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결함밀도가 낮은 Gallium Nitride Epitaxy 막 제조
한국결정학회 한국결정학회지 1998, Vol.9 No.2 131-137 (7 pages)
GaN buffer 층은 반응원료인 trimethyl gallium(TMG)과 NH3 가스를 교호식펄스공급(alternating pulsative supply, APS)방법에 의해 만들었다. AlN buffer/6H-SiC 위에 초기단계에 형성되는 GaN 섬은 APS처리에 의해 크기가 커지는 것을 AFM(atomic force microscope)으로 관찰하였다. Buffer 층의 역할은 그 위에 성막시킨 GaN epitaxy 막의 결정성과 결함밀도에 의해 조사하였다. 성막된 GaN의 결정구조와 결정성은 DCXRD(double crystal X-ray diffractormeter)에 의해 측정되었다. 결정결함은 EPD(etching pit density)를 측정하는... -
(1210) Gallium Nitride 단결정 박막의 결정구조 및 광학적 특성
황진수, 정필조, Hwang. Jin Soo, Chong. Paul Joe 한국결정학회 한국결정학회지 5 Pages
한국결정학회 한국결정학회지 1997, Vol.8 No.1 33-37 (5 pages)
(1012)면 사파이어 기판위에서 성장되는 (12f10)면 GaN 이종적층막의 광학적 특성을 연구하였다. GaN 이종적층막은 $Ga/HC1/NH_3/He$계를 사용한 HVPE(halide vapor phase epitaxy)방법에 의하여 $990^{circ}C$의 온도에서 성장시켰다. 이종적층막의 표면조직과 결정구조는 XRD, RHEED와 SEM으로 확인하였다. 결정구조가 확인된 (1210)면 GaN 단결정막의 광학적 특성은 PL과 Ra-man으로 관찰하였다. Raman 측정은 광학적포논에 기인된 활성모드를 결정축에 대하여 레이저빔의 편광과 진행방향에 의해 변화하는 것을 관찰하였다. Y(Z, Y &... -
Synthesis and Characterization of Gallium Nitride Powders and Nanowires Using Ga(S2CNR2)3(R = CH3, C2H5) Complexes as New Precursors
Jung. Woo-Sik, Ra. Choon-Sup, Min. Bong-Ki 대한화학회 Bulletin of the Korean Chemical Society 5 Pages
대한화학회 Bulletin of the Korean Chemical Society 2005, Vol.26 No.1 131-135 (5 pages)
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(0001), (10${ar{1}}$2)와 (11${ar{2}}$0) Sapphire 기판에서 Gallium Nitribe 단결정 박막의 성장
황진수, 알렉산 한국결정학회 한국결정학회지 9 Pages
한국결정학회 한국결정학회지 1994, Vol.5 No.1 24-32 (9 pages)
(0001),(1012) 및 (1120)면 sapphire 기판위에 성장되는 (0001), (1120) 및 (1011)면 GaN epitaxy 박막을 Ga/HCI/NH3/He 계를 사용한 HVPE(halide vapor phase epitaxy)방법에 의하여 성장시키는 연구를 수행하였다. 박막의 표면조직과 결정구조는 XRD, RHEED와 SEM으로 분석하였으며, 성장된 막의 화학적 조성은 XPS로 관찰되었다. (1120) sapphire위에는 각각 (0001)과 (1120) GaN epitaxy 박막의 두가지 배향관계가 관찰되었다. (0001)면 GaN epitaxy 박막은 (0001)과 (1120)면 sapphire 기판위에서 1050℃ 의 고온으로 성장시킬 때...