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초고속 화합물 반도체 소자의 최근 기술동향 (HEMT 와 H.B.T.를 중신으로)
류태경, 권영세 대한전기학회 전기학회지= The Processing of the Institute of Electrical Engineers 6 Pages
대한전기학회 전기학회지= The Processing of the Institute of Electrical Engineers 1985, Vol.34 No.6 360-365 (6 pages)
실리콘 반도체 소자의 개발은 인류에게 큰 편리를 주며 현 과학문명을 급진적으로 발전시켰다. 실리콘 반도체 기술이 꽃을 피울 무렵 실리콘보다 우수한 성능을 요구하는 필요에 의해 새로운 물질이 연구되기 시작했다. "미래의 반도체"라 불리우는 화합물 반도체로 과학 문명은 새로운 국면을 맞이하게 된다. 그것은, 화합물 반도체의 발광효과를 이용한 광통신개발과 실리콘보다 빠른 전자속도를 이용한 초고속 소자의 개발이라 할 수 있다. 이글에서는 주로 현재 세계에서 널리 연구되고 있는 초고속소자의 기술개발에... -
고속 전자 이동 트랜지스터(HEMT)와 그 응용
이관호, 김종헌 한국전기전자재료학회 電氣電子材料學會誌= The journal of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers 7 Pages
한국전기전자재료학회 電氣電子材料學會誌= The journal of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers 1996, Vol.9 No.10 1074-1080 (7 pages)
수입에 의존하고 있는 실정이다. HEMT는 FET에 대한 응용소자로서 개발의 여지가 충분한만큼 관심을 가질 필요가 있다. 실제로 HEMT가 상업적으로 많이 이용되고 있는 분야는 저잡음 특성이 강하기 때문에 저잡음 증폭기용 소자로 사용되고 있고 제작시에 도핑되는 층의 배열을 변형하거나 첨가하여 소자내의 2차원 전자개스 층을 확장하여 어둑 빠른 소자 개발도 현재 이루어지고 있는 실정이다. 점점 더 증가하는 초고속 통신 시스템의 요구와 초고주파와 밀리미터파의 이용은 고속전자이동 트랜지스터의 미래를 밝게 해줄것이다. -
P-HEMT를 이용한 능동 안테나용 X-Band MMIC 저잡음 증폭기 설계 및 제작
강동민, 맹성재, 김남영, 이진희, 박병선, 윤형섭, 박철순, 윤경식 한국전자파학회 韓國電磁波學會論文誌 9 Pages
한국전자파학회 韓國電磁波學會論文誌 1998, Vol.9 No.4 506-514 (9 pages)
AlGaAs/InGaAs/GaAs 고속 전자 이동도 트랜지스터(Pseudomorphic-High Electron Mobility Transistor, P-HEMT)를 이용하여 2단으로 설계하고 제작하였다. 증폭기의 안정도 특성을 위해 이득이 다소 감소하나 입력정합이 쉽고 안정도가 좋은 소스 인턱터를 사용하여 저잡음증폭기를 설계하였다. 동작 주파수에서 약 17dB의 이득, 1.3 dB의 잡음 지수 그리고 입.출력 반사손실은 -17~-15dB를 측정 결과로서 얻었다. 이러한 측정 결과는 잡음 지수를 제외하고는 설계 결과와 거의 일치하며, 제작된 MMIC LNA의 칩 크기는 $1.43 iems1.27mm^2$ -
III-V족 화합물 반도체 P-HEMT소자의 연구 동향
조신희, 김남영, 김복기 한국전기전자재료학회 전기전자재료 6 Pages
한국전기전자재료학회 전기전자재료 1998, Vol.11 No.8 19-24 (6 pages)
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0.25 ${mu}m$ T형 게이트 P-HEMT 제작 및 특성 평가와 MMIC 저잡음 증폭기에 응용
김병규, 김영진, 정윤하, Kim. Byung-Gyu, Kim. Young-Jin, Jeong. Yoon-Ha 대한전자공학회 電子工學會論文誌. Journal of the Korean Institute of Telematics and Electronics. D 9 Pages
대한전자공학회 電子工學會論文誌. Journal of the Korean Institute of Telematics and Electronics. D 1999, No.0 38-46 (9 pages)
