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근거리 무선통신용 5.5 GHz 대역 VCO 설계 및 제작
한상철, 오승엽 한국전자파학회 韓國電磁波學會論文誌 8 Pages
한국전자파학회 韓國電磁波學會論文誌 2001, Vol.12 No.3 401-408 (8 pages)
설계 및 제작하였다. MESFET의 소신호 산란계수의 발진기의 궤환부, 공진부의 Z-파라미터를 이용하여 최적 부하임피던스가 도출될때의 VCO 설계 파라미터들을 추출하였다. 최적 부하임피던스가 도출될 때 궤환부와 공진부의 리엑턴스를 구하는 프로그램은 MATKAB을 이용하여 작성하였으며 추출된 파라미터 값으로 ADS 시뮬레이터를 이용하여 비선형 대신호 해석을 하였다. 설계된 파라미터를 이용하요 구현된 전압 제어 발진기의 특성을 측정한 결과, 바랙터 다이오드에 인가되는 전압의 변화(0~5 V)에 따른 주파수 변화는 5.42 GHz~5.518... -
휴대용 PCS 단말기를 위한 선형 전력증폭기 모듈의 구현
노태문, 한기천, 김영식, 박위상, 김범만 한국전자파학회 韓國電磁波學會論文誌 10 Pages
한국전자파학회 韓國電磁波學會論文誌 1997, Vol.8 No.6 558-567 (10 pages)
고선형 특성이 요구되는 휴대용 PCS 단말기를 위한 전력증폭기 모율을 구현하였다. 시스템의 요구 사양을 만족시킴 수 있는 능동 소자(MESFET)를 선택하고 이의 대신호 등가모형을 추출하여 모율을 설계하였다. 모둘은 동삭 주파수 1750-1780 MHz에서 동작하는 저속 보행자용과 고속 차량용의 2가지 종류로 구현하였다. 지속 보행자용 모플은 드레인 바이어스 3.6 V 하에서 출력 전력 23.2 dBm, 효율 34 %, 이득 22.2 dB과 $IMD_3$ 31dBc의 특성을 얻었고, 고속 이동용 모율은 드레인 바이어스 4.2 V 하에서 출력 전력 27.2 dBm, 효율 3 ... -
비대칭 결합 마이크로스트립 선로를 이용한 능동 다이플렉서의 구현
윤현보, 문승찬, 최원영 한국전자파학회 電磁波技術 : 韓國電磁波學會誌 7 Pages
한국전자파학회 電磁波技術 : 韓國電磁波學會誌 1993, Vol.4 No.3 11-17 (7 pages)
비대칭 결합선로를 이용한 대역통과 필터와 MESFET으로 구성되는 능동 다이플렉서를 실현하였다. 여기서 비대칭 결합 마이크로스트립 선로의 어드미턴스 인버터 파라미터는 대역통과 펼터의 기본적인 설계 파라미터에 대한 함수로서 주어진다. 능동 다이플렉서는 중심주파수 9 GHz와 11 GHz에서 각각 대역폭 22%와 18%로 설계하였고, Super-compact를 이용하여 설계값을 최적화하였다. 실험 결과 8.3-9.6 GHz와 10.3-11.8 GHz의 각대역에서 $6.2pm0.3$ dB의 균일한 이득을 얻었고, 이 결과 는 대역폭은 잘 일치하나 이득은 설계값보다 1.5... -
MMIC용 초광대역 마이크로파 증폭기설계에 관한 연구
이영철, 신철재 한국전자파학회 電磁波技術 : 韓國電磁波學會誌 9 Pages
한국전자파학회 電磁波技術 : 韓國電磁波學會誌 1992, Vol.3 No.1 11-19 (9 pages)
설계하고자 GaAs MESFET 소신호 동가회로에 인덕터 피킹소자를 첨가하여 캐패시턴스의 영향을 감소시키는 주파수 피킹현상에 대하여 분석하였다. GaAs MESFET의 소신호 둥가회로의 전달함수로 부터 인턱터 피킹소자의 최적값을 유도하였으며, 매 우 균일이득을 갖는 귀환증폭모듈을 실현하였다. 실 주파수법에 의하여 입력과 출력단의 엄피던스정합회로를 설계하여 초광대역 마이크로파증폭기를 구현하였으며 컴퓨터 시률레이션에 의하여 셜계된 증폭기의 이득의 오차는 O.lGHz-12GHz에서 O.56dB의 매우 균일한 이득을 얻을 수 있었다. -
마이크로파 소자 특성화를 위한 새로운 보정 방법
신헌철, 유영길, 정의붕, 이종악 한국전자파학회 電磁波技術 : 韓國電磁波學會誌 7 Pages
한국전자파학회 電磁波技術 : 韓國電磁波學會誌 1991, Vol.2 No.3 10-16 (7 pages)
우선적으로 보정하여야 한다. 본 논문에서는 길이가 다른 두개의 보정용 마이크로 스트립 선로만으로 오차회로망을 특성화하는 방볍을 제시하였다. 보정용 두 선로의 길이가 정확히 주어진다면, 전파상수의 지식없이도 정확한 보정 데이타를 제공할 수 있다. 보정용 선로 제작시 end effect를 전혀 고려할 필요가 없다. 이 방볍에 의한 보정작업에 따라 A TF13736 MESFET를 특성화 하였다. 측정주파수 범위는 2 2-18 GHz이고, 바이어스는 VDs=2. 5V, IDs=20mA이었다. 보정데이타와 데이타 용지를 비교할 때, 상대적 으로 낮은 주파수에서... -
