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811.

질화물 박막을 이용한 단결정 $eta$-SiC의 고온 ohmic 접촉 연구

최연식, 나훈주, 정재경, 김형준, Choe. Yeon-Sik, Na. Hun-Ju, Jeong. Jae-Gyeong, Kim. Hyeong-Jun 한국재료학회 한국재료학회지 8 Pages

한국재료학회 한국재료학회지 2000, Vol.10 No.1 21-28 (8 pages)

최연식, 나훈주, 정재경, 김형준, Choe. Yeon-Sik, Na. Hun-Ju, Jeong. Jae-Gyeong, Kim. Hyeong-Jun 저

이 논문은 한국과학기술정보연구원과 논문 연계를 통해 무료로 제공되는 원문입니다.
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Ti와 이들의 질화물인 $W_2$N, TiN 박막을 이용하여 탄화규소 ohmic 접촉을 연구하였다. 열처리 온도에 따른 고온 안정성과 전기적 특성 및 상호 확산 억제 특성을 고찰함으로써 이들 질화물의 고온에서 안정한 ohmic 접촉으로 이용가능성을 조사하였다. 새로운 유기화합물 원료인 bis-trimethylsilylmethane을 이용하여 화학기상 증착법으로 증착한 단결정 $eta$-SiC 박막과 W이 가장 낮은 접촉 비저항, 2.17$ imes$10(sup)-5Ω$ extrm{cm}^2$를 보였으며, Ti 계열은 상대적으로 높은 접촉 비저항 값을 나타내었다. 이들 전극 위에 산화...
812.

DC Reactive Magnetron Sputtering법에 의한 Ti-Al-V-N 박막의 성장거동

손용운, 정인화, 이영기, Sohn. Yong-Un, Chung. In-Wha, Lee. Young-Ki 한국재료학회 한국재료학회지 7 Pages

한국재료학회 한국재료학회지 1999, Vol.9 No.7 688-694 (7 pages)

손용운, 정인화, 이영기, Sohn. Yong-Un, Chung. In-Wha, Lee. Young-Ki 저

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Ti-6Al-4V-N 필름은 본질적으로 fcc 결정구조의 $delta$-TiN에 Al과 V이 결함으로서 고용된 변형된 형태의 $delta$-TiN구조이고, TiN의 격자상수(4.240 )보다 작은 값을 나타내었는데, 이는 Ti(1.47 )에 비하여 상대적으로 원자반경이 작은 Al(1.43 )과 V (1.32 )이 Ti의 격자위치에 치환된 결과이다. 그리고 Ti-6Al-4V-N 필름은 $_N2$가스 분압이 감소됨에 따라 (111) 우선방위 성장거동을 하였을 뿐만아니라 증착시간의 증가에 따라 뚜렷한 (111) 우선방위 성장거동을 나타내었다. 그리고 증착속도 및 결정입도의 거동 또한 여러 가지...
813.

DMEAA를 사용해 CVD법으로 증착한 알루미늄 박막의 증착속도에 관한 수소 효과

장태웅, 이화성, 백종태, 안병태, Jang. Tae-Ung, Lee. Hwa-Seong, Baek. Jong-Tae, An. Byeong-Tae 한국재료학회 한국재료학회지 4 Pages

한국재료학회 한국재료학회지 1998, Vol.8 No.2 131-134 (4 pages)

장태웅, 이화성, 백종태, 안병태, Jang. Tae-Ung, Lee. Hwa-Seong, Baek. Jong-Tae, An. Byeong-Tae 저

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alane(DMEAA)을 반응소스로 하여 알루미늄을 증착시켜 증착전 전처리 가스 종류와 수소 플라즈마 처리에 따른 증착속도의 차이와 미세구조에 대하여 연구하였다. TiN기판에 증착된 알루미늄의 증착속도는 증착전 수소 가스에 의한 전처리한 경우 아르곤이나 헬륨에 의한 전처리에 비해 빠른 증착속도를 나타내었다. 이르곤 플라즈마 전처리나 플라즈마 전처리 하지 않고 $SiO_{2}$기판에 알루미늄을 증착하였을 경우에 비해 수소 플라즈마 전처리에 의해 알루미튬증착시 잠복기(incubation time)가 감소하였으며 치밀한 미세조직을 얻을...
814.

