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$0.1;{mu}m$ 이하의 게이트 길이를 갖는 Metamorphic High Electron Mobility Transistor의 모델링 및 구조 최적화
한민, 김삼동, 이진구, Han. Min, Kim. Sam-Dong, Rhee. Jin-Koo 대한전자공학회 電子工學會論文誌. Journal of the Institute of Electronics Engineers of Korea. SD, 반도체 8 Pages
대한전자공학회 電子工學會論文誌. Journal of the Institute of Electronics Engineers of Korea. SD, 반도체 2005, Vol.42 No.3 1-8 (8 pages)
본 논문에서는 $0.1;{mu}m$ 이하의 게이트 길이를 갖는 MHEMT의 DC 및 RF 특성을 상용 시뮬레이터인 ISE-TCAD tool을 이용하여 결과를 고찰하였다. 이후 MHEMT의 게이트 길이와, 소스-드레인 간격 및 채널 두께를 변화시켜 가면서 소자의 수평, 수직 Scaling효과가 소자 특성에 미치는 영향을 비교하였으며, 게이트 길이 $(L_g)$가 $0.1;{mu}m$ 이하로 감소함에 따라 $g_{m,max}$가 같이 감소하는 현상에 대해서 논의해 보았다. 또한 이 현상을 가지고 소자의 횡적, 종적 파라미터의 scaling 효과에 대한 모델을 제시 했다. -
Contact resistance in graphene channel transistors
Seung Min Song, Byung Jin Cho 한국탄소학회 Carbon Letters 9 Pages
한국탄소학회 Carbon Letters 2013, Vol.14 No.3 4 162-170 (9 pages)
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Carbon nanotubes–properties and applications
Khalid Saeed Ibrahim 한국탄소학회 Carbon Letters 14 Pages
한국탄소학회 Carbon Letters 2013, Vol.14 No.3 1 131-144 (14 pages)