발행기관
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간행물
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- CARBON LETTERS(11)
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- 전기전자재료학회지= THE JOURNAL OF THE KOREAN INSTITUTE OF ELECTRICAL AND ELECTRONIC MATERIAL ENGINEERS(3)
- 조명-전기설비학회논문지(3)
- 전기전자재료학회논문지(2)
- 전자공학회논문지. JOURNAL OF THE INSTITUTE OF ELECTRONICS ENGINEERS OF KOREA. SD, 반도체(2)
- APPLIED SCIENCE AND CONVERGENCE TECHNOLOGY(1)
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- INTERNATIONAL JOURNAL OF CONTROL, AUTOMATION AND SYSTEMS(1)
- JOURNAL OF INFORMATION DISPLAY(1)
- JOURNAL OF MAGNETICS(1)
- JOURNAL OF POWER ELECTRONICS : JPE(1)
- KIEE INTERNATIONAL TRANSACTIONS ON ELECTROPHYSICS AND APPLICATIONS(1)
- THE ASIAN JOURNAL ON QUALITY(1)
- THE JOURNAL OF KOREAN VACUUM SCIENCE & TECHNOLOGY(1)
- THE PLANT PATHOLOGY JOURNAL (1)
- TRANSACTIONS ON ELECTRICAL AND ELECTRONIC MATERIALS(1)
- 산업안전학회지(1)
- 에너지공학(1)
- 전기전자재료(1)
- 전기학회논문지. THE TRANSACTIONS OF THE KOREAN INSTITUTE OF ELECTRICAL ENGINEERS. D / D, 시스템 및 제어부문(1)
- 전기학회지= THE PROCESSING OF THE INSTITUTE OF ELECTRICAL ENGINEERS(1)
- 전자공학회논문지. JOURNAL OF THE KOREAN INSTITUTE OF TELEMATICS AND ELECTRONICS. D(1)
- 제어-자동화-시스템공학 논문지(1)
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Wide band-gap반도체의 물성 및 고주파용 전력소자의 응용
신무환 한국전기전자재료학회 電氣電子材料學會誌= The journal of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers 9 Pages
한국전기전자재료학회 電氣電子材料學會誌= The journal of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers 1996, Vol.9 No.9 969-977 (9 pages)
특히 최근에 많은 관심을 끌고 있는 GaN와 4H-SiC, 6H0SiC의 전자기적 물성을 소개하고 현재 이들로부터 제작된 prototype소자들의 성능을 비교함으로써 그 발전현황을 알아보기로 한다. 본고에서 관심을 두는 소자분야는 광전소자(optoelectronic devices)라기보다는 고주파 고출력용 전력소자임을 밝힌다. 아울러 GaN로부터 제작된 MESFET(MEtal Semiconductor Field-Effect Transistor)소자의 고주파 대역에서의 Large-Signal특성을 Device/Circuit Model을 통하여 실험치와 비교하여보고 이로부터 최적화된 channel 구조를 갖는... -
화합물 반도체 자기센서
차준호, 김남영 한국전기전자재료학회 電氣電子材料學會誌= The journal of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers 6 Pages
한국전기전자재료학회 電氣電子材料學會誌= The journal of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers 1996, Vol.9 No.5 512-517 (6 pages)
본 고는 반도체 재료가 갖는 자기효과를 이용하여 자기센서의 종류 및 특성등에 대하여 서술하였다. 반도체 LSI의 응용분야가 확대됨에 따라서 반도체 센서를 이용한 극소형화, 고성능화, 저가격화, 다기능화등이 가능하게 되었다. 이러한 상황에서 반도체를 이용한 홀 소자나 자기저항 소자와 같은 자기센서 등을 주변회로와 일체화시킨 초소형 시스템에 대한 연구가 활발하다. 특히 화합물 반도체는 자기센서에 적합한 물리적인 특성을 갖고 있기 때문에, 자기센서로 효율을 나타내고 있다. 반도체의 미세가공기술의 발전과... -
CMOS 영상센서를 이용한 영상관측장비 활용
진호, 박영식, 박장현, 육인수, 선광일, 남욱원, 한원용, 이우백, 이성운 한국우주과학회 韓國宇宙科學會誌 8 Pages
한국우주과학회 韓國宇宙科學會誌 2001, Vol.18 No.3 231-238 (8 pages)
