power가 200 W 일때 식각율은 900$AA$/min이었다. 강유전체의 건식식각에 있어서 문제점이 플라즈마에 의한 강유전체 박막의 열화인데 반응가스 $Ar/C1_2/CHF_3$를 20/14/2의 비율로... -
ZnO 박막의 fluorine-계 유도결합 플라즈마 식각
박종천, 이병우, 김병익, 조현, Park. Jong-Cheon, Lee. Byeong-Woo, Kim. Byeong-Ik, Cho. Hyun 한국결정성장학회 한국결정성장학회지 5 Pages
한국결정성장학회 한국결정성장학회지 2011, Vol.21 No.6 230-234 (5 pages)
$CF_4$ Ar 및 $SF_6$/Ar 유도결합 플라즈마을 이용하여 ZnO 박막의 고이온밀도 플라즈마 식각을 수행하였다. $10CF_4$/5Ar, $10SF_6$/5Ar 유도결합 플라즈마에서 최고 ~1950 ${AA}$/min과 ~1400 ${AA}$/min의 식각 속도를 확보하였다. 대부분의 조건 하에서 식각된 ZnO 표면은 식각 전보다 더 낮은 표면조도 값들을 나타내었다. $10CF_4$/5Ar 유도결합 플라즈마에서 Ni mask는 ZnO에 대해 최고 11의 높은 식각 선택도를 나타낸 반면에 Al은 이보다 낮은 1.6~4.7 범위의 식각선택도를 나타내었다. -
Floating zone 법에 의한 $LiNbO_3$ 단결정의 광학적 특성에 관한 연구
고정민, 조현, 김세훈, 김세훈, 최종건, 오근호 한국결정성장학회 한국결정성장학회지 14 Pages
한국결정성장학회 한국결정성장학회지 1995, Vol.5 No.4 318-331 (14 pages)
원료봉의 최적 소결조건 및 성장 분위이게 따른 원료봉/융액 계면에 대한 고찰을 하였고, 이를 바탕으로 하여 ga s flow rate, pulling rate, 원료봉과 종자정의 회전속도 등에 대한 최적의 결정성장 조건을 확립하였다. 성장된 결정에 대해서 chemical etching을 통한 etch pattern과 ICP(Inductively Coupled Plasma) 분석을 통한 조성 변동 및 불순물 Fe 함량을 조사하였고, 5 mol% MgO의 첨가에 따른 투과율과 굴절율의 변화를 관찰하였다. 또한 $LiNbO_3$의 비선형 광학특성에 대해서는 측정한 굴절율 값을 data로 하여 비선형 광학... -
플라즈마 식각 시뮬레이션을 위한 스캔 방식의 이온 플럭스 계산 방법
신성식, 유동훈, 권오봉, Shin. Sung-Sik, Yu. Dong-Hun, Gwun. Ou-Bong 대한전자공학회 Journal of the Institute of Electronics Engineers of Korea 8 Pages
대한전자공학회 Journal of the Institute of Electronics Engineers of Korea 2013, Vol.50 No.10 124-131 (8 pages)
플라즈마(Plasma) 공정 시뮬레이션에서 가장 중요한 요소는 식각(Etching) 과정으로 특성 정보 프로파일(Feature Profile)에 의존하는 식각 비율(Etch Rate)을 계산하는 것이다. 식각 비율을 결정 요소는 이온 플럭스(Ion Flux), 뉴트럴 플럭스(Neutral Flux), 가스 종 온도 등 다양하지만 본 논문에서는 이온 플럭스(Ion Flux)에 한정하여 고속으로 이온 플럭스를 계산하기 위한 스캔 방법을 제안했다. 그리고 일반적으로 많이 사용되어지는 몬테카를로(Monte Carlo) 방법과 제안 방법을 가우시안 분포 및 코사인 분포를 이용하여... -
자화 유도 결합형 $CH_4/H_2/Ar$ 플라즈마를 이용한 GaN 건식 식각 특성
김문영, 심종경, 태흥식, 이호준, 이용현, 이정희, 백영식, Kim. Mun-Yeong, Sim. Jong-Gyeong, Tae. Heung-Sik, Lee. Ho-Jun, Lee. Yong-Hyeon, Lee. Jeong-Hui, Baek. Yeon 대한전기학회 전기학회논문지. The transactions of the Korean Institute of Electrical Engineers. C/ C, 전기물성·응용부문 7 Pages
대한전기학회 전기학회논문지. The transactions of the Korean Institute of Electrical Engineers. C/ C, 전기물성·응용부문 2000, Vol.49 No.4 203-209 (7 pages)