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RF Reactive Sputtering법에 의한 산화주석 박막의 제조 및 특성
김영래, 김선필, 김성동, 김은경, Kim. Young-Rae, Kim. Sun-Phil, Kim. Sung-Dong, Kim. Sarah Eun-Kyung 한국재료학회 한국재료학회지 6 Pages
한국재료학회 한국재료학회지 2010, Vol.20 No.9 494-499 (6 pages)
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RF reactive magnetron sputtering으로 제조한 TiO2 박막의 구조 및 광학적 특성
강계원, 이영훈, 곽재천, 이동구, 정봉교, 박성호, 최병호, Gang. Gye-Won, Lee. Yeong-Hun, Gwak. Jae-Cheon, Lee. Dong-Gu, Jeong. Bong-Gyo, Park. Seong-Ho, Choe. Byeon 한국재료학회 한국재료학회지 6 Pages
한국재료학회 한국재료학회지 2002, Vol.12 No.6 452-457 (6 pages)
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RF Sputtering 법으로 제작한 강유전체 메모리의 하부전극용$RuO_2$ 박막의 특성에 관한 연구
강성준, 정양희 한국해양정보통신학회 한국해양정보통신학회논문지 8 Pages
한국해양정보통신학회 한국해양정보통신학회논문지 2000, Vol.4 No.5 1127-1134 (8 pages)
RF magnetron reactive sputtering 법으로 $RuO_2$ 박막을 제작하여, O2/(Ar+O2) 비와 기판온도에 따른 박막의 결정화 특성, 미세구조, 표면거칠기, 전기적 비저항을 조사하였다. O2/(Ar+O2) 비가 감소하고 기판온도가 증가함에 따라 $RuO_2$ 박막은 (110) 면에서 (101) 면으로 우선배향방향이 변하였다. O2/(Ar+O2) 비가20% 에서 50% 로 증가함에 따라, $RuO_2$박막의 표면거칠기는 2.38nm 에서 7.81nm로, 비저항은 $103.6 muOmega-cm; 에서; 227 muOmega-cm$로 증가하는 추세를 나타내는 반면에, 증착속도는 47nm/min에서 17nm/min 로...