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821.

Contact Barrier metal용 LPCVD W막의 전기적 특성에 대한 $SiH_4/WF_6$비의 효과

이종무, 박원구, 임영진, 손재현, 김형준, Lee. Jong-Mu, Park. Won-Gu, Im. Yeong-Jin, Son. Jae-Hyeon, Kim. Hyeong-Jun 한국재료학회 한국재료학회지 7 Pages

한국재료학회 한국재료학회지 1993, Vol.3 No.6 661-667 (7 pages)

이종무, 박원구, 임영진, 손재현, 김형준, Lee. Jong-Mu, Park. Won-Gu, Im. Yeong-Jin, Son. Jae-Hyeon, Kim. Hyeong-Jun 저

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촛점을 맞추어 조사하였다. R의 증가에 따라 W의 비저항이 증가하는데, 그 주원인은 $alpha$-W로 부터 $eta$-W 로의 상변태에 있다. $SiH_{4}$환원에 의한 CVD W에서 생성되는 $eta$-W 는 산소에 의해서가 아니라 막내에 유입된 Si에 의하여 안정화된다. Si기탄상에 W를 증착할 때에는 R값이 클 경우에 $eta$-W 가 생성되지만, TiN 기판상에 W를 증착할 때에는 R값이 큰 경우에도 $eta$-W 가 생성되지 않는 것으로 나타났다. 또한 R이 증가함에 따라 접합누설전류가 증가하는데, 이것은 W-Si계면에 대한 수직방향으로의 Si의...
822.

PZT박막 Capacitor에 관한 기초연구(I)

황유상, 백수현, 하용해, 최진석, 조현춘, 마재평, Hwang. Yu-Sang, Baek. Su-Hyeon, Ha. Yong-e, Choe. Jin-Seok, Jo. Hyeon-Chun, Ma. Jae-Pyeong 한국재료학회 한국재료학회지 9 Pages

한국재료학회 한국재료학회지 1993, Vol.3 No.1 19-27 (9 pages)

황유상, 백수현, 하용해, 최진석, 조현춘, 마재평, Hwang. Yu-Sang, Baek. Su-Hyeon, Ha. Yong-e, Choe. Jin-Seok, Jo. Hyeon-Chun, Ma. Jae-Pyeong 저

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55$0^{circ}C$에서부터 안정상인 peroskite구조가 형성되었다. Si기판위에서는 후속열처리시 계면에 상당한 산화막층이 형성되었으며 TiN 기판위에서는 후속열처리시 TiN층은 사라지고 Ti$O_2$층이 형성되었다. Si$O_2$기판에서는 후속열처리후에도 안정한 PZT film을 형성시킬 수 있었다. As-depo.시에는 PZT film의 조성비가 균일하게 유지되었으나 75$0^{circ}C$후속열 처리시에는 상당량의 Pb가 Si기판으로 diffusion하였으며 Si도 out-diffusion하였다. 전기적 특성은 10KHz에서 C-V를 측정결과 약 1300정도의유전상수 값이...
823.

전처리가 CVD 텅스텐의 핵 생성에 미치는 영향

김의송, 이종무, 이종길, Kim. Eui-Song, Lee. Chong-Mu, Lee. Jong-Gil 한국재료학회 한국재료학회지 9 Pages

한국재료학회 한국재료학회지 1992, Vol.2 No.6 443-451 (9 pages)

김의송, 이종무, 이종길, Kim. Eui-Song, Lee. Chong-Mu, Lee. Jong-Gil 저

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반응성 스팟터법에 의하여 형성된 TiN막 표면상에 CVD 텅스텐막을 증착할 때 여러가지 전처리 실시에 따른 텅스덴의 핵 생성 양상의 변화를 비교 조사하였다. 먼저 Ar rf 스팟터에칭 전처리는 에칭 두께가 200A 이상일 때에는 잠복기와 증착속도를 증가시킨다. Ar 이온주입 전처리는 잠복기를 증가시켜 텅스텐의 핵 생성에는 불리한 효과를 나타내는 반면, 증착속도는 증가시킨다. 또한 Si$H_4$flushing 전처리는 TiN막 표면에서의 Si의 흡착을 용이하게 함으로써 잠복기를 약간 감소시키는 효과를 나타낸다.
824.

