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81.

$Si_3N_4$ 기판 위에 PECVD 법으로 형성한 Tungsten Nitride 박막의 특성

배성찬, 박병남, 손승현, 이종현, 최시영, Bae. Seong-Chan, Park. Byung-Nam, Son. Seung-Hyun, Lee. Jong-Hyun, Choi. Sie-Young 대한전자공학회 電子工學會論文誌. Journal of the Korean Institute of Telematics and Electronics. D 9 Pages

대한전자공학회 電子工學會論文誌. Journal of the Korean Institute of Telematics and Electronics. D 1999, No.0 17-25 (9 pages)

배성찬, 박병남, 손승현, 이종현, 최시영, Bae. Seong-Chan, Park. Byung-Nam, Son. Seung-Hyun, Lee. Jong-Hyun, Choi. Sie-Young 저

이 논문은 한국과학기술정보연구원과 논문 연계를 통해 무료로 제공되는 원문입니다.
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PECVD 법을 이용하여 Tungsten Nitride($WN_x$) 박막을 $WSi_3N_4$ 기판위에 형성하였다. $WN_x$ 박막은 기관온도, 가스의 유량, rf power 등의 공정변수를 변화시키면서 형성되었고, 서로 다른 질소원으로 $NH_3$와 $N_2$를 각각 사용하여 박막의 특성을 조사하였다. $WN_x$ 막 내의 질소함량은 $NH_3$와 $N_2$의 유량에 따라 0~45% 정도로 변화하였으며, $NH_3$를 사용하였을 때, 최고 160nm/min의 높은 성장률을 나타내었다. $WSi_3N_4$ 기판 위에서는 TiN이나 Si 위에서보다 높은 성장률을 나타내었다. $WN_x$ 박막의 순도를...
82.

Remote PECVD SiO$_{2}$ 를 이용한 InSb MIS 소자의 특성

이재곤, 최시영 대한전자공학회 電子工學會論文誌. Jounnal of the Korea institute of telematics and electronics. A. A 6 Pages

대한전자공학회 電子工學會論文誌. Jounnal of the Korea institute of telematics and electronics. A. A 1996, No.0 59-64 (6 pages)

이재곤, 최시영 저

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83.

엑시머 레이저를 이용하여 결정화한 PECVD 및 LPCVD 비정질 실리콘 박막의 특성 분석

최홍석, 이성규, 장근호, 전명철, 한민구 대한전자공학회 電子工學會論文誌. Jounnal of the Korea institute of telematics and electronics. A. A 6 Pages

대한전자공학회 電子工學會論文誌. Jounnal of the Korea institute of telematics and electronics. A. A 1996, No.0 172-177 (6 pages)

최홍석, 이성규, 장근호, 전명철, 한민구 저

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84.

PECVD에 의한 $mu$c-Si:H 박막트랜지스터의 제조

문교호, 이재곤, 최시영 대한전자공학회 電子工學會論文誌. Jounnal of the Korea institute of telematics and electronics. A. A 8 Pages

대한전자공학회 電子工學會論文誌. Jounnal of the Korea institute of telematics and electronics. A. A 1996, No.0 117-124 (8 pages)

문교호, 이재곤, 최시영 저

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85.

LPCVD 및 PECVD 시스템

이충환 대한전자공학회 電子工學會雜誌 7 Pages

대한전자공학회 電子工學會雜誌 1983, Vol.10 No.5 9-15 (7 pages)

이충환 저

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86.

PECVD PSG의 유전 및 보호막특성에 관한 연구

유현규, 강영일 대한전자공학회 電子工學會誌 7 Pages

대한전자공학회 電子工學會誌 1985, Vol.22 No.2 90-96 (7 pages)

유현규, 강영일 저

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PSG내의 인 농도를 분석한 결과 약 8m/o에서 포화되었다. 인 함량에 대한 PSC의 적외선 홉수율, 식각속도 및 시트저항등의 변화도 비교하였다. APCVD와 PECV각에 대한 유전특성, 스텝 커버리지, 크랙저항과 게터링효과를 검토하였다. PECVD산화막은 비중 2.4g/㎤, 굴절율 1.53, 항복전장 11-13MV/cm의 값을 가졌고 크랙저항도 APCVD산화막 보다 우수하였다 2m/o의 인을 포함하는 PECVD PSG의 경우 양호한 스텝 커버리지와 게터링효과를 보였다. 공정변수에 대한 일련의 실험을 통하여 PECVD PSC 공정으로 보다 개선된 특성의 보초막을...
87.

High Performance p-type SnO thin-film Transistor with SiOx Gate Insulator Deposited by Low-Temperature PECVD Method

U. Myeonghun, Han. Young-Joon, Song. Sang-Hun, Cho. In-Tak, Lee. Jong-Ho, Kwon. Hyuck-In 대한전자공학회 Journal of semiconductor technology and science 7 Pages

대한전자공학회 Journal of semiconductor technology and science 2014, Vol.14 No.5 666-672 (7 pages)

U. Myeonghun, Han. Young-Joon, Song. Sang-Hun, Cho. In-Tak, Lee. Jong-Ho, Kwon. Hyuck-In 저

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88.

태양전지 응용을 위한 PECVD 실리콘 질화막 증착 및 열처리 최적화

Yoo. Jin-Su, Dhungel. Suresh Kumar, Yi. Jun-Sin 대한전기학회 전기학회논문지. The transactions of the Korean Institute of Electrical Engineers. C/ C, 전기물성·응용부문 5 Pages

대한전기학회 전기학회논문지. The transactions of the Korean Institute of Electrical Engineers. C/ C, 전기물성·응용부문 2006, Vol.55 No.12 565-569 (5 pages)

Yoo. Jin-Su, Dhungel. Suresh Kumar, Yi. Jun-Sin 저

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89.

직교배열표를 쓴 remote-PECVD 산화막형성의 공정최적화 및 특성

김광호, 김제덕, 유병곤, 구진근, 김진근 한국전기전자재료학회 電氣電子材料學會誌= The journal of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers 5 Pages

한국전기전자재료학회 電氣電子材料學會誌= The journal of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers 1995, Vol.8 No.2 171-175 (5 pages)

김광호, 김제덕, 유병곤, 구진근, 김진근 저

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90.

마이크로파 플라즈마 화학기상증착법(PECVD)과 저압 화학기상증착법(LPCVD)을 이 용한 실리콘 기판 위에서의 텅스텐 박막증착

김성훈, 송세안, 김성근 한국진공학회 韓國眞空學會誌 9 Pages

한국진공학회 韓國眞空學會誌 1992, Vol.1 No.2 277-285 (9 pages)

김성훈, 송세안, 김성근 저

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플라즈마 화학기상증착법과 저압 화학기상증착법을 사용하여 실리콘 기판 위에 텅 스텐 박막을 증착하였다. 반응기체로 WF6를 사용하였으며 환원기체로는 SiH4를 사용하였다. 플라즈마 증착법에 의한 텅스텐 박막의 성장은 환원기체의 유무에 상관없이 주로 기상 반응 에 의한 텅스텐 덩어리들의 증착에 의하여 이루어졌으며 비교적 균일도가 낮은 박막표면을 이루었다. 저압 화학증착법의 경우 환원기체를 사용하지 않았을 때에는 실리콘 기판에 의한 제한된 환원반응에 의해 텅스텐이 증착되었으나, 환원기체를 사용했을 때에는...

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