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$C_{60}$(buckminsterfullurene) 홀주입층을 적용한 유기박막트랜지스터의 성능향상
이문석, Yi. Moon-Suk 대한전자공학회 電子工學會論文誌. Journal of the Institute of Electronics Engineers of Korea. SD, 반도체 7 Pages
대한전자공학회 電子工學會論文誌. Journal of the Institute of Electronics Engineers of Korea. SD, 반도체 2008, Vol.45 No.5 19-25 (7 pages)
주입이 향상되었기 때문이다. 또한 Al을 전극으로 적용한 OTFT도 제작하였다. 기존에 Al은 OTFT에 단일전극으로 사용하였을 경우 둘간의 높은 홀 주입장벽으로 인해 채널이 거의 형성되지 않았으나, $C_{60}/Al$ 이중전극을 사용한 소자의 경우 전하이동도와 전류점멸비은 0.165 $cm^2/V{cdot}s$, $1.4{ imes}10^4$ 으로써 Al를 단일전극으로 사용하는 소자의 전기적 특성에 비해 크게 향상되어진 소자를 제작할 수 있었다. 이는 $C_{60}$과 Al이 접합시에 interface dipole의 형성으로 Al의 vacuum energy level이 변화로 인한 Al의 work... -
Ar Ion Beam 처리를 통한 Organic Thin Film Transistor의 성능향상
정석모, 박재영, 이문석, Jung. Suk-Mo, Park. Jae-Young, Yi. Moon-Suk 대한전자공학회 電子工學會論文誌. Journal of the Institute of Electronics Engineers of Korea. SD, 반도체 5 Pages
대한전자공학회 電子工學會論文誌. Journal of the Institute of Electronics Engineers of Korea. SD, 반도체 2007, Vol.44 No.11 15-19 (5 pages)
각 조건으로 OTFT를 제작하여 전기적 특성을 확인하였다. Ar ion beam으로 표면처리 했을 때, $O_2$ plasma처리했을 때 보다 향상된 on/off ratio 전기적 특성을 얻을 수 있었다. 표면 세정을 위하여 $O_2$ plasma 처리시 $SiO_2$ 표면의 OH-기와 반응하여 oxide trap density가 높아지게 되고 이로 인하여 off current가 증가하는 문제가 발생한다. 불활성 가스인 Ar ion beam 처리를 할 경우 게이트 절연막의 세정 효과는 유지하면서, $O_2$ Plasma 처리했을 때 증가하게 되는 계면 trap을 억제할 수 있게 되어, mobility 특성은 동등... -
플라스틱 기판에 펜타센 유기박막트랜지스터를 이용한 집적회로 제작
허영헌, 황성범, 송정근, Xu. Yong-Xian, Hwang. Sung-Beom, Song. Chung-Kun 대한전자공학회 電子工學會論文誌. Journal of the Institute of Electronics Engineers of Korea. SD, 반도체 6 Pages
대한전자공학회 電子工學會論文誌. Journal of the Institute of Electronics Engineers of Korea. SD, 반도체 2007, Vol.44 No.11 9-14 (6 pages)
본 연구에서는 하부전극 구조 펜타센 유기박막트랜지스터를 이용하여 플라스틱 기판에 인버터, 링 발진기, NAND & NOR 논리게이트, 정류기 등 간단한 집적회로를 제작하고 그 특성을 관찰하였다. 제작된 유기박막트랜지스터 소자의 평균 전하이동도는 0.26 $cm^2/V.sec$, 전류점멸비는 $10^5$로 나타났으며 인버터와 NAND, NOR 논리게이트는 입력에 대해 정확한 논리출력값을 출력하였다. 전파 정류기는 1MHz의 AC 입력신호에 대해 정류효과를 나타냈으며 링 발진기는 DC 40V에서 1MHz의 발진특성을 보였다. 이와 같이... -
펜타센 TFT를 이용한 AMOLED 픽셀회로 설계
류기성, 최기범, 이명원, 송정근, Ryu. Gi-Seong, Choe. Ki-Beom, Lee. Myung-Won, Song. Chung-Kun 대한전자공학회 電子工學會論文誌. Journal of the Institute of Electronics Engineers of Korea. SD, 반도체 8 Pages
대한전자공학회 電子工學會論文誌. Journal of the Institute of Electronics Engineers of Korea. SD, 반도체 2006, Vol.43 No.6 1-8 (8 pages)
본 논문에서는 OTFT를 기반으로 하는 AMOLED 디스플레이 구현을 위해 두 개의 OTFT와 하나의 캐패시터 그리고 하나의 OLED로 구성된 화소 회로를 설계하였고 그 동작을 시뮬레이션을 통하여 분석하였다. 먼저, 화소 회로를 이론적으로 설계하였고, $32 imes32$ AMOLED 패널을 제작하기 위한 화소의 Layout을 설계하고 TFT W/L과 저장 캐패시터의 용량을 설계하였다. 그리고 설계된 화소 회로의 전기적 특성을 분석하기 위해 HSPICE 시뮬레이션 하였다 시뮬레이션 결과 OTFT 기반의 AMOLED 구현 가능성을 확인하였다. -
펜타센 TFT와 유기 LED로 구성된 픽셀 어레이 제작