레이저 빔에 의한 철강재의 Ti 표면합금화에 미치는 C함량의 영향

최준영, 김도훈, Choe. Jun-Yeong, Kim. Do-Hun 한국재료학회 한국재료학회지 7 Pages

한국재료학회 한국재료학회지 1992, Vol.2 No.6 436-442 (7 pages)

최준영, 김도훈, Choe. Jun-Yeong, Kim. Do-Hun 저

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레이저빔에 의한 철강재의 Ti 표면합금화에 미치는 C함량의 영향을 관찰하였다. 철강재상에 Ti 코팅 후 레이저빔 조사시 질소를 취입가스로 사용하면 부분적으로 TiN과 F$e_2$Ti가 형성된다. 저탄소강의 경우 Ti함량의 증가에 따라 임계냉각 속도의 증가로 마르텐사이트화가 억제된다. 고탄소강의 경우 Ti의 함량이 1.5%정도 임에도 훼라이트 조직이 형성되지 않고 마르텐사이트 조직이 형성되어 경화된다. 그리고 고탄소강의 Ti 표면합금층 형성에 부분적인 TiC의 석출이 있어 더욱 경도를 증가시키는 것으로 생각된다.
825.

DRAM 커패시터용 $Ta_2O_5$ 박막의 전기적 특성에 미치는 전극의존성

김영욱, 권기원, 하정민, 강창석, 선용빈, 김영남, Kim. Yeong-Wook, Gwon. Gi-Won, Ha. Jeong-Min, Kang. Chang-Seog, Seon. Yong-Bin, Kim. Yeong-Nam 한국재료학회 한국재료학회지 7 Pages

한국재료학회 한국재료학회지 1991, Vol.1 No.4 229-235 (7 pages)

김영욱, 권기원, 하정민, 강창석, 선용빈, 김영남, Kim. Yeong-Wook, Gwon. Gi-Won, Ha. Jeong-Min, Kang. Chang-Seog, Seon. Yong-Bin, Kim. Yeong-Nam 저

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$Ta_2O_5$ 박막은 전극에 의한 환원반응에 의해 전기적 특성이 열화됨을 알 수 있었고, 이를 TiN 전극의 사용으로 억제시킬 수 있었다. 다결정 실리콘 전극의 경우 성막상태의 $Ta_2O_5$ 유전체는 누설정류밀도가 $10^{-1}A/cm^2$, 절연파괴강도가 1.5MV/cm 정도였으며, $800^{circ}C$에서 $O_2$열처리를 하면 전기적 특성은 개선되나, 유전율이 낮아진다 TiN 전극을 채용할 경우 누설전류밀도 $10^{-6}~10^{-7}A/cm^2$, 절연파괴강도 7~12MV/cm 로 ONO(Oxide-Nitride-Oxide) 박막과 비슷한 $Ta_2O_5$ 고유전막을 얻을 수 있었다.
826.

다중 코팅된 $Si_3N_4-TiC$ 세라믹의 특성

김동원, 천성순, Kim. Dong-Won, Chun. Seong-Sun 한국재료학회 한국재료학회지 9 Pages

한국재료학회 한국재료학회지 1991, Vol.1 No.1 9-17 (9 pages)

김동원, 천성순, Kim. Dong-Won, Chun. Seong-Sun 저

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화학증착법에 의해 $Si_3N_4-TiC$ 복합재료 위에 코팅된 TiC 박막은 TiN 박막에 비하여 우수한 미세구조와 열충격저항, 계면결합을 가지고 있는 것으로 나타났다. 화학증착법에 의한 TiN 박막은 TiC 박막에 비해 강철과의 마찰계수가 작고 화학적으로 안정하였다. 실험결과는 코팅된 절삭공구가 우수한 내 마모성을 갖고 있는 것으로 나타났다. 또한, 다중 코팅된 절삭공구는 단일 코팅된 공구보다 우수한 내 마모성을 보였다
827.

물질흐름 및 특허분석을 통한 주석 스크랩 재활용 기술 동향

김용환, 손성호, 최한신, 한철웅, 김태범, 안재우, 김홍인, 이기웅, Kim. Yong Hwan, Son. Seong Ho, Choi. Han Shin, Han. Chul Woong, Kim. Tae Bum, Ahn. Jae Woo, Kim. Hong 한국자원리싸이클링학회 資源리싸이클링 : 한국자원리싸이클링학회지 10 Pages

한국자원리싸이클링학회 資源리싸이클링 : 한국자원리싸이클링학회지 2014, Vol.23 No.3 61-70 (10 pages)

김용환, 손성호, 최한신, 한철웅, 김태범, 안재우, 김홍인, 이기웅, Kim. Yong Hwan, Son. Seong Ho, Choi. Han Shin, Han. Chul Woong, Kim. Tae Bum, Ahn. Jae Woo, Kim. Hong 저

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주석은 땜납, 주석도금강판, 청동 합금, 투명전극용 타겟 및 화학첨가제 등에 널리 사용되고 있다. 최근 자원의 희소성 및 경제성으로 인해 주석 스크랩에 대한 재활용 기술이 연구되고 있다. 본 논문에서는 주석이 함유된 공정 스크랩, 슬러지, 도금 폐액 및 합금의 재활용 기술에 대하여 1970년부터 2013년까지 공개/등록된 한국, 미국, 중국, 일본, 유럽의 특허에 대하여 조사하였다. 특허는 키워드를 사용하여 수집하였으며, 기술의 정의에 의해 필터링 하여 연도, 국가, 출원인 및 기술에 따라 분석하였다.
828.

