주제분류
자료유형
등재정보
발행기관
- 대한전자공학회(43)
- 한국전자파학회(24)
- 한국전기전자재료학회(11)
- 한국전자통신연구원(7)
- 한국전기전자학회(5)
- 대한전기학회(4)
- 한국반도체디스플레이기술학회(4)
- 한국진공학회(4)
- 한국해양정보통신학회(4)
- 한국ITS학회(3)
- 한국군사과학기술학회(3)
- 한국전자통신학회(3)
- 한국천문학회(2)
- 한국통신학회(2)
- 대한전기협회(1)
- 전력전자학회(1)
- 한국산업정보학회(1)
- 한국신호처리시스템학회(1)
- 한국우주과학회(1)
- 한국재료학회(1)
- 한국항행학회(1)
간행물
- 한국전자파학회논문지(21)
- 전자공학회논문지. JOURNAL OF THE INSTITUTE OF ELECTRONICS ENGINEERS OF KOREA. SD, 반도체(18)
- JOURNAL OF SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY AND SCIENCE(9)
- 전자공학회논문지. JOURNAL OF THE INSTITUTE OF ELECTRONICS ENGINEERS OF KOREA. TC, 통신(8)
- 전기전자학회논문지(5)
- 반도체디스플레이기술학회지(4)
- 전기전자재료(4)
- 전기전자재료학회논문지(4)
- 전자공학회논문지. JOURNAL OF THE KOREAN INSTITUTE OF TELEMATICS AND ELECTRONICS. D(4)
- 한국진공학회지(4)
- 한국해양정보통신학회논문지(4)
- 전자통신동향분석(3)
- 한국ITS학회 논문지(3)
- 한국군사과학기술학회지(3)
- 한국전자통신학회 논문지(3)
- ETRI JOURNAL(2)
- 전기전자재료학회지= THE JOURNAL OF THE KOREAN INSTITUTE OF ELECTRICAL AND ELECTRONIC MATERIAL ENGINEERS(2)
- 전기학회지= THE PROCESSING OF THE INSTITUTE OF ELECTRICAL ENGINEERS(2)
- 전자공학회논문지. JOUNNAL OF THE KOREA INSTITUTE OF TELEMATICS AND ELECTRONICS. A. A(2)
- 전자통신(2)
- 천문학회보(2)
- JOURNAL OF ELECTRICAL ENGINEERING & TECHNOLOGY(1)
- JOURNAL OF ELECTROMAGNETIC ENGINEERING AND SCIENCE : JEES(1)
- JOURNAL OF THE KOREAN INSTITUTE OF ELECTROMAGNETIC ENGINEERING AND SCIENCE(1)
- TRANSACTIONS ON ELECTRICAL AND ELECTRONIC MATERIALS(1)
- 신호처리-시스템학회 논문지(1)
- 전기저널(1)
- 전기학회논문지. THE TRANSACTIONS OF THE KOREAN INSTITUTE OF ELECTRICAL ENGINEERS. C/ C, 전기물성-응용부문(1)
- 전력전자학회 논문지(1)
- 전자공학회논문지(1)
- 전자공학회논문지. JOURNAL OF THE INSTITUTE OF ELECTRONICS ENGINEERS OF KOREA. TE, 전문기술교육(1)
- 전자파기술 : 한국전자파학회지(1)
- 한국산업정보학회논문지(1)
- 한국우주과학회지(1)
- 한국재료학회지(1)
- 한국통신학회논문지(1)
- 한국통신학회논문지. THE JOURNAL OF KOREA INFORMATION AND COMMUNICATIONS SOCIETY. 무선통신(1)
- 한국항행학회논문지(1)
전체 선택해제
총 126건 검색
본문검색 결과만 보기
-
공액 위상변위기용 LS 밴드 HEMT 혼합기
전중창 한국해양정보통신학회 한국해양정보통신학회논문지 6 Pages
한국해양정보통신학회 한국해양정보통신학회논문지 2004, Vol.8 No.2 239-244 (6 pages)
LS 밴드에서 동작하는 공액 위상변위기(phase conjugator)용 HEMT 혼합기를 설계 제작하였다. 역지향성 안테나(retrodirective antenna) 시스템의 공액위상변위기로 사용되는 혼합기의 특징은 RF 및 IF 신호의 주파수가 비슷하며, 모두 고주파 신호라는 점이다. 따라서 LO 신호의 주파수는 RF 주파수의 약 2배가 되며, 두 입력신호의 합성 및 임피던스 정합이 쉽지 않게 된다. 본 연구에서는 p-HEMT 소자를 사용하여, LO4.00 GHz, RF 2.01 GHz, IF 1.99 GHz에서 동작하는 게이트 혼합기를 제작하였다. 제작된 혼합기는 -7 dBm의 LO 신호를... -