P-HEMT를 X-밴드용 3단 MMIC 저잡음 증폭기 설계에 응용하였다.제작된 P-HEMT의 DC 특성은 최대 외인정 전달 컨덕턴스가 400mS/mm이고, 최대 드레인 전류는 400mA/mm이었다. RF 및 잡음 특성은 전류 이등 차단 주파수($f_T$)가 65GHz이고, 주파수 9GHz에서 최소 잡음 지수는 0.7dB, 관련 이득은 14.8dB이었다. 이때의 바이어스 조건은 Vds가 2V이고, Ids는 60%Idss이었다. 저잡음 증폭기 설계에 있어서, 회로 Topology는 인덕턴스 직렬 궤환(Series Feedback)으로 쇼토 스터브(Short Stub)를 사용하였다. 이때 최적의 쇼트 스터브... -
分子線에피택셜 方法으로 成長한 I $n_{0.53}$GaTEX>$_{0.47}$As/InTEX>$</TEX>_{0.52}$</TEX>AlTEX>$_{0.48}$</TEX>As/InP P-HEMT 構造內의 V 및 X字形 缺陷에 關한 硏究
이해권, 홍상기, 김상기, 노동원, 이재진, 편광의, 박형무 대한전자공학회 電子工學會論文誌. Journal of the Korean Institute of Telematics and Electronics. D 6 Pages
대한전자공학회 電子工學會論文誌. Journal of the Korean Institute of Telematics and Electronics. D 1997, No.0 56-61 (6 pages)
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개인 휴대통신용 4중대역 p-HEMT SR6T 스위치 구현
선원철, 정인호, Shin. One-Chul, Jeong. In-Ho 대한전자공학회 電子工學會論文誌. Journal of the Institute of Electronics Engineers of Korea. TC, 통신 5 Pages
대한전자공학회 電子工學會論文誌. Journal of the Institute of Electronics Engineers of Korea. TC, 통신 2011, Vol.48 No.1 97-101 (5 pages)
4중 대역 p-HEMT SP6T 스위치를 구현하였다. 낮은 삽입손실과 높은 격리특성을 달성하기 위하여, 트랜지스터 단위소자의 최적화를 통해 On-Off간 상호 보완적 관계를 고려하였으며, 특히 송수선간 격리 특성의 경우, 큰 커패시터 삽입을 통하여 우수한 격리 특성을 달성하는 동시에 단일의 전압제어와 백비아를 사용한 접지를 통해 소형화를 달성하였다. 구현된 SP6T 스위치는 $950um{ imes}100um$의 크기를 가지며 공정상 게이트 우물의 오류를 감안할 때, 각 주파수 대역에서 우수한 삽입손실 및 격리특성을 확인 할 수 있었다. -
LS 밴드용 역지향성 능동배열 안테나 설계
전중창, Chun. Joong-Chang 한국해양정보통신학회 한국해양정보통신학회논문지 5 Pages
한국해양정보통신학회 한국해양정보통신학회논문지 2006, Vol.10 No.1 171-175 (5 pages)
그 방향으로 되돌려 복사시키는 안테나 배열 시스템으로서, 반사파가 입사 반대 방향으로 파면(wave front)을 갖도록 하기 위한 공액 위상변위기가 포함된 능동 안테나 배열로 구성된다. 본 연구에서는 RF/IF 신호포트와 LO 포트로 이루어진 2-포트 게이트 HEMT 혼합기와 1/4파장 모노폴 안테나 배열($1{ imes}4$)을 사용하여 역지향성 능동배열 안테나를 구현하였다. 제작된 배열 안테나의 역지향 특성을 실험 측정하고, 이론적 예측치와 비교하여 잘 일치함을 확인하였다. 모노폴 안테나 배열은 구조가 간단하여 제작이 용이한 장점을... -
부성저항 특성을 갖는 능동 인덕터와 능동 캐패시터를 이용한 능동 공진 발진기 설계 및 제작
신용환, 임영석 한국해양정보통신학회 한국해양정보통신학회논문지 7 Pages
한국해양정보통신학회 한국해양정보통신학회논문지 2003, Vol.7 No.8 1591-1597 (7 pages)
본 논문에서는 HEMT(Agilent ATF34143)를 이용한 부성저항 특성을 갖는 능동 인덕터와 캐패시터를 이용해 능동 공진 발진기 제작에 응용하였다. 5.5GHz 대역에서 능동 인덕터는 25$Omega$의 부성저항과 2.4nH의 인덕턴스를 갖고, 능동 캐패시터는 14$Omega$의 부성저항과 0.35pF의 캐패시턴스를 갖도록 설계하였다. 설계된 능동 인덕터와 캐패시터를 이용 5.8GHz ISM 대역의 국부 발진기로 사용 가능한 능동 공진 발진기를 설계하였다. 애질런트사의 ADS 2002C를 이용 시뮬레이션 하였다. 설계된 발진기는 유전율 3.38, 유전체 두께...