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비냉각 금속 박막형 열전퇴 적외선 검지기
오광식, 조현덕, 김진섭, 이용현, 이종현, 이정희, 박세일, Oh. Kwang-Sik, Cho. Hyun-Duk, Kim. Jin-Sup, Lee. Yong-Hyun, Lee. Jong-Hyun, Lee. Jung-Hee, Park. Se-Il 대한전자공학회 電子工學會論文誌. Journal of the Institute of Electronics Engineers of Korea. SD, 반도체 8 Pages
대한전자공학회 電子工學會論文誌. Journal of the Institute of Electronics Engineers of Korea. SD, 반도체 2000, Vol.37 No.2 5-12 (8 pages)
열전퇴의 고온 접합부가 Si3N4/SiO2/Si3N4 멤브레인에 의해 실리콘 기판으로부터 열차단되고, 열전퇴의 저온 접합부는 방열판 역할을 하는 실리콘 림(rim)에 의해 지지되는 멤브레인위에 놓여지며, Au-black이 적외선 흡수체로 사용되는 비냉각 금속 박막형 열전퇴 적외선 검지기를 제작하고, 적외선 검지기의 성능지수에 대해 논의하였다. 3∼14㎛의 파장범위에서 Au-black의 적외선 흡수도는 대개 90%정도였고, Au 증발시의 챔버압력 및 증착된 Au-black의 단위면적당 질량에 크게 의존하였다. 쵸핑 주파수가 5 Hz일 때 Bi-Sb 열전퇴... -
고효율 실리콘 태양전지(II)-확산형 실리콘 태양전지에 대한 모의 실험
강진영, 이종덕 대한전자공학회 電子工學會誌 13 Pages
대한전자공학회 電子工學會誌 1981, Vol.18 No.4 49-61 (13 pages)
광원이고, AR코팅은 Si3N4형과 투과도가 파장에 관계없는 일정형 2종류가 있으며, 프로그램에서 이들 전지의 구조, 광원, AR 코팅 종류에 대한 파장 특성분포도 쉽게 변화시킬 수 있도록 되어 있다. 이 모의실험의 결과들을 토대로 N+와 P 영역에서의 평균도오핑농도와 전지의 두께, AMI 스펙트럼에 대한 집광도, 앞면 접합깊이에 대하여 효율이 최대가 되는 최적치들을 구하였으며, 앞면의 표면 재결합 속도, 접합부에서의 캐리어의 유효 수명, 누설저항에 대하여는 허용 한계치로, 기타 효율변화인자로서 동작온도 직렬저항과 전기장의... -
MIM 커패시터에서의 정합특성의 온도에 대한 의존성
장재형, 권혁민, 곽호영, 권성규, 황선만, 성승용, 신종관, 이희덕, Jang. Jae-Hyung, Kwon. Hyuk-Min, Kwak. Ho-Young, Kwon. Sung-Kyu, Hwang. Seon-Man, Sung. Seung-Yong, Sh 대한전자공학회 Journal of the Institute of Electronics Engineers of Korea 6 Pages
대한전자공학회 Journal of the Institute of Electronics Engineers of Korea 2013, Vol.50 No.5 61-66 (6 pages)
본 논문에서는 절연물체로 $Si_3N_4$를 사용한 MIM 커패시터의 정합특성의 온도에 대한 의존성에 대해 분석하였다. 온도가 올라감에 따라 정합특성이 열화 되는 현상이 나타났다. 즉, $25^{circ}C$, $75^{circ}C$ 그리고 $125^{circ}C$에서 $Si_3N_4$ MIM 커패시터의 정합특성 계수는 각각 0.5870, 0.6151, $0.7861%{mu}m$으로 측정 되었다. 이러한 현상은 온도가 증가함에 따라 커패시터 내부의 캐리어들의 이동도가 감소하고 전하의 농도가 많아지기 때문이라고 할 수 있다. 따라서 고온에서의 $Si_3N_4$ MIM 커패시터의 정합특성의... -
텅스텐 실리사이드 상의 얇은 $SiO_2/Si_3N_4$ 막의 특성 평가
구경원, 홍봉식 한국진공학회 韓國眞空學會誌 7 Pages
한국진공학회 韓國眞空學會誌 1992, Vol.1 No.1 183-189 (7 pages)
텅스텐 실리사이드를 축적전극으로 하는 얇은 N/O(SiO2/Si3N4) 구조막의 특성을 다 결성 실리콘의 경우와 비교 평가하였다. 누설전류 및 항복전압이 향상되었고 축적용량은 감 소하였다. 용량 감소의 원인중의 하나는 텅스텐 실리사이드 상의 산화막 성장률이 다결성 실리콘 위에서 보다 빠른 것이고 둘째는 열처리에 따라 다결정 실리콘 내 도판트 불순물이 텅스텐 실리사이드를 통하여 외향확산하여 다결정 실리콘 내에 공핍층을 형성하게 되고 공 핍층 용량으로 인하여 축적용량이 감소하게 된다. -
질화 규소 접합체의 미세구조와 파괴 강도에 관한 연구
차재철, 강신후, 박상환 한국세라믹학회 요업학회지 8 Pages
한국세라믹학회 요업학회지 1999, Vol.36 No.8 835-842 (8 pages)