CMOS (complementary metal oxide semiconductor) 영상센서를 이용한 영상관측 시스템 을 제작하여 천문관측 활용 가능성에 대한 조사를 수행하였다. CCD(charge coupled device) 영상센서는 지난 30여년간 개발을 거듭해온 결과, 대부분의 영상획득장비나 천문관측용으로 사용되는 극미광 영상장비로 사용되왔다. 그러나 CMOS영상센서 가 실용화되면서 CCD를 이용한 극미광 영상관측 시스템과 일반 상용 영상시스템은 CMOS 영상센서로 교체되고 있다. CMOS 영상센서의 경우 CCD에 비해 시스템 잡음과 측광 성능은 뒤지지만, 태양과 별의... -
유도대전소자모델(FCDM)을 이용한 ESD에 의한 반도체소자의 손상 메커니즘 해석
김두현, 김상렬 한국안전학회 한국산업안전학회지 6 Pages
한국안전학회 한국산업안전학회지 2001, Vol.16 No.2 57-62 (6 pages)
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패키지 반도체소자의 ESD 손상에 대한 실험적 연구
김상렬, 김두현, 강동규, Kim. Sang-Ryull, Kim. Doo-Hyun, Kang. Dong-Kyu 한국안전학회 산업안전학회지 7 Pages
한국안전학회 산업안전학회지 2002, Vol.17 No.4 94-100 (7 pages)
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반도체 공정 교육을 위한 교육용 컴퓨터 모델 설계 및 구현
한영신, 전동훈, Han. Young-Shin, Jeon. Dong-Hoon 한국시뮬레이션학회 한국시뮬레이션학회논문지 7 Pages
한국시뮬레이션학회 한국시뮬레이션학회논문지 2009, Vol.18 No.4 219-225 (7 pages)
가공(FAB) 공정의 전체적인 흐름을 컴퓨터 모델로 구축하고 이를 Device 단면도를 나타내는 프리젠테이션 툴과 연동시키는 교육 모델의 개발을 목적으로 하였다. 급변하는 세계 반도체 시장에서 국내 반도체 업체는 지속적인 기술 개발과 더불어 효율적인 생산관리에 대응할 수 있도록 하여 국제 경쟁력을 키워야 할 것이다. 따라서 본 연구에서 다루어진 공정의 흐름과 각 단위공정의 특성을 바탕으로 설립된 모델은 서울대학교 반도체 공동 연구소를 대상으로 구현되었으나 앞으로 생산 관리를 담당할 국내 반도체 업체들의 신입사원과... -
반도체 소자의 직류특성 측정 시스템의 구현에 관한 연구
최인규, 심태은, 정해용, 김재철, 박종식, Park. In-Kyu, Shim. Tae-Eun, Jeong. Hae-Yong, Kim. Jae-Chul, Park. Jong-Sik 제어로봇시스템학회 제어·자동화·시스템공학 논문지 6 Pages
제어로봇시스템학회 제어·자동화·시스템공학 논문지 2001, Vol.7 No.10 837-842 (6 pages)
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초미세 접합형성을 위한 극 저 에너지 B, P 및 As 이온주입시 채널링 현상에 관한연구
강정원, 황호정 대한전자공학회 電子工學會論文誌. Journal of the Korean Institute of Telematics and Electronics. D 7 Pages
대한전자공학회 電子工學會論文誌. Journal of the Korean Institute of Telematics and Electronics. D 1999, No.0 27-33 (7 pages)
본 논문에서는 반도체 소자 제조 기술의 발전을 위하여 극 저 에너지 붕소(B),인(P), 및 비소(As) 이온 주입시 발생되는 채널링 현상이 초미세 접합깊이 형성에 미치는 영향에 관한여 개선된 MDRANGE 시뮬레이션 결과를 통하여 보여주고 있다. 본 연구에서 시뮬레이션된 5keV 이하의 에너지에서 조차도 이온 채널링 현상은 불순물의 농도 분포에 중요한 영향을 미치게 되는 것을 알 수 있었다. 붕소의 경우 500eV 이상의 에너지에서, 인의 경우 2 keV 이상의 에너지에서, 그리고 비소의 경우 대략 4 keV 이상의 에너지에서 채널링 현상이... -
전압분포의 선형특성을 이용한 Long-Channel Asymmetric Double-Gate MOSFET의 문턱전압 모델
양희정, 김지현, 손애리, 강대관, 신형순, Yang. Hee-Jung, Kim. Ji-Hyun, Son. Ae-Ri, Kang. Dae-Gwan, Shin. Hyung-Soon 대한전자공학회 電子工學會論文誌. Journal of the Institute of Electronics Engineers of Korea. SD, 반도체 6 Pages
대한전자공학회 電子工學會論文誌. Journal of the Institute of Electronics Engineers of Korea. SD, 반도체 2008, Vol.45 No.2 1-6 (6 pages)
Long-channel Asymmetric Double-Ga(ADG) MOSFET의 해석적 문턱전압 모델을 제시한다. 본 모델은 채널 도핑과 채널의 양자효과까지 고려하였으며 더 나아가 문턱전압 영역에서 potential 분포의 선형특성을 이용하여 기존의 모델보다 간단하면서도 정확한 접근을 가능하게 하였다. 개발한 모델의 정확도는 다양한 실리콘 필름의 두께, 채널 도핑, 그리고 산화막 두께 변화에 대하여 numerical 시뮬레이션 결과와 비교하여 검증하였다.


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