약하게 핀치오프된 Cold-HEMT를 이용한 새로운 HEMT 소신호 모델링 기법
전만영 한국해양정보통신학회 한국해양정보통신학회논문지 7 Pages
한국해양정보통신학회 한국해양정보통신학회논문지 2003, Vol.7 No.4 743-749 (7 pages)
본 논문에서는, cold-HEMT의 게이트에 핀치오프 전압보다 약간 낮은 전압을 가함으로써 게이트 손상문제로부터 자유로우며 부가적인 DC 측정을 필요로 하지 않는 새로운 HEMT 소신호 모델링 방법을 제시한다. 제시된 방법에 의해서 모델링된 회로의 S-파라미터 이론치는 49개의 동작 바이어스점에서 측정치와 62GHz까지 뛰어난 일치를 보였다. -
HEMT를 이용한 Ku-band 혼합기의 설계에 관한 연구
성혁제, 구자건 한국통신학회 한국통신학회논문지 7 Pages
한국통신학회 한국통신학회논문지 1993, Vol.18 No.7 944-950 (7 pages)
소자가 요구된다. HEMT(High Electron Mobility Transistor)는 진자의 이동도가 매우 빠르므로 GaAs MESFET보다 transconductance가 커서 큰 변환이득과 우수한 잡음특성을 가지며, millimeter-wave주파수 영역에서도 좋은 잡음특성을 나타내고 있다. 본 연구에서는 18 GHz대역까지 사용가능한 저잡음 증폭기용으로 설계된 OKI사의 HEMT소자인 KGF 1860을 이용하여 혼합기를 제작하였고, LO 주파수를 10.6GHz, RF중심주파수를 11.9GHz로하여 설계하여 RF를 11.4 GHz에서 12.2 GHz까지 변화시키면서 측정한 결과 1~l.4 GHz의 IF대역에서... -
저온 감쇄기를 사용한 22 GHz HEMT 증폭기의 등가잡음 측정
제도흥, 한석태, 김현구, 김태성, 이경임, 오현석, 염경환, Je. Do-Heung, Han. Seok-Tae, Kim. Hyeon-Gu, Kim. Tae-Seong, Lee. Gyeong-Im, Oh. Hyeon-Seok, Yeom. Gyeong-H 한국천문학회 천문학회보 1 Pages
한국천문학회 천문학회보 2005, Vol.30 No.2 65-65 (1 pages)
-
KVN W-band HEMT 수신기 개발
제도흥, 한석태, 김광동, 김태성, 송민규, 김현구, Je. Do-Heung, Han. Seok-Tae, Kim. Kwang-Dong, Kim. Tae-Seong, Song. Min-Gyu, Kim. Hyeon-Gu 한국천문학회 천문학회보 1 Pages
한국천문학회 천문학회보 2005, Vol.30 No.2 63-63 (1 pages)
-
100 nm T-gate의 InGaAs/InAlAs/GaAs metamorphic HEMT 소자 제작 및 특성에 관한 연구
김형상, 신동훈, 김순구, 김형배, 임현식, 김현정, Kim. H.S., Shin. D.H., Kim. S.K., Kim. H.B., Im. Hyun-Sik, Kim. H.J. 한국진공학회 韓國眞空學會誌 5 Pages
한국진공학회 韓國眞空學會誌 2006, Vol.15 No.6 637-641 (5 pages)
본 논문에서는 100 nm 게이트 길이를 갖는 InGaAs/InAlAs/GaAs MHEMT(metamorphic high electron mobility transistors)m의 DC와 RF 특성을 분석 하였다. 이중 노광 방법으로 ZEP520/P(MMA-MAA)/PMMA 3층 구조의 레지스터와 게이트 길이 100 nm인 게이트를 제작하였다. 게이트의 단위 폭이 $70;{mu}m$인 2개의 게이트와 길이가 100 nm로 제작된 MHEMT를 DC 및 RF특성을 조사하였다. 최대 드레인 전류 밀도는 465 mA/mm, 상호전달 컨덕턴스는 844 mS/mm이, RF 측정으로부터 전류 이득 차단 주파수는 192 GHz와 최대 진동주파수 310 GHz인... -
MBE에 의한 HEMT 소자용 $In_{0.53}Ga_{0.47}As/In_{0.52}AI_{0.48}$As/InP 에피택셜층 성장 연구
