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GaN HEMT Based High Power and High Efficiency Doherty Amplifiers with Digital Pre-Distortion Correction for WiBro Applications
Park. Jun-Chul, Kim. Dong-Su, Yoo. Chan-Sei, Lee. Woo-Sung, Yook. Jong-Gwan, Chun. Sang-Hyun, Kim. Jong-Heon, Hahn. Cheol-Koo 한국전자파학회 Journal of the Korean Institute of Electromagnetic Engineering and Science 11 Pages
한국전자파학회 Journal of the Korean Institute of Electromagnetic Engineering and Science 2011, Vol.11 No.1 16-26 (11 pages)
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Evaluation of GaN Transistors Having Two Different Gate-Lengths for Class-S PA Design
Park. Jun-Chul, Yoo. Chan-Sei, Kim. Dongsu, Lee. Woo-Sung, Yook. Jong-Gwan 한국전자파학회 Journal of electromagnetic engineering and science : JEES 9 Pages
한국전자파학회 Journal of electromagnetic engineering and science : JEES 2014, Vol.14 No.3 284-292 (9 pages)
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Highly Linear 2-Stage Doherty Power Amplifier Using GaN MMIC
Jee. Seunghoon, Lee. Juyeon, Kim. Seokhyeon, Park. Yunsik, Kim. Bumman 한국전자파학회 Journal of electromagnetic engineering and science : JEES 6 Pages
한국전자파학회 Journal of electromagnetic engineering and science : JEES 2014, Vol.14 No.4 399-404 (6 pages)
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GaN를 이용한 광전기화학적 물분해
오일환, Oh. Ilwhan 한국전기화학회 전기화학회지 6 Pages
한국전기화학회 전기화학회지 2014, Vol.17 No.1 1-6 (6 pages)
본 총설은 질화 갈륨(GaN)을 이용한 광전기화학적 물분해 연구에 대해 정리하였다. GaN는 화학적으로 안정하고 에너지 띠간격 조절이 자유롭다는 장점으로 최근 물분해를 위한 새로운 광전극 물질로 연구되고 있다. 다른 화합물 반도체 물질은 강산 혹은 강염기 전해액에 의해 쉽게 부식되기 때문에 광산화전극(photoanode)으로는 사용이 어려운 반면, n형 GaN는 뛰어난 안정성 덕분에 산화 분위기의 산소 발생 전극으로도 활용이 가능하다. 또한, 최근에는 p형 GaN을 환원전극으로 이용한 광전극에 대한 연구도 보고되었다. GaN 물질이... -
CIGS 태양전지 버퍼층으로의 활용을 위한 인듐설파이드의 전기화학적 합성
김현진, 김규원, Kim. Hyeon-Jin, Kim. Kyu-Won 한국전기화학회 전기화학회지 6 Pages
한국전기화학회 전기화학회지 2011, Vol.14 No.4 225-230 (6 pages)
Copper indium gallium selenide (CIGS) 기반 박막 태양전지는 저렴한 제작 단가 및 다른 박막 태양전지에 비해 높은 효율을 보여 실리콘 기반 태양전지의 차세대 태양전지로 각광을 받고 있다. 구성 요소 중 buffer 층은 window 층과 absorber 층 사이의 높은 밴드 갭(band gap)을 해소 해주는 역할을 한다. 기존의 cadmium sulfide(CdS)의 인체 유해성 때문에 이를 대신할 indium sulfide(In2S3)를 이용한 buffer 층의 연구가 활발히 진행되고 있다. 본 연구에서는 전기화학적인 방법을 통해 값싸고 간편하게 indium sulfide buffer... -
EDMln, TBP와 TBAs를 이용한 InP/GaAs와 GalnAs/GaAs의 MOVPE 성장
유충현 한국전기전자재료학회 전기전자재료학회논문지 6 Pages
한국전기전자재료학회 전기전자재료학회논문지 1998, Vol.11 No.1 12-17 (6 pages)
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Nd:YVO4 Laser Patterning of Various Transparent Conductive Oxide Thin Films on Glass Substrate at a Wavelength of 1,064 nm
Wang. Jian-Xun, Kwon. Sang Jik, Cho. Eou Sik 한국전기전자재료학회 Transactions on electrical and electronic materials 4 Pages
한국전기전자재료학회 Transactions on electrical and electronic materials 2013, Vol.14 No.2 59-62 (4 pages)
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A Study of the Quantitative Relationship of Charge-Density Changes and the Design Area of a Fabricated Solar Cell
Jeon. Kyeong-Nam, Kim. Seon-Hun, Kim. Hoy-Jin, Kim. In-Sung, Kim. Sang-Hyun 한국전기전자재료학회 Transactions on electrical and electronic materials 5 Pages
한국전기전자재료학회 Transactions on electrical and electronic materials 2011, Vol.12 No.5 204-208 (5 pages)
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The Field Modulation Effect of a Fluoride Plasma Treatment on the Blocking Characteristics of AlGaN/GaN High Electron Mobility Transistors
Kim. Young-Shil, Seok. O-Gyun, Han. Min-Koo, Ha. Min-Woo 한국전기전자재료학회 Transactions on electrical and electronic materials 4 Pages
한국전기전자재료학회 Transactions on electrical and electronic materials 2011, Vol.12 No.4 148-151 (4 pages)