자료유형
간행물
- 전자공학회논문지. JOURNAL OF THE INSTITUTE OF ELECTRONICS ENGINEERS OF KOREA. SD, 반도체(12)
- JOURNAL OF SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY AND SCIENCE(8)
- 전기전자재료학회논문지(3)
- 한국진공학회지(2)
- 한국해양정보통신학회논문지(2)
- CARBON LETTERS(1)
- 센서학회지(1)
- 전자공학회논문지. JOUNNAL OF THE KOREA INSTITUTE OF TELEMATICS AND ELECTRONICS. A. A(1)
- 전자공학회논문지. JOURNAL OF THE INSTITUTE OF ELECTRONICS ENGINEERS OF KOREA. IE. 산업전자(1)
- 전자공학회논문지. JOURNAL OF THE KOREAN INSTITUTE OF TELEMATICS AND ELECTRONICS. D(1)
전체 선택해제
총 32건 검색
본문검색 결과만 보기
-
SOI-MOSFET의 고온 동작에 관한 연구
최창용, 문경숙, 구상모, Choi. Chang-Yong, Moon. Kyung-Sook, Koo. Sang-Mo 한국전기전자재료학회 전기전자재료학회논문지 5 Pages
한국전기전자재료학회 전기전자재료학회논문지 2008, Vol.21 No.8 706-710 (5 pages)
-
Pseudo-MOSFET을 이용한 SiGe-on-SOI의 Ge 농도에 따른 기판의 특성 평가 및 열처리를 이용한 전기적 특성 개선 효과
박군호, 정종완, 조원주, Park. Goon-Ho, Jung. Jong-Wan, Cho. Won-Ju 한국진공학회 韓國眞空學會誌 4 Pages
한국진공학회 韓國眞空學會誌 2008, Vol.17 No.2 156-159 (4 pages)
Pseudo-MOSFET 방법을 이용하여 Ge농도에 따른 SiGe-on-Insulator(SGOI) 기판의 특성을 평가하였다. SGOI 기판은 compressive-SiGe / Relaxed-Si / Buried oxide / Si-substrate 구조로 SOI 기판 위에 에피택셜 성장법으로 SiGe층을 형성하였으며 compressive SiGe층의 Ge 농도는 각각 16.2％, 29.7％, 34.3％, 56.5％ 이다. 실험결과 Ge 농도가 증가함에 따라 누설전류가 증가하는 특성을 보였으며 threshold voltage는 nMOSFET의 경우 3V에서 7V로 이동하였으며 pMOSFET의 경우도 -7 V에서 -6 V로 이동하는 특성을 보였다. 급속 열처리... -
Bulk-Si와 PD-SOI에 형성된 SiGe p-MOSFET의 전기적 특성의 비교
최상식, 최아람, 김재연, 양전욱, 한태현, 조덕호, 황용우, 심규환, Choi. Sang-Sik, Choi. A-Ram, Kim. Jae-Yeon, Yang. Jeon-Wook, Han. Tae-Hyun, Cho. Deok-Ho, Hwang. Yong- 한국전기전자재료학회 전기전자재료학회논문지 5 Pages
한국전기전자재료학회 전기전자재료학회논문지 2007, Vol.20 No.6 491-495 (5 pages)
-
Intrinsic Cylindrical/Surrounding Gate SOI MOSFET의 I-V 특성 도출을 위한 해석적 모델
우상수, 이재빈, 서정하, Woo. Sang-Su, Lee. Jae-Bin, Suh. Chung-Ha 대한전자공학회 電子工學會論文誌. Journal of the Institute of Electronics Engineers of Korea. SD, 반도체 8 Pages
대한전자공학회 電子工學會論文誌. Journal of the Institute of Electronics Engineers of Korea. SD, 반도체 2011, Vol.48 No.10 54-61 (8 pages)
본 논문에서는 intrinsic-body cylindrical/surrounding gate SOI MOSFET의 I-V 특성 도출을 위한 간단한 해석적 모델을 제시하였다. Intrinsic 실리콘 채널 영역에서의 Poisson 방정식과 gate oxide 내에서의 Laplace 방정식을 해석적으로 풀어 소스와 드레인 양단 끝에서의 표면 전위 분포를 bisection method를 이용하여 구하였다. 구해진 표면 전위를 바탕으로 closed-form의 I-V 특성 식을 도출하였다. 도출된 I-V 특성 표현 식을 모의 실험한 결과, 소자의 parameter와 가해진 bias 전압에 대한 비교적 정확한 의존성을 확인할 수... -
Short-Channel Intrinsic-Body SDG SOI MOSFET의 문턱전압 도출을 위한 해석적 모델
장은성, 오영해, 서정하, Jang. Eun-Sung, Oh. Young-Hae, Suh. Chung-Ha 대한전자공학회 電子工學會論文誌. Journal of the Institute of Electronics Engineers of Korea. SD, 반도체 7 Pages
대한전자공학회 電子工學會論文誌. Journal of the Institute of Electronics Engineers of Korea. SD, 반도체 2009, Vol.46 No.11 1-7 (7 pages)
본 논문에서는 short-channel intrinsic-body SDG SOI MOSFET의 문턱전압 도출을 위한 간단한 해석적 모델을 제시하였다. Intrinsic silicon 채널 영역 및 gate oxide 내에서의 2차원 Laplace 방정식을 반복법(iteration method)으로 풀어 각 영역 내에서의 전위 분포를 채널에 수직한 방향의 좌표에 대해 4차 및 5차 다항식으로 표현하였으며 이로부터 표면전위를 도출하였다. 표면전위의 최소치가 0이 되는 게이트 전압을 문턱전압으로 제안하여 closed-form의 문턱전압 식을 도출하였다. 도출된 문턱전압 표현식을 모의 실험한 결과,... -
Analytical Characterization of a Dual-Material Double-Gate Fully-Depleted SOI MOSFET with Pearson-IV type Doping Distribution
Kushwaha. Alok, Pandey. Manoj K., Pandey. Sujata, Gupta. Anil K. 대한전자공학회 Journal of semiconductor technology and science 10 Pages
대한전자공학회 Journal of semiconductor technology and science 2007, Vol.7 No.2 110-119 (10 pages)
-
NQS효과를 고려한 FD-SOI MOSFET의 고주파 소신호 모델변수 추출방법
김규철, Kim. Gue-Chol 한국해양정보통신학회 한국해양정보통신학회논문지 6 Pages
한국해양정보통신학회 한국해양정보통신학회논문지 2007, Vol.11 No.10 1910-1915 (6 pages)
본 논문에서는 NQS(non-quasi-static)효과를 고려한 FD(fully depleted)-SOI(silicon-on-insulator) MOSFETs의 고주파 소신호 모델링을 위한 등가회로 변수들을 간단하고 정확히 추출하는 방법을 제시하였다. 제시된 추출방법은 임피던스와 어드미턴스 행렬계산으로 S-파라미터의 측정 결과로부터 MOSFET의 외부 기생용량과 기생저항을 제거하여 물리적인 특성을 바탕으로 한 MOSFET의 내부등가회로변수가 간단히 추출되어진다. 제시된 방법으로 등가 회로를 구한 후 Y-파라미터를 계산하여 측정치와 비교한 결과 500MHz부터 200Hz까지 잘...