기상반응법에 의한 질화티타늄 제조

김동현, 김동현, 김동현, 원창환, Kim. Dong-Hyeon, Kim. Dong-Hyeon, Kim. Dong-Hyeon, Won. Chang-Hwan 한국재료학회 한국재료학회지 6 Pages

한국재료학회 한국재료학회지 1997, Vol.7 No.12 1077-1082 (6 pages)

김동현, 김동현, 김동현, 원창환, Kim. Dong-Hyeon, Kim. Dong-Hyeon, Kim. Dong-Hyeon, Won. Chang-Hwan 저

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약 1100-140$0^{circ}C$의 온도 범위에서만 형성되는데 반해, 110$0^{circ}C$이하의 온도에서는 $varepsilon$-TiN 상도 관찰할 수 있었다. $delta$-TiN의 미소정도값은 3000$pm$300kg/m$m^2$였고, 격자상수는 0.4226$mu extrm{m}$였다. 가스의 유동속도가 0.7$ell$/min의 속도이하에서는 확산과정에 의해 지배됨을 알 수 있었다. 활성화에너지가 110$0^{circ}C$이상에서는 67.6Kcal/mol이었고 110$0^{circ}C$이상에서는 13.9Kcal/mol이었던 것으로 보아 반응메커니즘이 110$0^{circ}C$를 기점으로 변한다는 것을 명백히 관찰할 수 있었다....
815.

열처리 조건에 따른 MOCVD Cu 박막의 특성 변화

김동원, Kim. Dong-Won 한국재료학회 한국재료학회지 7 Pages

한국재료학회 한국재료학회지 1997, Vol.7 No.10 884-890 (7 pages)

김동원, Kim. Dong-Won 저

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Sputtering 방법을 통해 Si기판 위에 Ti와 TiN박막을 증착하고 저압 반응관내에서 Cu*hfac)(TMVS)를 precursor로 사용 MOCVD Cu박막을 증착하여 Cu/TiN/Ti/Si구조의 다층박막을 제조하였고 이에 대한 열처리 방식 및 분위기 변화 등을 통해 열처리 조건에 따른 Cu 박막의 특성 변화에 대해 조사하였다. 열처리 방식으로는 Cu박막을 형성한 후 공기 중에 노출이 없이 바로 열처리하여 Cu산화물 형성을 억제할 수 있는 in-situ열처리 방식이 유리하고, 열처리 분위기로는 Cu 박막의 표면이나 결정립계 내에 존재하는 Cu 산화물을 환원시켜...
816.

구리 박막의 선택적 화학기상 증착에 대한 운반 기체의 영향과 기판 표면 처리에 의한 선택성 증진 효과

김석, 박종만, 최두진, Kim. Seok-Won, Park. Jong-Man, Choe. Du-Jin 한국재료학회 한국재료학회지 13 Pages

한국재료학회 한국재료학회지 1997, Vol.7 No.9 811-823 (13 pages)

김석, 박종만, 최두진, Kim. Seok-Won, Park. Jong-Man, Choe. Du-Jin 저

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관심을 일으키고 있다. 본 연구에서는 (hfac)Cu(VTMS)의 유기원료를 사용하여, CVD공정변수, 운반기체, 표면 처리 공정에 따른 SiO$_{2}$, TiN, AI기판에 대한 선택성을조사하였다. 선택성은 저온(15$0^{circ}C$), 저합(0.3Torr)에서 향상될 수 있었으며, 특히, HMDS in-situ-predosing공정에 의해 더욱 향상될 수 있었다. 모든 경우에 대해, H$_{2}$운반기체가 Ar 보다 짧은 incubation time과 높은 증착 속도가 얻어졌으며, Cu입자들의 크기가 작고 연결상태가 보다 양호하였다. 이는 H$_{2}$경우에 기판표면에 원료가 흡착되어 핵을...
817.

Ti 산화물강의 용접열영향부에서 Acicular Ferrite의 형성에 관한 연구

원형민, 김용덕, 하현승, 김준기, 김선진, 강계명, Won. Hyeong-Min, Kim. Yong-Deok, Ha. Hyeon-Seung, Kim. Jun-Gi, Kim. Seon-Jin, Gang. Gye-Myeong 한국재료학회 한국재료학회지 12 Pages

한국재료학회 한국재료학회지 1996, Vol.6 No.12 1221-1232 (12 pages)

원형민, 김용덕, 하현승, 김준기, 김선진, 강계명, Won. Hyeong-Min, Kim. Yong-Deok, Ha. Hyeon-Seung, Kim. Jun-Gi, Kim. Seon-Jin, Gang. Gye-Myeong 저

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ferrite는 plate사이에 Fe3C층이 존재하는 것으로 보아 확산기구에 의해 생성되는 것으로 생각된다. 개재물은 TiO, TiO2, TiN, MnS, AI2O3 MnO(galaxite)등으로 구성된 복합상이었으며 개재물이 일차 acicular ferrite의 핵생성 site로 작용하기 위해서는 약 1$mu extrm{m}$이상의 크기가 효과적인 것으로 나타났다. Ti 산화물과 TiN는 직접적인 acicular ferrite의 핵생성 site로 작용하기보다는 MnS, galaxite 등의 석출 site로 작용하여 개재물의 크기를 증가시킴으로써 acicular ferrite의 생성을 촉진시키는 것으로 생각된다.
818.

