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PPV를 이용한 유기 박막 EL 소자의 전기-광학적특성
김민수, 박이순, 박세광, Kim. Min-Soo, Park. Lee-Soon, Park. Se-Kwang 한국센서학회 센서학회지 6 Pages
한국센서학회 센서학회지 1998, Vol.7 No.2 97-102 (6 pages)
소자는 단층구조(ITO(indium tin oxide)PPV/Mg), 이층구조 (ITO/PVK(poly(N-vinylcarbazole))/PPV)Mg와 ITO/PPV/Polymer matrix+PBD/Mg) 그리고 삼층구조 (ITO/PVK/PPV/PS(polystyrene)+PBD(butyl-2-(4-biphenyl)-5-(4-tert-butylphenyl-1,3,4-oxadiazole))/Mg)를 가지며, 그들의 전기광학적 특성을 상호 비교하였다. 이층구조(ITO/PPV)Polymer matrix+PBD/Mg)에서는 PMMA (poly(methyl methacrylate)), PC(polycarbonate) PS 와 MCH(side chain liquid crystalline homopolymer)를 고분자 메트릭스로 사용하였으며, 특히, PS 고분자 메트... -
Q.C.A. 에 의한 폴리피롤 전기중합막의 동특성 분석
장상목, 김종민, 장용근, Chang. Sang-Mok, Kim. Jong-Min, Chang. Yong-Keun 한국센서학회 센서학회지 9 Pages
한국센서학회 센서학회지 1996, Vol.5 No.4 71-79 (9 pages)
Indium tin oxide(ITO) 전극을 스파터링 법으로 피막시킨 9 MHz 수정진동자를 작용전극으로 사용하여 피롤을 전기화학적으로 중합시키면서, 수정진동자의 공진주파수 변화로 부터 중합량을 분석하고 공진저항의 변화로부터 막의 점탄성 변화를 분석함으로써 중합막의 유변학적 변화를 해석하였다. 본 실험에서 피롤막이 중합될 때 초기에는 탄성막을 형성하다가 점차 점탄성막으로 변화하지만 어느 순간에 다시 탄성막 점탄성막의 변화를 반복함을 확인하였다. 본 연구결과, 수정진동자를 이용하여 전기화학적 중합막의 유변학적 동특성을... -
n-ITO/p-PSL 이종접합형 광검출 소자의 제조 및 그 특성
김항규, 신장규, 이종현, 송재원, Kim. Hang-Kyoo, Shin. Jang-Kyoo, Lee. Jong-Hyun, Song. Jae-Won 한국센서학회 센서학회지 6 Pages
한국센서학회 센서학회지 1995, Vol.4 No.1 3-8 (6 pages)
ITO(indium tin oxide)와 PSL(porous silicon layer)을 이용하여 n-ITO/p-PSL 이종접합형 광검출 소자를 실리콘 기판상에 제조하였다. 실리콘 질화막과 Ni-Cr/Au를 이용하여 선택적으로 양극반응을 시켰으며, 각 소자를 메사구조로 정의하여 소자간을 격리하였고 ITO를 이용하여 소자의 열화문제를 억제시켰다. 제조된 소자에 백색광을 $0{sim}3000Lux$까지 변화시키면서 얻은 I-V 특성으로부터 광전류가 입사된 광량에 선형적으로 비례함을 알았다. 제조된 소자는 약 -40V의 역방향 바이어스까지 안정되게 동작하였으며 암전류 밀도가 약... -
R.F. magnetron sputtering 법으로 제작한 ITO 박막의 특성
정운조, 박계춘, 유용택, Jeong. W.J., Park. G.C., Yoo. Y.T. 한국센서학회 센서학회지 7 Pages
한국센서학회 센서학회지 1995, Vol.4 No.2 51-57 (7 pages)
Indium Tin Oxide (ITO) 박막을 $In_{2}O_{3}$(90mol%) : $SnO_{2}$(10mo1%)의 조성비를 가지는 타겟을 사하여 rf 마그네트론 스퍼터링 법으로 제작하였다. 기판온도 100, 200, 300, 400, $500^{circ}C$ 와 열처리 온도 300, 400, $500^{circ}C$로 변화시켜 주면서 제작하였으며 X-ray 회절 패턴, 전기적 특성, 투과도, SEM 사진 등으로 분석하였다. 그 결과 기판온도를 증가시킬수록 결정성, 전기 전도도와 투과도가 향상되었다. 그러나 공기 중에서 열처리 온도를 증가함에 따라 도리어 전도도는 감소하였다. 기판온도 $300^{circ}C$... -
스퍼터링에 의해 제조된 SnO 박막의 RF 파워에 따른 특성 연구
엄요셉, 노병민, 김성동, 김사라은경, Um. Joseph, Roh. Byeong-Min, Kim. Sungdong, Kim. Sarah Eunkyung 한국세라믹학회 한국세라믹학회지 5 Pages
한국세라믹학회 한국세라믹학회지 2012, Vol.49 No.5 399-403 (5 pages)
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바렐도금용 폐Steel Ball로부터 산화주석 및 금속주석 회수에 관한 연구
김대원, 장성태, Kim. Dae Weon, Jang. Seong Tae 한국세라믹학회 한국세라믹학회지 6 Pages
한국세라믹학회 한국세라믹학회지 2012, Vol.49 No.6 505-510 (6 pages)
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RF Sputtering법에 의한 산화주석 박막의 진공 열처리 효과
김선필, 김영래, 김성동, 김사라은경, Kim. Sun-Phil, Kim. Young-Rae, Kim. Sung-Dong, Kim. Sarah Eun-Kyung 한국세라믹학회 한국세라믹학회지 7 Pages
한국세라믹학회 한국세라믹학회지 2011, Vol.48 No.4 316-322 (7 pages)
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ECR플라즈마 전처리가 RuO2 MOCVD시 핵생성에 끼치는 효과
엄태종, 박연규, 이종무, Eom. Taejong, Park. Yunkyu, Lee. Chongmu 한국세라믹학회 한국세라믹학회지 5 Pages
한국세라믹학회 한국세라믹학회지 2005, Vol.42 No.2 94-98 (5 pages)
FRAM소자에서 고유전 capacitors의 저전극물질로서 폭넓게 연구되고 있다. 본 연구에서는 XRD, SEM, AFM 분석 등을 통하여 금속유기 화학 증착법(MOCVD)으로 $RuO_2$ 증착시 핵생성에 영향을 미치는 수소, 산소, 아르곤 ECR플라즈마 전처리 효과를 조사하였으며, 아르곤 ECR플라즈마 전처리의 경우 가장 높은 핵생성 밀도를 나타내었다. ECR 플라즈마 전처리를 통한 $RuO_2$의 핵생성 향상 메카니즘은 아르곤이나 수소 ECR 플라즈마는 TiN막 표면의 질소나 산소원자를 제거하고 따라서 TiN막 표면은 Ti-rich TiN으로 바뀌게 되는 것이다.