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PECVD에 의한 OLED 소자의 Thin Film Passivation 특성
김관도, 장석희, 김종민, 장상목, Kim. KwanDo, Jang. SeokHee, Kim. JongMin, Chang. SangMok 한국화학공학회 Korean chemical engineering research 8 Pages
한국화학공학회 Korean chemical engineering research 2012, Vol.50 No.3 574-581 (8 pages)
사용될 수 있다. 본 연구에서는 치밀하고 결함이 없는 패시베이션(passivation) 박막을 형성하기 위해서 상온에서 증착이 가능한 PECVD를 이용한 무기 박막 증착 방법을 개발하고 증착 조건과 구조에 따른 OLED의 특성 변화를 분석하였다. 하나의 시스템에서 in-situ로 패시베이션할 수 있는 시스템 및 공정을 구축하였으며 단일 무기 박막의 WVTR(Water Vapor Transmission Rate) 값을 $1{ imes}10^{-2}g/m^2{cdot}day$ 이하로 확보하였고 제작된 박막을 패시베이션막으로 유연한 디스플레이에 적용할 수 있는 가능성을 제시하였다. -
PECVD에 의한 질화 실리콘 박막의 증착
허창우, Hur. Chang-Wu 한국해양정보통신학회 한국해양정보통신학회논문지 5 Pages
한국해양정보통신학회 한국해양정보통신학회논문지 2007, Vol.11 No.11 2095-2099 (5 pages)
및 암모니아가스를 사용해서 PECVD(Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition) 진공 증착장비로 최적의 비정질질화실리콘 박막 증착 조건을 확립한다. 먼저 반응실의 진공도, rf 전력, $SiH_4$ 및 질소 그리고 암모니아가스의 flow rate를 변화시키면서 형성된 박막의 특성을 조사한다. 계속해서 다른 변수를 고정시킨 상태에서 rf 전력을 변화시키고 다음에는 반응실의 진공도 등을 변화시켜 최적의 증착조건을 확립한다. 이렇게 확립된 증착조건을 사용하여 비정질질화실리콘박막을 제작하여 특성을 측정한 결과 우수한 성능을... -
PECVD법에 의해 증착된 Ti-B-C코팅막 내의 보론함량과 증착온도에 따른 미세구조 및 기계적 물성의 변화
옥정태, 송풍근, 김광호, Ok. Jung-Tae, Song. Pung-Keun, Kim. Kwang-Ho 한국표면공학회 한국표면공학회지 6 Pages
한국표면공학회 한국표면공학회지 2005, Vol.38 No.3 106-111 (6 pages)
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PECVD법에 의한 DLC 박막의 증착
김상호, 김동원 한국표면공학회 한국표면공학회지 7 Pages
한국표면공학회 한국표면공학회지 2002, Vol.35 No.2 122-128 (7 pages)
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BORIDING OF STEEL WITH PECVD METHOD
Lee. M.J., Lee. K.Y., Lee. J.H., Kim. Y.H. 한국표면공학회 한국표면공학회지 4 Pages
한국표면공학회 한국표면공학회지 1999, Vol.32 No.3 249-252 (4 pages)
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PECVD법으로 증착한 Cr코팅층이 Inconel 601과 Ni의 내산화성에 미치는 영향
강옥경, 정명모, 김길무 한국표면공학회 한국표면공학회지 10 Pages
한국표면공학회 한국표면공학회지 1995, Vol.28 No.3 142-151 (10 pages)
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PECVD a-$SiN_x$:H 박막(薄膜)의 특성(特性)과 열적안정성(熱的安定性)
송진수, 박주석, Song. Jin-Soo, Park. Joo-Suk 한국태양에너지학회 태양에너지 12 Pages
한국태양에너지학회 태양에너지 1986, Vol.6 No.1 12-23 (12 pages)
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200℃의 저온에서 PECVD 기법으로 성장한 SiNx 박막의 열처리에 따른 광학적 특성 변화 규명
이경수, 김은겸, 손대호, 김정호, 임태경, 안승만, 박경완, Lee. Kyung-Su, Kim. Eun-Kyeom, Son. Dae-Ho, Kim. Jeong-Ho, Yim. Tae-Kyung, An. Seung-Man, Park. Kyoung-Wan 한국진공학회 韓國眞空學會誌 8 Pages
한국진공학회 韓國眞空學會誌 2011, Vol.20 No.1 42-49 (8 pages)
$SiH_4$ 가스의 흐름 비율을 바꾸어 가며 PECVD 기법으로 성장하였다. 시료의 광 특성을 규명하기 위하여 상온 광 발광 스펙트럼을 측정하였다. 성장 시 $SiH_4$ 가스의 흐름 비율이 증가함에 따라 시료의 발광 최대치 파장이 장파장으로 이동하였으나, $SiH_4$ 가스의 흐름 비율과 무관하게 모든 시료에서 1.8, 1.9, 2.2, 2.4, 그리고 3.1 eV 에너지의 발광 현상을 관찰하였다. $N_2$, $H_2$, 그리고 $O_2$ 가스 분위기에서 후열처리를 거친 후, 발광 스펙트럼의 변화를 조사하였다. 열처리 후의 발광 세기는 증가하였고, 특히, $H_2$ 및... -
Very High Frequency Multi Hollow Cathode PECVD 장치의 수치모델링
주정훈, Joo. Jung-Hoon 한국진공학회 韓國眞空學會誌 10 Pages
한국진공학회 韓國眞空學會誌 2010, Vol.19 No.5 331-340 (10 pages)
초고주파 다중 중공 음극 방전을 이용한 플라즈마 화학 기상 증착 장치를 3차원 수치 모델링하였다. 기본적인 방전 특성을 파악하기 위하여 알곤 플라즈마를 40 MHz, 100 V, 133.3 Pa (1 Torr)의 조건에 대해서 계산하였다. 6 mm 직경의 홀을 20 mm 간격으로 배열하였고 전극 간격은 10 mm를 가정하였다. 피크 플라즈마 밀도는 홀의 하부 중앙에서 $5{ imes}10^{11}#/cm^3$ 였으며 전자 온도는 접지 상태로 가정한 기판과 챔버 벽면 주위에서 가장 높았다. 준안정 상태에 의한 2단 이온화 속도는 전자 충돌에 의한 직접 이온화보다 10배...