옥살레이트 침전법에 의한 폐솔더 박리액에서 주석 및 구리의 회수

류승형, 안재우, 안효진, 김태영, Ryu. Seong-Hyung, Ahn. Jae-Woo, Ahn. Hyo-Jin, Kim. Tae-Young 한국자원리싸이클링학회 資源리싸이클링 : 한국자원리싸이클링학회지 7 Pages

한국자원리싸이클링학회 資源리싸이클링 : 한국자원리싸이클링학회지 2014, Vol.23 No.3 37-43 (7 pages)

류승형, 안재우, 안효진, 김태영, Ryu. Seong-Hyung, Ahn. Jae-Woo, Ahn. Hyo-Jin, Kim. Tae-Young 저

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폐솔더 박리액으로부터 옥살산 침전법을 이용하여 주석 및 구리의 분리 침전을 통해 각각 금속염으로 회수하기 위한 기초 연구를 실시하였다. 먼저 옥살산의 첨가에 따라 주석의 침전 제거율이 증가하였으며 당량비(옥살산/주석)의 1.0-1.5배를 첨가할 경우 주석이 99.5%의 이상 제거율을 나타내었다. 이 경우에 구리는 2.0% 정도 침전되었고 철, 납등은 침전되지 않아 주석만 선택적으로 침전되는 것을 확인 하였다. 반응온도 증가에 따라 주석의 침전율은 증가하여 $60^{circ}C$ 부근에서 최대값을 보이다가 온도가 더 증가하면 오히려...
829.

염산용액(鹽酸溶液)에서 Tri-Butyl Phosphate(TBP)에 의한 주석(朱錫)(IV)의 용매추출(溶媒抽出)

서재성, 안재우, 이만승, Seo. Jae-Seong, Ahn. Jae-Woo, Lee. Man-Seung 한국자원리싸이클링학회 資源리싸이클링 : 한국자원리싸이클링학회지 7 Pages

한국자원리싸이클링학회 資源리싸이클링 : 한국자원리싸이클링학회지 2010, Vol.19 No.3 45-51 (7 pages)

서재성, 안재우, 이만승, Seo. Jae-Seong, Ahn. Jae-Woo, Lee. Man-Seung 저

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염산용액으로부터 TBP(Tri-butyl Phosphate)를 사용하여 주석(IV)의 추출에 대한 기초연구를 실시하였다. 수용액상에서 염산과 염소이온($Cl^-$) 농도, 주석 농도 및 추출제 농도 등과 같은 실험인자들이 주석의 추출에 미치는 영향을 조사하였다. 염산과 염소이온 농도가 증가할수록 주석의 추출율이 증가하였고, 7.0M의 염산농도에서 10% TBP에 의해 주석이 98%이상 추출되었다. McCabe-thiele 도표 분석을 통해 주석의 연속 추출에 필요한 이론적인 최적 추출단수를 구하였다. 한편 탈거액으로 NaOH 용액이 효과적이었고, 2.0M NaOH...
830.

전자(電子)스크랩에서 구리 및 주석의 회수(回收)를 위한 질산(窒酸) 침출(浸出) 및 침출액(浸出液)에서 유리질산(遊離窒酸) 제거(除去) 연구(硏究)

안재우, 서재성, Ahn. Jae-Woo, Seo. Jae-Seong 한국자원리싸이클링학회 資源리싸이클링 : 한국자원리싸이클링학회지 8 Pages

한국자원리싸이클링학회 資源리싸이클링 : 한국자원리싸이클링학회지 2009, Vol.18 No.5 44-51 (8 pages)

안재우, 서재성, Ahn. Jae-Woo, Seo. Jae-Seong 저

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전자스크랩중에 함유된 구리 및 주석을 습식공정으로 회수하기 위하여 기초 연구를 실시하였다. 침출제로 질산을 이용하여 분쇄된 전자스크랩에서 구리, 주석, 납, 철 등의 금속 성분들에 대한 침출율을 조사하고 최적 침출조건을 제시 하였다. 이러한 질산 침출 용액으로부터 TBP를 이용하여 유리질산을 분리 추출하여 재활용하기 위한 기초 연구를 실시하였다. 실험 결과 3.0-4.0 M 질산으로 구리를 효과적으로 침출시킬 수 있었으며, 질산 침출액 중 유리질산을 60% TBP에 의해 95%정도 추출이 가능하였고, 유기상에 추출된 질산의...

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