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서울올림픽과 Doping Control
한문희, Han. Mun-Hui 한국과학기술단체총연합회 과학과 기술 5 Pages
한국과학기술단체총연합회 과학과 기술 1988, Vol.21 No.6 23-27 (5 pages)
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Electrical Characteristics of $SrTiO_3$ films by acceptor doping
Park. Chi-Sun 한국결정성장학회 한국결정성장학회지 7 Pages
한국결정성장학회 한국결정성장학회지 1997, Vol.7 No.2 334-340 (7 pages)
불순물 주입에 의한 $SrTiO_3$ 박막의 전기적 특성 개선에 관하여 연구하였다. 잉여 SrO가 첨가되고 Fe, Cr 이온이 불순물 도핑된 박막은 $550^{circ}C$, $Ar/O_2$비를 변화시키면서 형성되었다. 어셉터 이온 도핑에 의한 누설전류 특성이 개선됨을 알 수 있었다. 5 mol% SrO가 첨가되고, $550^{circ}C$, $Ar/O_2$비가 5 : 5에서 형성된 $SrTiO_3$ 박막의 유전상수 값은 320, 누설전류 밀도는 $1.0 { imes} 1.0 A/ extrm{cm}^2$까지 개선될 수 있었다. 이러한 결과는 고유전 박막의 전기적 특성을 향상시킴으로써 차세대 메모리 유전체... -
Phenomenal study on the dopant activation behavior in polysilicon thin films doped by non-mass separated ion mass doping technique
윤진영, 최덕균, Yoon. Jin-Young, Park. Duck--Kyun 한국결정성장학회 한국결정성장학회지 8 Pages
한국결정성장학회 한국결정성장학회지 1997, Vol.7 No.1 143-150 (8 pages)
본 연구는 수소로 희석된 $B_2H_6$를 도판트 소스 가스로 사용하여 이온 질량 주입(ion mass doping)을 하였을 때 다결정 박막의 전기적 특성과 도판트의 활성화시 방사 손상(radiation damage)의 효과에 대하여 고찰하였다. 다결정 박막에서 보론(boron)의 SIMS 분석과 컴퓨터 시뮬레이션인 TRIM92를 비교해서 가장 주입 확률이 높은 이온의 종류는 $B_2H_x;^+$(x=1, 2, 3‥‥) 형태의 분자 이온임을 알았다. 높은 에너지의 질량 이온 주입 결과 시간에 따라 변화하는 비정질화된 층의 분율이 다결정 박막 내에 연속적인 비정질 충으로... -
Determination of Doping Density in GaAs Semiconductor by Wavelength-Dependent Photoacoustic Spectroscopy
Lim. Jong-Tae, Choi. Ok-Lim, Boo. Doo Wan, Choi. Joong-Gill 대한화학회 Bulletin of the Korean Chemical Society 4 Pages
대한화학회 Bulletin of the Korean Chemical Society 2014, Vol.35 No.3 895-898 (4 pages)