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721.

ITO/PET 기판 위에 성장된 산화아연 나노로드에 형성된 은 입자의 광학적 특성 및 소수성 표면 연구

고영환, 김명섭, 유재수, Ko. Yeong-Hwan, Kim. Myung-Sub, Yu. Jae-Su 한국진공학회 韓國眞空學會誌 7 Pages

한국진공학회 韓國眞空學會誌 2012, Vol.21 No.4 205-211 (7 pages)

고영환, 김명섭, 유재수, Ko. Yeong-Hwan, Kim. Myung-Sub, Yu. Jae-Su 저

이 논문은 한국과학기술정보연구원과 논문 연계를 통해 무료로 제공되는 원문입니다.
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인듐주석산화막/폴리에틸렌 테레프탈레이트(ITO/PET: indium tin oxide/polyethylene terephthalate) 유연 기판 위에 성장된 산화아연(ZnO) 나노로드(nanorods)를 이용하여 형성된 은(Ag) 입자의 광학적 특성 및 소수성 표면에 대해 조사하였다. 시료를 준비하기 위해 스퍼터링법(sputtering)으로 코팅된 산화아연 씨드층(seed layer)을 이용하여 전기화학증착법(electrochemical deposition)으로 산화아연 나노로드를 성장시킨 후, 열증발증착법(thermal evaporation)을 사용하여 은을 증착하였다. 산화아연 나노로드의 불연속적인 표면...
722.

γ-FIB 시스템을 이용한 산소 유량 변화에 따른 산화인듐주석 박막의 특성 연구

김동해, 손찬희, 윤명수, 이경애, 조태훈, 서일원, 엄환섭, 김인태, 최은하, 조광섭, 권기청, Kim. D.H., Son. C.H., Yun. M.S., Lee. K.A., Jo. T.H., Seo. I.W., Uhm. H.S., Kim. I.T., Choi. 한국진공학회 韓國眞空學會誌 9 Pages

한국진공학회 韓國眞空學會誌 2012, Vol.21 No.6 333-341 (9 pages)

김동해, 손찬희, 윤명수, 이경애, 조태훈, 서일원, 엄환섭, 김인태, 최은하, 조광섭, 권기청, Kim. D.H., Son. C.H., Yun. M.S., Lee. K.A., Jo. T.H., Seo. I.W., Uhm. H.S., Kim. I.T., Choi. 저

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RF 마그네트론 스퍼터링법을 이용하여 산소유량 변화에 따라 증착된 ITO 박막 구조적, 전기적, 광학적 특성을 분석하였다. ITO (Indium Tin Oxide) 박막은 $1.0{ imes}10^{-3}$ Torr의 공정 압력과 2 kW 및 13.56 MHz의 RF 전력, 1,000 sccm의 Ar 가스 조건하에 0~12 sccm의 $O_2$ 가스 유량을 변경하면서 증착하였다. 광투과율 측정은 적분구를 이용하였으며, 측정 파장 범위는 300~1,100 nm이다. 4-point probe를 이용하여 면저항을 측정하였으며, Hall Measurement System을 이용하여 비저항, 캐리어 농도 및 전자이동도를 측정하였다....
723.

이중벽 탄소나노튜브의 염산처리 시간에 따른 전계방출 특성 평가

정다미, 석중현, Jung. Da-Mi, Sok. Jung-Hyun 한국진공학회 韓國眞空學會誌 7 Pages

한국진공학회 韓國眞空學會誌 2011, Vol.20 No.1 70-76 (7 pages)

정다미, 석중현, Jung. Da-Mi, Sok. Jung-Hyun 저

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이중벽 탄소나노튜브는 불순물로 비정질 탄소와 금속촉매를 포함하고 있어, 이를 제거하기 위해 열처리와 과산화수소, 질산, 염산을 이용한 산 처리를 하였다. 정제된 이중벽 탄소나노튜브를 계면 활성제인 Sodium dodecylbenzenesulfonate (SDBS)를 사용하여 잉크를 제작하였고, 잉크를 스프레이 방법으로 Indium Tin Oxide (ITO)기판에 분무하여 전계방출을 위한 에미터를 제작하였다. 본 연구에서는 염산 처리 시간에 따른 이중벽 탄소나노튜브의 특성을 X-ray diffraction, Thermal Gravity Analysis (TGA) 측정을 통해 평가하였고,...
724.