자동차 Heatable Windshield용 ITO 박막의 전기 및 광학 특성

임헌남, 이유기, 박종완, Im. Heon-Nam, Lee. Yu-Gi, Park. Jong-Wan 한국재료학회 한국재료학회지 8 Pages

한국재료학회 한국재료학회지 1996, Vol.6 No.6 618-625 (8 pages)

임헌남, 이유기, 박종완, Im. Heon-Nam, Lee. Yu-Gi, Park. Jong-Wan 저

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고주파 마그네트론 스퍼터링(RF magnetron sputtering)법을 이용하여 자동차유리 성에 제거용 주석첨가 인듐산화물(indium tin oxide;ITO) 투명저항박막의 증착과 그 전기 및 광학 특성을 연구하였다. 기판온도는 A, T.-30$0^{circ}C$, O2/(Ar+O2)비는 0-0.3로 변화시키며 실험하였다. 기판온도가 높아질수록, 그리고 O2/(Ar+O2)비가 높아질수록 박막의 증착속도는 감소하였다. 또한, 기판온도가 높아질수록 In2O3(400) 방향의 결정성은 감소하고, In2O3(222)와 (400) 피크만이 잔존하였다. 기판온도가 높아질수록 가시광영역의...
819.

DMEAA 소스로 기상화학 증착된 알루미늄 박막의 증착특성

장태웅, 문원, 백종태, 안병태, Jang. Tae-Ung, Mun. Won, Baek. Jong-Tae, An. Byeong-Tae 한국재료학회 한국재료학회지 8 Pages

한국재료학회 한국재료학회지 1996, Vol.6 No.3 333-340 (8 pages)

장태웅, 문원, 백종태, 안병태, Jang. Tae-Ung, Mun. Won, Baek. Jong-Tae, An. Byeong-Tae 저

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p-type(100) 실리콘 기판과 TiN(50nm)/Si 기판에 dimethylethylamine alane(DMEAA)을 반응소스로 하여 알루미늄을 증착시켜 증착온도와 유량, 반송가스 종류에 따른 방향성, 증착속도, 미세구조 변화에 대해 연구하였다. 알루미늄의 증착속도는 기판온도, 반송가스 종류 및 유량에 따라 100-650mn/min으로 다양하게 조절되었다. DMEAA의 증착 활성화에너지는 TiN 기판에서는 약 0.leV이었고 Si와 SiO2 기판에서는 각각 약 0.23eV, 0.24eV이었다. 알루미늄 박막의 방향성은 증착속도의 감소에 따라 (200)에서 (111)방향으로 변하였다....
820.

TDMAT와 TDMAT/$NH_3$ 로 형성한 MOCVD(Metal Organic Chemical Vapor Deposition) Titanium Nitride 박막의 특성

백수현, 김장수, 박상욱, 원석준, 장영학, 오재응, 이현덕, 이상인, 최진석, Baek. Su-Hyeon, Kim. Jang-Su, Park. Sang-Uk, Won. Seok-Jun, Jang. Yeong-Hak, O. Jae-Eung, Lee. Hye 한국재료학회 한국재료학회지 6 Pages

한국재료학회 한국재료학회지 1995, Vol.5 No.7 775-780 (6 pages)

백수현, 김장수, 박상욱, 원석준, 장영학, 오재응, 이현덕, 이상인, 최진석, Baek. Su-Hyeon, Kim. Jang-Su, Park. Sang-Uk, Won. Seok-Jun, Jang. Yeong-Hak, O. Jae-Eung, Lee. Hye 저

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MOCVD(Metal-Organic Chemical Vapor Dposition) TiN 박막을 다양한 온도와 압력에서 tetrakis-dimethyl-amino-titanium(TDMAT (Ti[N($CH_3$)$_2$]$_4$))의 자체 열분해와 NH$_3$와의 반응을 사용하여 형성하였다. 비저항은 박막내의 불순물 함량에 의존하였는데 특히 XPS curve fitting 결과 주요 불순물인 탄소와 산소 같은 불순물들이 박막내에서 다양한 침입형화합물을 만들어 박막의 물리적, 전기적 특성에 영향을 준다는 것을 알았다. Metal-organic source만을 사용하여 TiN을 형성할 경우 지름이 0.5$mu extrm{m}$이고 aspect...

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