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RF Magnetron Sputtering을 이용하여 제작한 불용성 촉매전극의 해수전기분해 특성
이현석, 김세기, 석혜원, 김진호, 최헌진, 정하익, Lee. Hyun-Seok, Kim. Sei-Ki, Seok. Hye-Won, Kim. Jin-Ho, Choi. Hun-Jin, Jung. Ha-Ik 한국재료학회 한국재료학회지 5 Pages
한국재료학회 한국재료학회지 2012, Vol.22 No.2 86-90 (5 pages)
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RF Magnetron Sputtering에 의한 BiFeO3 박막의 제조 및 전기적 특성
박상식, Park. Sang-Shik 한국재료학회 한국재료학회지 6 Pages
한국재료학회 한국재료학회지 2009, Vol.19 No.5 253-258 (6 pages)
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적외선 센서를 위해 흡수층으로서 rf Magnetron Sputtering에 의해 제조된 NiCr 박막의 특성
허성기, 최은석, 윤순길, Hur. Sung-Gi, Choi. Eun-Suck, Yoon. Soon-Gil 한국재료학회 한국재료학회지 5 Pages
한국재료학회 한국재료학회지 2003, Vol.13 No.10 640-644 (5 pages)
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RF Magnetron Sputtering 방법으로 제조한 In2O3 박막의 미세구조와 전기적 특성
전용수, 윤여춘, 김성수, Jeon. Yong-Su, Yun. Yeo-Chun, Kim. Seong-Su 한국재료학회 한국재료학회지 6 Pages
한국재료학회 한국재료학회지 2002, Vol.12 No.4 290-295 (6 pages)
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RF reactive magnetron sputtering으로 제조한 TiO2 박막의 구조 및 광학적 특성
강계원, 이영훈, 곽재천, 이동구, 정봉교, 박성호, 최병호, Gang. Gye-Won, Lee. Yeong-Hun, Gwak. Jae-Cheon, Lee. Dong-Gu, Jeong. Bong-Gyo, Park. Seong-Ho, Choe. Byeon 한국재료학회 한국재료학회지 6 Pages
한국재료학회 한국재료학회지 2002, Vol.12 No.6 452-457 (6 pages)
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DC Magnetron Sputtering 법에 의해 ATO 박막 제조시 스퍼터전력 및 산소유량이 전기적 성질에 미치는 영향
이환수, 이환수, 이혜용, 윤천, Lee. Hwan-Su, Lee. Hwan-Su, Lee. Hye-Yong, Yun. Cheon 한국재료학회 한국재료학회지 5 Pages
한국재료학회 한국재료학회지 1999, Vol.9 No.5 533-537 (5 pages)
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RF magnetron sputtering법에 의해 제조된 $ extrm{SrBi}_{2} extrm{Ta}_{2} extrm{O}_{9}$박막의 강유전 특성에 관한 연구
박상식, 양철훈, 윤순길, Park. Sang-Sik, Yang. Cheol-Hun, Yun. Sun-Gil 한국재료학회 한국재료학회지 5 Pages
한국재료학회 한국재료학회지 1997, Vol.7 No.6 505-509 (5 pages)
FRAM(Ferroelectric Random Access memory)에의 응용을 위해 rf magnetron sputtering법을 이용하여 SrB $i_{2}$T $a_{2}$ $O_{9}$(SBT)박막을 증착하였다. 사용된 기판은 Pt/Ti/Si $o_{2}$Si이었으며 50$0^{circ}C$에서 증착한 후 80$0^{circ}C$의 산소 분위기 하에서 1시간 동안 열처리하였다. 증착시 증착 압력을 변화시켜 가면서 이에 따른 특성의 변화를 고찰하였다. 박막내의 Bi와 Sr의 부족을 보상하기 위해 20mole%의 Bi $O_{2}$와 30mole%의 SrC $O_{3}$를 과잉으로 넣어 타겟을 제조후 사용하였고 박막들의 두께는 300nm의... -
RF Magnetron Sputtering에 의한 $(Ba_{0.5}, Sr_{0.5})Tio_3$박막의 제조와 전기적 특성에 관한 연구
박상식, 윤손길, Park. Sang-Sik, Yun. Son-Gil 한국재료학회 한국재료학회지 6 Pages
한국재료학회 한국재료학회지 1994, Vol.4 No.4 453-458 (6 pages)
256Mb DRAM에서 박막 커패시터로의 적용을 위해서$(Ba_{0.5}Sr_{0.5)/TiO_3$(BST)박막이 RF Magnetron Sprttering방법에 의해 제조되었다. BST박막의 결정화도는 기판온도가 높아짐에 따라 증가하였고 증착된 박막의 조성은 $(Ba_{0.48}Sr_{0.48)/TiO_{2.93}$이었다. 이때 Pt/Ti장벽층은 Si의 BST계면으로의 확산을 억제하였다. 100kHz에서의 유전상수 및 유전손실은 각각 320 및 0.022이었다. 인가전계도 (Charge Storage Density)는 40fC/$mu extrm{m}^{2}$, 누설전류밀도(Leakage Current Density)는 0.8$mu A/ extrm{cm}^2$ 로서 RF...