최기범, 류기성, 정현, 송정근, Choe. Ki Beom, Ryu. Gi Seong, Jung. Hyun, Song. Chung Kun 대한전자공학회 電子工學會論文誌. Journal of the Institute of Electronics Engineers of Korea. SD, 반도체 6 Pages
대한전자공학회 電子工學會論文誌. Journal of the Institute of Electronics Engineers of Korea. SD, 반도체 2005, Vol.42 No.12 13-18 (6 pages)
Poly-ethylene-terephthalate (PET) 기판 위에 Organic Thin Film Transistor (OTFT)와 Organic Light Emitting Diode (OLED)를 직렬 연결시킨 픽셀과 64 x 64 픽셀로 구성된 어레이를 제작하여 동작을 시연하였다. OTFT는 PET 기판과의 호환성을 고려하여 Poly 4-vinylphenol을 게이트 절연체로, 펜타센을 활성층으로 사용하여 제작되었다. 개별 소자 수준에서는 이동도가 $1.0;cm^2/V{cdot}sec$로 나타났으나, 어레이에서는 $0.1~0.2;cm^2/V{cdot}sec$로 약 10배 정도 감소하였다. 어레이의 동작을 분석하였고 OTFT의 OLED에 대한... -
펜타센 박막의 두께와 전극위치가 펜타센 TFT 성능에 미치는 영향
이명원, 김광현, 송정근 대한전자공학회 電子工學會論文誌. Journal of the Institute of Electronics Engineers of Korea. SD, 반도체 7 Pages
대한전자공학회 電子工學會論文誌. Journal of the Institute of Electronics Engineers of Korea. SD, 반도체 2002, Vol.39 No.12 1001-1007 (7 pages)
된 논문에서는 펜타센을 활성층으로 사용하는 유기박막트랜지스터(OTFT)의 펜타센의 두께, 그리고 소오스 및 드레인 전극의 위치에 따른 소자의 성능 변화에 대하여 연구하였다. 펜타센 박막의 두께가 증가하면 그레인 상태가 박막상태에서 벌크상태로 변화하면서 결정도가 악화되어 성능이 열화하였고, 소오스와 드레인 전극을 펜타센 위에 제작한 소자의 경우 접촉저항은 감소하였으나 누설전류가 증가하여 전류 점멸비가 감소하였다. 그러므로, 펜타센의 두께는, 300Å∼700Å 내외, 그리고 전극은 펜타센 아래에 위치하는 것이 적합한... -
Preparation and Characterization of Plasma Polymerized Methyl Methacrylate Thin Films as Gate Dielectric for Organic Thin Film Transistor
Ao. Wei, Lim. Jae-Sung, Shin. Paik-Kyun 대한전기학회 Journal of electrical engineering & technology 6 Pages
대한전기학회 Journal of electrical engineering & technology 2011, Vol.6 No.6 836-841 (6 pages)
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초고진공환경에서 제작된 perylene 박막 트랜지스터의 특성
박대식, 강성준, 김희중, 노명근, 황정남 한국진공학회 韓國眞空學會誌 5 Pages
한국진공학회 韓國眞空學會誌 2004, Vol.13 No.1 9-13 (5 pages)
본 연구에서는 P 형과 N 형의 특성을 모두 갖추 것으로 알려진 perylene의 특성을 연구하였다. 특히 구조적 특성과 전기적 특성 향상을 위하여 초고진공 상태에서 $SiO_2$ 기판 위에 perylene 박막을 제작하였는데 증착 속도에 따른 박막의 특성 향상 여부를 살펴보기 위하여 0.1 $AA$/s 와 1 $AA$/s로 변화시켜가며 박막을 제작하였다. 박막의 결정성과 표면 특성은 X-선 회절과 원자 간력 현미경을 이용하여 살펴보았는데, 1 $AA$/s로 증착된 perylene박막이 더 우수한 결정성과 표면 분포를 보였다. 박막의 전기적 특성 확인을 위하여... -
플라스틱 일렉트로닉스 기술 동향
구재본, 유인규, 서경수, 조경익, Koo. J.B., You. I.K., Suh. K.S., Cho. K.I. 한국전자통신연구원 전자통신동향분석 12 Pages
한국전자통신연구원 전자통신동향분석 2007, Vol.22 No.5 57-68 (12 pages)
MIT 공대 선정 10대 유망 기술 및 IDC의 10년 내 세상을 바꿀 9가지 신기술로 선정될 정도로 IT 융합부품 기술 분야의 차세대 유망 기술로 크게 각광 받고 있다. 현재는 플라스틱 전자 소자는 Si 기반 전자 소자의 보완적인 기능에 머무르고 있으나, 플라스틱 소재/소자/공정의 개발이 진행됨에 따라 응용 분야가 점차 확대되고 있다. 본 기고문에서는 대표적인 플라스틱 전자 소자인 유기 박막 트랜지스터(OTFT)의 주요 응용 분야로 플렉시블 디스플레이, 플라스틱 센서, 그리고 플라스틱 RFID 기술을 중심으로 기술 개발 연구 동향 및... -
분자 간 거리 감소에 의한 펜타센 박막트랜지스터의 전하 이동도 향상
정태호, Jung. Tae-Ho 한국전기전자재료학회 전기전자재료학회논문지 6 Pages
한국전기전자재료학회 전기전자재료학회논문지 2012, Vol.25 No.7 500-505 (6 pages)