노동완, 이해권, 이재진, 이재진, 편광의, 남기수 한국진공학회 韓國眞空學會誌 6 Pages
한국진공학회 韓國眞空學會誌 1995, Vol.4 No.2 177-182 (6 pages)
저잡음 HEMT소자 제작을 위한 에피택셜 기판을 MBE방법을 이용하여 $In_{0.53}Ga_{0.47}As/In_{0.52}AI_{0.48}$As/InP 물질계로 성장하였다. 기판온도의 변화, 채널층과 격리층 사이의 성장 일시 멈춤 등의 성장 조건 변화에 따른 Hall 이동도의 변화를 연구하였다. 전자 공급층을 Si으로 델타도핑한 결과 같은 조건에서 성장기판의 온도를 $520^{circ}C$에서$ 540^{circ}C$로 증가시키면 실온의 전자이동도는 7,850$ extrm{cm}^2$/Vsec으로 증가하였으며, 격리층과 채널층 사이에서 약 50초간 성장중 채널층의 표면 adatom의 surface... -
GaN HEMT Die를 이용한 Ku-대역 전력 증폭기 설계 및 제작
김상훈, 김보기, 최진주, 정병구, 태현식, Kim. Sang-Hoon, Kim. Bo-Ki, Choi. Jin-Joo, Jeong. Byeoung-Koo, Tae. Hyun-Sik 한국전자파학회 韓國電磁波學會論文誌 7 Pages
한국전자파학회 韓國電磁波學會論文誌 2014, Vol.25 No.6 646-652 (7 pages)
본 논문은 GaN(Gallium Nitride) HEMT(High Electron Mobility Transistor) die를 이용하여 Ku-대역 전력 증폭기 설계, 제작 그리고 실험 결과에 대해 기술하였다. 저비용으로 Ku-대역 전력 증폭기를 설계하기 위하여 고가의 알루미나 회로 기판 제작 대신 PCB(Printed Circuit Board)를 이용하여 입/출력단 정합 회로를 이용하였다. 측정 결과로는 펄스 모드로 동작시켰을 때 14.8 GHz에서 42.6 dBm의 출력 전력, 37.7 % 드레인 효율 그리고 7.9 dB의 선형 이득을 얻었다. CW(Continuous Wave) 실험 결과로는 39.8 dBm의 출력 전력, 24.1... -
고조파 정합 기법을 이용한 고효율 GaN HEMT 전력 증폭기
진태훈, 권태엽, 정진호, Jin. Tae-Hoon, Kwon. Tae-Yeop, Jeong. Jinho 한국전자파학회 韓國電磁波學會論文誌 9 Pages
한국전자파학회 韓國電磁波學會論文誌 2014, Vol.25 No.1 53-61 (9 pages)
GaN HEMT 전력 증폭기를 설계 및 제작하고, 그 특성을 측정하였다. 고효율 특성을 얻기 위해 고조파 로드풀 시뮬레이션을 활용하였다. 즉, 기본 주파수뿐만 아니라 2차, 3차 등의 고조파에서 최적의 부하 임피던스를 찾아내었다. 이러한 고조파 로드풀 시뮬레이션 결과를 바탕으로 출력 정합 회로를 설계하였다. 제작한 전력 증폭기는 중심 주파수 1.85 GHz에서 선형 전력 이득 20 dB 및 33.7 dBm의 $P_{1dB}$(1 dB gain compression point) 특성을 보였다. 그리고, 출력 전력 38.6 dBm에서 80.9 %의 최대 전력 부가 효율(Power Added... -
내부 고조파 조정 회로로 구성되는 고효율 370 W GaN HEMT 소형 전력 증폭기
최명석, 윤태산, 강부기, 조삼열, Choi. Myung-Seok, Yoon. Tae-San, Kang. Bu-Gi, Cho. Samuel 한국전자파학회 韓國電磁波學會論文誌 10 Pages
한국전자파학회 韓國電磁波學會論文誌 2013, Vol.24 No.11 1064-1073 (10 pages)
효율을 내기 위해 새로운 회로 정합 형태를 적용했다. 소형화를 위하여 새로운 41.8 mm GaN HEMT와 2개의 MOS(Metal Oxide Semiconductor) 캐패시터를 구성 물질의 변화를 이용하여 열 저항을 개선한 $10.16{ imes}10.16{ imes}1.5Tmm^3$ 크기의 새로운 패키지에 와이어 본딩으로 결합하였다. 드레인 바이어스 48 V 인가 시, 개발된 GaN HEMT 전력 증폭기는 370 W 포화 출력 전력(Psat.)과 770~870 MHz에서 80 % 이상, 1,805~1,880 MHz에서 75 % 이상의 드레인 효율(DE)을 나타내었다. 이는 지금까지 보고된 셀룰러와 L대역에서 GaN HEMT...