진공증착법에 의해 제작된 Cd2GeSe4와 Cd2GeSe4:Co2+ 박막의 물리적 특성

이정주, 성병훈, 이종덕, 박창영, 김건호, Lee. Jeoung-Ju, Sung. Byeong-Hoon, Lee. Jong-Duk, Park. Chang-Young, Kim. Kun-Ho 한국진공학회 韓國眞空學會誌 9 Pages

한국진공학회 韓國眞空學會誌 2009, Vol.18 No.6 459-467 (9 pages)

이정주, 성병훈, 이종덕, 박창영, 김건호, Lee. Jeoung-Ju, Sung. Byeong-Hoon, Lee. Jong-Duk, Park. Chang-Young, Kim. Kun-Ho 저

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진공증착법으로 $Cd_2GeSe_4$와 $Cd_2GeSe_4:Co^{2+}$ 박막을 ITO(indium tin oxide) 유리 기판 위에 제작하였다. 결정화는 증착된 박막들을 질소분위기의 전기로에서 열처리함으로서 이룰 수 있었다. X-선 회절 분석에 의하여 증착된 $Cd_2GeSe_4$와 $Cd_2GeSe_4:Co^{2+}$ 박막의 격자상수는 $a;=;7.405;{AA}$, $c;=;36.240;{AA}$와 $a;=;7.43;{AA}$, $c;=;36.81;{AA}$로서 능면체(rhombohedral) 구조이었고, 열처리 온도를 증가함에 따라 (113)방향으로 선택적으로 성장됨을 알 수 있었다. 열처리 온도를 증가시킴에 따라 입계 크기가...
725.

인라인 스퍼터링에 의한 저항막 방식 터치패널용 ITO 기판 제조공정 최적화 기술

안민형, 조의식, 권상직, Ahn. M.H., Cho. E.S., Kwon. S.J. 한국진공학회 韓國眞空學會誌 7 Pages

한국진공학회 韓國眞空學會誌 2009, Vol.18 No.6 440-446 (7 pages)

안민형, 조의식, 권상직, Ahn. M.H., Cho. E.S., Kwon. S.J. 저

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본 연구에서는 인라인 스퍼터링 공정을 이용하여 저항막 방식 터치패널에 적용이 가능한 인듐 주석 산화물(indium tin oxide: ITO)기판 제조 공정을 최적화하였다. 플라스틱 기판으로 고분자 기판인 폴리카보네이트(polycarbonate : PC) 기판을 사용하였으며 면저항 $500{pm}50;{Omega}$/□, 면저항 균일도 10 % 이내, 투과율 87 %(at550nm)이상, 두께 $120{sim}250;{AA}$의 조건을 만족하는 ITO 기판의 공정 최적화를 위한 실험을 진행하였다. 스퍼터링 공정은 초기 진공도 $1{ imes}10^{-6};torr$ 일 때 상온에서 DC 전압을 인가하여...
726.

ITO 기판에 제작된 PLZT 박막의 후열처리 온도에 따른 전기적 특성평가

차원효, 윤지언, 황동현, 이철수, 이인석, 손영국, Cha. Won-Hyo, Youn. Ji-Eon, Hwang. Dong-Hyun, Lee. Chul-Su, Lee. In-Seok, Sona. Young-Guk 한국진공학회 韓國眞空學會誌 6 Pages

한국진공학회 韓國眞空學會誌 2008, Vol.17 No.1 28-33 (6 pages)

차원효, 윤지언, 황동현, 이철수, 이인석, 손영국, Cha. Won-Hyo, Youn. Ji-Eon, Hwang. Dong-Hyun, Lee. Chul-Su, Lee. In-Seok, Sona. Young-Guk 저

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R.F 마그네트론 스퍼터링 방법을 이용하여 Indium tin oxide(ITO)가 증착된 유리기판 위에 PLZT ($Pb_{1.1}La_{0.08}Zr_{0.65}Ti_{0.35}O_3$) 박막을 제작하였다. 기판온도를 $500^{circ}C$로 고정하여 증착한 후 급속열처리 방법으로 다양한 온도 ($550-750^{circ}C$)에서 후열처리 하였다. 후열처리온도의 변화에 따른 PLZT 박막의 결정학적 특성을 X선 회절법을 통하여 분석하였고 원자간력 현미경을 이용하여 박막의 표면 상태를 관찰하였다. 또한 precision material analyzer 을 이용하여 분극이력곡선과 피로특성을 측정하였다. 후...
727.

