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밀리미터파 InP 소자기술
범진욱, 윤상원 한국전기전자재료학회 전기전자재료 6 Pages
한국전기전자재료학회 전기전자재료 1999, Vol.12 No.8 18-23 (6 pages)
회로 제작에 지금까지 개발된 기술 중 가장 경쟁력 있는 기술로 InP HEMT와 HBT를 이용하여 100㎓ 이상의 회로가 만들어지고 있다. GaAs 소자 기술에 비해 InP 소자기술은 주파수 특성과 잡음특성, 집적도에 있어서 우수하나 반면에 V-band 이하의 주파수에서 전력특성이 나쁘며, 가격이 비싼 단점이 있다. V-band 이상의 고주파 대역에서 InP 소자기술은 대부분의 면에서 GaAs 소자기술을 능가하여 극초고주파에서 적용가능한 유일한 소자기술이 된다. 본 논문에서는 InP 소자 기술에 대한 기본적인 내용과 응용 예를 소개한다. -
Process Optimization for High Frequency Performance of InP-Based Heterojunction Bipolar Transistors
Song. Yongjoo, Jeong. Yongsik, Yang. Kyounghoon 대한전자공학회 Journal of semiconductor technology and science 9 Pages
대한전자공학회 Journal of semiconductor technology and science 2003, Vol.3 No.1 33-41 (9 pages)
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밀리미터파 Transistors
범진욱, 송남진 한국전자파학회 電磁波技術 : 韓國電磁波學會誌 10 Pages
한국전자파학회 電磁波技術 : 韓國電磁波學會誌 2000, Vol.11 No.2 2-11 (10 pages)
밀리미터파 회로 제작에 필수적인 능동소자인 고 속 Transistor기술은 반도체 설계 및 공정기술의 발 전으로 급격히 발달하고 있다. 주로 GaAs계나 InP 계 III-V 화합물 반도체를 이용한 고주파 transistor 는 FET기반의 MODFET과 BJT기반의 HBT가 밀 리미터파 대역에서 응용된다. 전통적인 III-V족 반 도체 이외에 SiGe와 GaN 소자 기술 역시 급속한 발전을 이루고 있다. 본 논문에서는 밀리미터파 transistor 기술에 대한 기본적인 내용과 응용 예를 소개한다.