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Strain-free AlGaN/GaN 자외선 센서용 나노선 소자 연구
안재희, 김지현, Ahn. Jaehui, Kim. Jihyun 한국화학공학회 Korean chemical engineering research 4 Pages
한국화학공학회 Korean chemical engineering research 2012, Vol.50 No.1 72-75 (4 pages)
Strain-free AlGaN/GaN 나노선을 기판에 분산시킨 후 E-beam lithography(EBL)를 이용해 단일 나노선 자외선 센서를 제작하였다. 나노선의 구조적, 광학적 특성을 분석하기 위해 focused ion beam(FIB), photoluminescence, micro-Raman spectroscopy를 이용하여 나노선의 strain 및 형태를 조사하였다. 자외선 센서로서의 특성 여부를 확인하기 위하여 빛을 차단 한 조건과 자외선을 조사하는 조건하에서 current-voltage(I-V) 특성을 측정하였으며 각각 9.0 ${mu}S$과 9.5 ${mu}S$의 전기전도도(conductance)를 얻었다. 자외선 조사... -
사파이어 기판 위에 성장된 AlGaN 에피층의 광 흡수 특성
김제원, 박영균, 김용태, 최인훈 한국진공학회 韓國眞空學會誌 5 Pages
한국진공학회 韓國眞空學會誌 1999, Vol.8 No.2 153-157 (5 pages)
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Composition and interface quality control of AlGaN/GaN heterostructure and their 2DEG transport properties
Kee. Bong, Kim. H.J., Na. H.S., Kwon. S.Y., Lim. S.K., Yoon. Eui-Joon 한국진공학회 The Journal of Korean vacuum science & technology 5 Pages
한국진공학회 The Journal of Korean vacuum science & technology 2000, Vol.4 No.3 81-85 (5 pages)
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AlGaN/InGaN HEMTs의 고성능 초고주파 전류 특성
이종욱 한국전자파학회 韓國電磁波學會論文誌 7 Pages
한국전자파학회 韓國電磁波學會論文誌 2004, Vol.15 No.8 752-758 (7 pages)
특성을 분석하였다. 게이트 전극 길이가 0.5 $mu$m로 제작된 소자는 비교적 평탄한 전류 전달 특성을 나타내었으며 최대 전류 880 mA/mm, 최대 전달정수 156 mS/mm, 그리고 $f_{r}$와 $f_{MAX}$는 각각 17.3 GHz와 28.7 GHz가 측정되었다. 또한 표면 처리되지 않은 AlGaN/InGaN/HEMT의 경우 기존의 AlGaN/GaN HEMT와는 달리 펄스 전류 동작 상태에서 전류 와해 현상(current collapse)이 발생하지 않음이 확인되었다. 이 연구 결과는 InGaN를 채널층으로 사용할 경우 표면에 존재하는 트랩에 의한 전류 와해 현상이 발생하지 않는... -
AlGaN/GaN HEMT의 채널폭 스케일링에 따른 협폭효과
임진홍, 김정진, 심규환, 양전욱, Lim. Jin Hong, Kim. Jeong Jin, Shim. Kyu Hwan, Yang. Jeon Wook 한국전기전자학회 전기전자학회논문지 6 Pages
한국전기전자학회 전기전자학회논문지 2013, Vol.17 No.1 71-76 (6 pages)
본 연구에서는 AlGaN/GaN HEMT (High electron mobility transistor)를 제작하고 채널폭의 감소에 따른 특성의 변화를 고찰하였다. AlGaN/GaN 이종접합구조 기반의 기판 위에 채널의 길이는 $1{mu}m$, 채널 폭은 각각 $0.5{sim}9{mu}m$가 되도록 전자선 리소그라피 방법으로 트랜지스터를 제작하였다. 게이트를 형성하지 않은 상태에서 채널의 면저항을 측정한 결과 sub-${mu}m$ 크기로 채널폭이 작아짐에 따라 채널의 면저항이 급격히 증가하였으며, 트랜지스터의 문턱전압은 $1.6{mu}m$와 $9{mu}m$의 채널폭에서 -2.85 V 이었으며... -
Sapphire SiC, Si 기판에 따른 AlGaN/GaN HEMT의 DC 전기적 특성의 시뮬레이션과 분석
김수진, 김동호, 김재무, 최홍구, 한철구, 김태근, Kim. Su-Jin, Kim. Dong-Ho, Kim. Jae-Moo, Choi. Hong-Goo, Hahn. Cheol-Koo, Kim. Tae-Geun 한국전기전자학회 전기전자학회논문지 7 Pages
한국전기전자학회 전기전자학회논문지 2007, Vol.11 No.4 272-278 (7 pages)
및 고온 분야의 반도체 분야에 널리 이용되고 있는 AlGaN/GaN 고 전자 이동도 트랜지스터 (High Electron Mobility Transistor, HEMT) 에 대해 DC (direct current) 특성과 열 특성을 기판을 달리하며 시뮬레이션을 수행하였다. 일반적으로 HEMT 소자의 전자 이동도 및 열전도 특성은 기판의 영향이 그 특성을 크게 좌우한다. 이러한 문제점으로 인해 GaN 기반의 HEMT 소자의 기판에 대한 연구가 활발히 진행되고 있다. 따라서, 일반적인 Drift-Diffusion 모델과 열 모델을 이용하여 Si, sapphire, SiC (silicon carbide)으로 각각 기판을... -
${N_2}O$ 플라즈마에 의한 AlGaN/GaN HEMT의 누설전류 감소
양전욱, Yang. Jeon-Wook 한국전기전자학회 전기전자학회논문지 6 Pages
한국전기전자학회 전기전자학회논문지 2007, Vol.11 No.4 152-157 (6 pages)
본 연구에서는 AlGaN/GaN HEMT (High electron mobility transistor)를 제작하고 20 mTorr의 챔버 압력과 15 sccm의 ${N_2}O$ 유량, 40 W의 RF 전력의 조건으로 원거리에서 형성된 플라즈마로 소스와 드레인 영역을 10초${sim}$120초 동안 처리하여 HEMT의 전기적 특성을 관찰하였다. 상온에서 ${N_2}O$ 플라즈마에 처리한 경우 HEMT의 특성이 변화하지 않았으나 $200^{circ}C$의 온도에서 10초 동안 처리한 경우 게이트 길이가 1um, 소스와 드레인 사이의 거리가 4um인 HEMT의 게이트 누설전류가 246 nA로부터 1.2 pA로 크게 감소하였다.... -
Al의 열산화 방법을 이용한 AlGaN/GaN 구조의 표면 Al2O3 패시베이션 효과
김정진, 안호균, 배성범, 박영락, 임종원, 문재경, 고상춘, 심규환, 양전욱, Kim. Jeong-Jin, Ahn. Ho-Kyun, Bae. Seong-Bum, Pak. Young-Rak, Lim. Jong-Won, Moon. Jae-Kyung, Ko. 한국전기전자재료학회 전기전자재료학회논문지 5 Pages
한국전기전자재료학회 전기전자재료학회논문지 2012, Vol.25 No.11 862-866 (5 pages)