고균일 Al 박막 증착을 위한 magnetron sputtering system 개발

이재희, 황도원, Lee. J.H., Hwang. D.W. 한국진공학회 韓國眞空學會誌 5 Pages

한국진공학회 韓國眞空學會誌 2008, Vol.17 No.2 165-169 (5 pages)

이재희, 황도원, Lee. J.H., Hwang. D.W. 저

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금속박막을 증착하는 것은 매우 중요하다. 기존의 기판고정식 sputtering 장비로 증착한 indium tin oxide(ITO)박막의 두께 균일도가 $pm4%simpm5%$ 정도로 중앙부분이 더 두껍다. 방전전극 구조물을 설계하고 제작하여 sputtering되는 물질의 방향을 조절하였다. 개량된 sputtering gun을 사용하여 기판고정식 sputtering 장비에서 4" wafer 내에서 $pm0.8sim1.3%$ 정도로 두께 균일도를 증가시켰다. wafer to wafer에서는 $pm$5.3%에서 $pm$1.5%로 두께 균일도가 향상되었다. Al박막의 경우 $pm$1.0% 이내의 두께 균일도를 얻을 수...
728.

Diamond-like carbon 및 titanium nitride 박막의 혈액적합성 연구

윤주영, 배진우, 박기동, 구현철, 박형달, 정광화, Yun. Ju-Young, Bae. Jin-Woo, Park. Ki-Dong, Goo. Hyun-Chul, Park. Hyung-Dal, Chung. Kwang-Wha 한국진공학회 韓國眞空學會誌 6 Pages

한국진공학회 韓國眞空學會誌 2005, Vol.14 No.3 165-170 (6 pages)

윤주영, 배진우, 박기동, 구현철, 박형달, 정광화, Yun. Ju-Young, Bae. Jin-Woo, Park. Ki-Dong, Goo. Hyun-Chul, Park. Hyung-Dal, Chung. Kwang-Wha 저

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물론 생체적합 특성까지 갖추고 있다. 따라서 이들 박막의 혈액 적합성과 물리적 특성과의 관개를 연구하기 위하여 박막표면의 모폴로지 및 젖음성과 fibrinogen흡착 특성을 비교 분석하였다. 혈액응고 원인이 되는 fibrinogen의 흡착량은 DLC보다 TiN의 경우가 적어, 보다 우수한 특성을 보였으며, 이것은 TiN박막 표면의 높은 친수성으로 인한 것으로 판단된다. 박막표면의 fibrinogen 흡착을 줄이기 위해 플라즈마 처리 및 노(爐) 열처리를 각각 수행하였다. 산소 플라즈마 및 열처리를 하였을 경우 DLC 박막은 큰 효과가 없는 반면...
729.

ALD법으로 제조된 $AI_2O_3$막의 유전적 특성

김재범, 권덕렬, 오기영, 이종무 한국진공학회 韓國眞空學會誌 6 Pages

한국진공학회 韓國眞空學會誌 2002, Vol.11 No.3 183-188 (6 pages)

김재범, 권덕렬, 오기영, 이종무 저

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조사하였다. XPS 분석결과 $O_3$를 사용한 AI$(CH_3)_3)$막은 $H_2O$를 사용할 때와는 다르게 $OH^{-}$기가 감소됨을 관찰할 수 있었다. 화학적 안정성(chemical inertness)의 척도가 되는 wet 에칭율 또한 $O_3$를 사용한 AI$(CH_3)_3)$막의 경우가 더욱 우수하게 나타났다. TiN을 상부전극으로 한 MIS (metal-insulator-silicon) capacitor 구조로 제작된 AI$(CH_3)_3)$막의 경우 $H_2O$를 사용한 경우 보다 $O_3$를 사용한 경우에 누설전류밀도가 더 낮았고, 절연특성이 더 우수하였으며, $H_2O$보다 $O_3$를 사용했을 때 C-V...
730.

Cu 배선에 Al층간 물질 첨가에 의한 EM특성 개선

이정환, 박병남, 최시영 한국진공학회 韓國眞空學會誌 8 Pages

한국진공학회 韓國眞空學會誌 2001, Vol.10 No.4 403-410 (8 pages)

이정환, 박병남, 최시영 저

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어떠한 영향을 미치는지를 알아보았으며 MOCVD 방식으로 증착한 Cu박막의 표면과 barrier layer인 TiN과의 응력(stress)을 조사하여 차세대 EM모델인 grain boundary grooving 모델에 실질적으로 적용하였다. 또한, 이러한 실험을 행 한 후에 정확한 EM 현상을 관찰하고 분석하여 반도체 소자의 신뢰성과 성능개선, 결함 예측, 그리고 소자의 배선설계에 중요한 정보를 제공할 것이다. 또한, 보다 우수한 EM 특성을 가질 수 있게 하기 위해 barrier layer위에 Cu와의 접착력(adhesion)을 향상시킬 수 있는 promoter로 Al을 이용하여 얇게...

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