X-대역 레이더용 국부 발진기의 설계 및 구현
김기래, Kim. Gi-Rae 한국전자통신학회 한국전자통신학회 논문지 6 Pages
한국전자통신학회 한국전자통신학회 논문지 2014, Vol.9 No.11 1215-1220 (6 pages)
본 논문은 GaAs MESFET를 이용하여 X-band 레이더용 국부발진기를 설계 및 제작하였다. GaAs MESFET는 매우 낮은 저잡음특성과 높은 전자이동도를 가지기 때문에 초고주파용 저잡음 발진기에 적합하다. 본 논문의 발진기 설계 방법은 RF 공진기를 사용하지 않고 능동소자의 부성저항 특성과 임피던스 정합법에 의해 이루어진다. 따라서 RF 공진기가 차지하는 면적을 줄일 수 있고 MMIC화가 가능하여 발진기의 크기를 소형화할 수 있는 장점이 있다. 설계된 발진기는 중심주파수 10.545 GHz에서 출력 2.30 dBm을 나타낸다. -
내열성 전극재료를 이용한 GaAs 고집적소자 공정기술
이재신, 강진영, Lee. Jae-Sin, Gang. Jin-Yeong 한국전자통신연구원 전자통신동향분석 12 Pages
한국전자통신연구원 전자통신동향분석 1989, Vol.4 No.2 160-171 (12 pages)
제조에서 내열성게이트를 이용한 자기정렬형 MESFET 기술은 우수한 성과를 보이고 있다. 본 고에서는 GaAs 집적소자에 응용되는 여러가지 내열성재료들의 특징과 문제점을 파악하고 현재까지의 개발현황을 알아보았다. 현재 여러가지 저저항 텅스텐화합물이 집적소자제조에 성공적으로 이용되고 있다. 이들 내열성재료의 특성과 더불어 집적소자제조의 전후공정 및 소자구조는 최종적으로 얻어지는 소자특성을 좌우한다. 따라서 최근까지의 내열성게이트를 이용한 GaAs 공정기술의 개발과정을 정리하고 각 기술의 특징을 분석하였다. -
Slow Positron Beam 기술에 의한 반도체 재료의 격자결함분석 연구현황
이종람, Lee. Jong-Ram 한국전자통신연구원 전자통신 12 Pages
한국전자통신연구원 전자통신 1988, Vol.10 No.1 64-75 (12 pages)
큰 영향을 미친다. 소자공정중 이온주입 공정은 self-aligned MESFET(Metal Semiconductor Field Effect Transistor) 제작에 필수적인 기술이나, 이온 주입시 수 $AA$ 크기의 vacancy 등 격자결함이 발생하며 이들 결함을 제어할 수 있는 기술이 필요하다. 에너지 가변 양전자 소멸기술은 표면에서 $1mum$정도내에 존재하는 vacancy 형태의 격자결함을 감지해 낼 수 있으며 이들 격자결함의 depth profiling을 할 수 있는 기술이다. 본 고에서는 에너지 가변 양전자 소멸기술의 원리 및 최근 연구결과에 대해서 살펴보기로 한다. -
1.9GHz CMOS RF Up-conversion 믹서 설계
최진영, Choi. Jin-Young 한국전기전자학회 전기전자학회논문지 10 Pages
한국전기전자학회 전기전자학회논문지 2000, Vol.4 No.2 202-211 (10 pages)
하였고, 회로 설계를 위한 시뮬레이션 과정을 소자 모델링을 포함하여 상세히 설명하였다. $0.5{mu}m$ 표준 CMOS 공정을 이용하여 칩을 제작한 결과, 제작된 칩의 특성과 초기 시뮬레이션에 의해 예상되는 특성 사이에 큰 차이점이 발견되어 이에 대한 원인 분석을 시도하였다. 발견된 문제점들을 고려한 경우의 시뮬레이션을 통해 시도한 시뮬레이션 방법의 타당성을 증명하였고, 이러한 문제점들을 보완할 경우 사용한 표준 CMOS 공정으로도 GaAs MESFET 공정을 사용한 유사 칩의 특성에 근접하는 칩 특성의 구현이 가능함을 보였다. -
초고속 정보통신망을 위한 이동수신 시스템에 관한 연구
김갑기, 문명호, 신동헌, 이종악, Kim. Kab-Ki, Moon. Myung-Ho, Shin. Dong-Hun, Lee. Jong-Arc 한국전기전자학회 전기전자학회논문지 14 Pages
한국전기전자학회 전기전자학회논문지 1998, Vol.2 No.1 1-14 (14 pages)
이득은 39dB를 얻었다. 분포형 주파수 혼합기는 Dual-Gate GaAs MESFET를 사용하여 입력단에 하이브리드를 사용하지 않고 10dB 이상의 LO/RF 분리도를 얻었고, 회로의 크기를 최소화하였다. 또한, 선형적인 혼합 신호를 출력하여 베이스밴드에서의 신호왜곡을 감소 시켰으며, 주파수 혼합작용과 증폭작용이 동시에 이루어지므로 변환이득을 얻을 수 있고 분포형 증폭이론을 적용하여 광대역특성을 갖도록 설계하였다. VCO(voltage control oscillator)의 설계는 대신호 해석을 통한 발진기 이론을 도입하여 비교적 안정된 신호를 출력할...